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功率晶体管
2SD2420
硅NPN三重扩散龙门达林顿
单位：mm
进行功率放大
I
特点
高正向电流传输比H
FE
： 2 000 10 000
封装的介电击穿电压：
＆ GT ;
5千伏
9.9
±0.3
3.0
±0.5
4.6
±0.2
2.9
±0.2
13.7
±0.2
4.2
±0.2
浸焊
15.0
±0.5
φ
3.2
±0.1
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电源
耗散
T
C
=
25°C
T
a
=
25°C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
等级
60
60
5
8
4
40
2.0
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
W
1.4
±0.2
1.6
±0.2
0.8
±0.1
2.6
±0.1
0.55
±0.15
2.54
±0.30
5.08
±0.50
1
2
3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220D套餐
内部连接
C
B
结温
储存温度
E
I
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2
基极至发射极电压（ DC值）
集电极到发射极饱和电压
V
BE
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
注） *：等级分类
秩
h
FE2
P
Q
f
T
t
on
t
英镑
t
f
*
条件
V
CB
=
60 V，I
E
=
0
V
CE
=
30 V，I
B
=
0
V
EB
=
5 V，I
C
=
0
I
C
=
30毫安，我
B
=
0
V
CE
=
3 V，I
C
=
0.5 A
V
CE
=
3 V，I
C
=
3 A
V
CE
=
3 V，I
C
=
3 A
I
C
=
3 A，I
B
=
12毫安
I
C
=
5 A，I
B
=
20毫安
V
CE
=
10 V，I
C
=
0.5 A，F
=
1兆赫
I
C
=
3 A，I
B1
=
12毫安，我
B2
= 12
mA
V
CC
=
50 V
民
典型值
最大
200
500
2
单位
A
A
mA
V
60
1 000
2 000
10 000
2.5
2.0
4.0
20
0.5
4.0
1.0
V
V
V
兆赫
s
s
s
4 000 10 000 2 000 5 000
1
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200MXC220M20X25
225CKR250M
2-1546670-7
2N2292
2SD2227S
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    2SD2420
    -
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