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产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2SD2401
描述
·带
MT- 200封装
.Complement
键入2SB1570
·达林顿
应用
·音频，
串联稳压器
和通用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
Collectorl功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
160
150
5
12
1
150
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
首席执行官
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 30毫安;我
B
=0
I
C
= 7 A;我
B
= 7米一
I
C
= 7 A;我
B
= 7米一
V
CB
= 160V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
I
C
= 2A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
5000
55
95
民
150
典型值。
2SD2401
最大
单位
V
2.5
3.0
100
100
V
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=7A;R
L
=10Ω
I
B1
=- I
B2
=7mA
V
CC
=70V
0.5
10.0
1.1
μs
μs
μs
h
FE
分类
O
5000-12000
P
6500-20000
Y
15000-30000
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2401
图2外形尺寸
JMnic
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2401
描述
·带
MT- 200封装
.Complement
键入2SB1570
·达林顿
应用
·音频，
系列稳压器和
通用应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
160
150
5
12
1
150
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 30毫安;我
B
=0
I
C
= 7 A;我
B
= 7米一
I
C
= 7 A;我
B
= 7米一
V
CB
= 160V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
I
C
= 2A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
5000
55
95
民
150
典型值。
2SD2401
最大
单位
V
2.5
3.0
100
100
V
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=7A;R
L
=10Ω
I
B1
=- I
B2
=7mA
V
CC
=70V
0.5
10.0
1.1
μs
μs
μs
h
FE
分类
O
5000-12000
P
6500-20000
Y
15000-30000
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2401
图2外形尺寸
3
等效电路
C
达林顿
2SD2401
s
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
OB
条件
V
CB
=160V
V
EB
=5V
I
C
=30mA
V
CE
= 4V ，我
C
=7A
I
C
= 7A ，我
B
=7mA
I
C
= 7A ，我
B
=7mA
V
CE
= 12V，我
E
=–2A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
2SD2401
100
最大
100
最大
150
民
5000
民
2.5
最大
3.0
最大
55
典型值
95
典型值
V
V
兆赫
pF
20.0min
4.0max
B
(7 0
)
E
硅NPN三重扩散平面晶体管
（补键入2SB1570 ）
s
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
2SD2401
160
150
5
12
1
150(Tc=25°C)
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
应用：
音频系列稳压器和通用
(Ta=25°C)
单位
外形尺寸
MT-200
36.4
±0.3
24.4
±0.2
2-3.2
±0.1
9
7
21.4
±0.3
2.1
6.0
±0.2
A
A
V
a
b
2
3
1.05
+0.2
-0.1
5.45
±0.1
B
C
E
5.45
±0.1
0.65
+0.2
-0.1
3.0
+0.3
-0.1
h
FE
秩
O（ 5000 12000 ） ， P（ 6500 20000 ） ， Y（ 15000至30000）
s
典型的开关特性（共发射极）
V
CC
(V)
70
R
L
()
10
I
C
(A)
7
V
BB1
(V)
10
V
BB2
(V)
–5
I
B1
（MA ）
7
I
B2
（MA ）
–7
t
on
(
s)
0.5typ
t
英镑
(
s)
10.0typ
t
f
(
s)
1.1typ
重量：约18.4克
一。型号
B 。批号
I
C
– V
权证
特征
（典型值）
合作llector - 对V ℃的GE V EM伊特尔萨图拉缇
CE（ s的）
(V )
12
A
10m
2.
5mA
V
CE
（SAT） - 我
B
特征
（典型值）
3
I
C
– V
Bé
温度特性
（典型值）
12
( V
权证
=4 V )
2.0m
A
10
醇L E （C T） R C ü R R鄂西北我
C
( A)
1. 5百万
10
C 0 L L权证吨 R C ü R R简T I
C
( A )
8
1.2毫安
2
8
1. 0米一
6
到0.8M
I
C
= 1 0A
I
C
= 7 A
1
I
C
= 5 A
6
p)
)
EMP
SE牛逼
（CA
se
4
4
125
0
0
2
4
6
0
0 .2
0.5
1
5
10
50
100 200
0
0
1
–30
2
2
25C
C (
C
I
B
=0.4mA
CAS
（CA
ê特
0.6mA
统
MP ）
2
2.6
OL升EC T或 - 惠吨T E R诉OL踏歌V
权证
(V )
巴SE铜R R鄂西北我
B
（M A）
巴发E - ê M I TT 诉OL吨AG电子V
Bé
( V )
h
F ê
– I
C
特征
（典型值）
(V
权证
= 4 V )
40000
D C铜R R连接的Tg A I N·H
FE
h
F ê
– I
C
温度特性
（典型值）
( V
权证
= 4 V)
70000
50000
12 5 C
瞬态热阻
θ
-a
（ ° C / W）
2
θ
的J - 一
- T特征
典型值
10000
5000
D C ú R R简吨盖N·H
FE
1
10000
5000
25 C
–3 0 C
0.5
1000
1000
02
0.5
1
OL升EC T或C URR EN T I
C
(A)
5
10 12
600
0 .2
0.5
1
醇L E CT或C ü R R鄂西北我
C
( A)
5
10 12
0.1
1
5
10
50
1 00
5 0 0 1 0 0 0 2 0 00
时间t（ ms）的
f
T
– I
E
特征
（典型值）
(V
权证
= 1 2 V )
100
30
安全工作区
（单脉冲）
16 0
10
m
电脑 - 钽降额
80
铜吨-O FF神父ê Q ü EN 和Y F
T
（ M·H
Z
)
合作LLE CTO R C ü R R简T I
C
( A)
10
5
DC
10
0m
M IM AX UM P流è 迪S S小I P的Ti O 4 N P
C
( W )
s
s
12 0
W
第i个
In
60
典型值
鳍
ITE
he
1
0 .5
无需散热器
自然冷却
0 .1
80
at
si
nk
40
40
20
0
–0.02
– 0. 1
–1
它EM T E R C URR EN T I
E
( A)
–10
0.05
3
5
10
50
10 0
15 0
200
5
0
无需散热器
0
25
50
75
100
1 25
150
C 0 LL ê CT的R - EM I T TE 武℃的GE V
权证
( V)
上午B I E NT率T e米PE R A吨ü 吨（ C）
150
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2401
描述
·采用MT- 200封装
·补键入2SB1570
·达林顿
应用
·音频，系列稳压器和
通用应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ MT- 200 ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
160
150
5
12
1
150
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 30毫安;我
B
=0
I
C
= 7 A;我
B
= 7米一
I
C
= 7 A;我
B
= 7米一
V
CB
= 160V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
I
C
= 2A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
5000
55
95
民
150
2SD2401
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
2.5
3.0
100
100
V
V
A
A
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=7A;R
L
=10C
I
B1
=- I
B2
=7mA
V
CC
=70V
0.5
10.0
1.1
s
s
s
h
FE
分类
O
5000-12000
P
6500-20000
Y
15000-30000
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2401
图2外形尺寸
3
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推荐型号
250U20L102B1CA
2020AX103J8
22-28-8063
27287
2SC5338SH
2211-05-411
2141-5A
2SB945R
252B103B40NA
2SC4092R5
2SK372GR
2-282841-4
277LMB350M2ED
27C16AF-20IL
2SB946Q
2SC5455(NE67839)
2860A
2SJ483
27HC416-70I/P
259890
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    -
    -
    -
    -
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