【INCHANGE半导体ISC产品speci fi cationISC硅NPN功率晶体管2SD2406】,IC型号2SD2406,2SD2406 PDF资料,2SD2406经销商,ic,电子元器件-51电子网

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

2SD2406

描述

-collector极 - 发射极

击穿电压 -

: V

（ BR ） CEO

= 80V （最小值）

-collector

电源Dissipation-

: P

25W @ T

= 25

℃

良好

h的线性度

应用

·设计

对于功率放大器的应用程序。

绝对最大额定值（T

=25℃)

符号

参数

价值

单位

CBO

集电极 - 基极电压

首席执行官

集电极 - 发射极电压

EBO

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

基极电流连续

集电极耗散功率

=25℃

结温

0.4

150

℃

英镑

储存温度

-55~150

℃

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

民

2SD2406

典型值。

最大

单位

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

= 50毫安;我

= 0

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

= 10毫安;我

= 0

（SAT）

（上）

CBO

集电极 - 发射极饱和电压

= 3A ;我

= 0.3A

1.5

基射极电压上

= 3A ; V

= 5V

= 80V ;我

= 0

1.5

μA

收藏家Cuto FF电流

EBO

发射Cuto FF电流

= 5V ;我

= 0

100

FE-1

直流电流增益

= 0.5A ; V

= 5V

240

FE-2

直流电流增益

= 3A ; V

= 5V

输出电容

= 0; V

= 10V ; F

TEST

= 1MHz的

= 0.5A ; V

= 5V

电流增益带宽积

兆赫

FE-1

分类

70-140

120-240

ISC的网站： www.iscsemi.cn

2SD2406

东芝三极管

硅NPN三重DIFFUSED TYPE

2SD2406

功率放大器的应用

单位：mm

高功率耗散：P

= 25瓦（TC = 25 ° C）

好

线性

绝对最大额定值

（ TC = 25 ° C）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

（ TC = 25 ° C）

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

0.4

150

单位

°C

JEDEC

JEITA

―

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

东芝

2-10R1A

温度/电流/电压和在显著变化

重量：2.7克（典型值）。

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告

和估计故障率等）。

2006-11-21

2SD2406

电气特性

（ TC = 25 ° C）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

符号

CBO

EBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

FE （1）

直流电流增益

（注）

FE （2）

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

集电极输出电容

CE （SAT）

测试条件

= 80 V，I

= 0

= 5 V，I

= 0

= 50 mA时，我

= 0

= 10 mA时，我

= 0

= 5 V，I

= 0.5 A

= 5 V，I

= 3 A

= 3 A，I

= 0.3 A

= 5 V，I

= 3 A

= 5 V，I

= 0.5 A

= 10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

民

―

典型值。

―

0.45

1.0

8.0

最大

100

―

240

―

1.5

―

兆赫

单位

μA

注：H

FE （1）

分类○： 70 140 ， Y： 120240

记号

D2406

产品型号（或缩写代码）

LOT号

特征

指标

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2006-11-21

2SD2406

– V

4.0

240

200

160

120

100

4.0

– V

常见

辐射源

VCE = 5 V

3.0

(A)

2.4

1.6

集电极电流I

(A)

3.2

TC = 75℃

2.0

IB = 20毫安

1.0

0.8

共发射极

TC = 25°C

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

集电极 - 发射极电压

(V)

基射极电压

(V)

– I

1000

CE （SAT）

– I

集电极 - 发射极饱和电压

CE （SAT）

(V)

共发射极

VCE = 5 V

共发射极

IC / IB = 10

直流电流增益

500

300

TC = 75℃

100

0.5

0.3

TC = 75℃

0.1

0.05

0.03

0.003

0.01

0.03

0.1

0.3

0.003

0.01

0.03

0.1

0.3

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

安全工作区

- TA

(W)

(A)

TC - TA

无限大的散热器

10 IC MAX（脉冲） *

1毫秒*

直流操作

TC = 25°C

0.5

0.3

单一不重复的脉冲

TC = 25°C

曲线必须降低

线性地增加

温度。

IC MAX（连续）

1 s*

10毫秒*

100毫秒*

集电极耗散功率

集电极电流I

VCE最大

100

125

150

175

0.1

环境温度Ta （C ）

集电极 - 发射极电压V

(V)

2006-11-21

2SD2406

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701-EN

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2006-11-21