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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第337页 > 2SD2400
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2400
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入2SB1569
高
跃迁频率
-collector
功耗：
P
C
=20W(T
C
=25
℃
)
应用
For
低频功率放大器
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
固电
IN
集电极 - 基极电压
ES
昂
CH
导½
半
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
120
120
5
1.5
3
单位
V
V
V
A
A
发射极开路
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
开基
集电极开路
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2.0
W
20
150
-55~150
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 1毫安，我
B
=0
I
C
= 50μA ;我
E
=0
I
E
= 50μA ;我
C
=0
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
V
CB
= 120V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V;f=30MHz
I
E
=0; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
60
民
120
120
5
2SD2400
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.5
1.0
1.0
V
V
μA
μA
固电
IN
E
100-200
跃迁频率
集电极输出电容
h
FE
分类
D
60-120
ES
昂
CH
F
160-320
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
80
20
320
兆赫
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2400
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2400
描述
·采用TO- 220F封装
·补键入2SB1569
·高转换频率
·集电极耗散功率：
P
C
=20W(T
C
=25 )
应用
·对于低频功率放大器
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25
P
C
集电极耗散
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
20
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
120
120
5
1.5
3
2.0
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 1毫安，我
B
=0
I
C
= 50μA ;我
E
=0
I
E
= 50μA ;我
C
=0
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
V
CB
= 120V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V;f=30MHz
I
E
=0; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
60
民
120
120
5
2SD2400
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.5
1.0
1.0
320
80
20
V
V
A
A
兆赫
pF
h
FE
分类
D
60-120
E
100-200
F
160-320
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2400
图2外形尺寸
3
查看更多2SD2400PDF信息
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24C00/SN
24C00-/SN
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2020-4114-20
212U0112N220RN
20E40-230
24LC128-I/ST14
212T0102N320KN
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