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附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC2139
描述
集电极 - 发射极击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 400V (最小值)
开关速度
应用
切换
调节器和高电压开关应用。
速度的DC-DC转换器的应用程序。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
最大
单位
500
V
400
V
6
V
10
A
2
A
100
W
150
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
P
C
T
j
T
英镑
存储温度范围
-65~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
2SC2139
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
400
V
V
( BR ) CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
500
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
6
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
1.5
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
2.0
V
h
FE
直流电流增益
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
开关时间
t
r
上升时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 5A ; V
CE
= 5V
10
V
CB
= 400V ;我
E
= 0
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
V
CC
= 200V ;我
B1
= -I
B2
= 0.5A;
R
L
= 40Ω
0.1
mA
1.0
mA
1.0
μs
t
英镑
贮存时间
2.0
μs
t
f
下降时间
1.0
μs
ISC的网站: www.iscsemi.cn
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 220F封装
.Complement
键入2SB1568
·高直流电流增益。
·达林顿
应用
·对于低频功率放大器
应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2SD2399
Fig.1简化外形( TO- 220F )和符号
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
单脉冲
T
C
=25
P
C
集电极耗散
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
80
80
7
4
6
30
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 50μA ;我
E
=0
I
C
= 1毫安;我
B
=0
I
C
= 2A ;我
B
=4mA
V
CB
=80V;I
E
=0
V
EB
=5V;I
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=3V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
I
E
= -0.2A ; V
CE
=5V;f=10MHz
1000
80
80
2SD2399
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
1.5
0.1
3.0
10000
35
40
V
mA
mA
pF
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2399
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC2139
描述
集电极 - 发射极击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 400V (最小值)
开关速度
应用
切换
调节器和高电压开关应用。
速度的DC-DC转换器的应用程序。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
最大
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
400
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流连续
10
A
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
2
A
P
C
100
W
T
j
150
T
英镑
存储温度范围
-65~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
2SC2139
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
400
V
V
( BR ) CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
500
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
6
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
1.5
V
V
BE
(SAT)
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
2.0
V
h
FE
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
= 5V
10
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 400V ;我
E
= 0
0.1
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
1.0
mA
开关时间
t
r
上升时间
V
CC
= 200V ;我
B1
= -I
B2
= 0.5A;
R
L
= 40Ω
1.0
μs
t
英镑
贮存时间
2.0
μs
t
f
下降时间
1.0
μs
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本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
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该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
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(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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8600
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全新原装15818663367
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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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全新原装现货,原厂代理。
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联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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联系人:销售部1部
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联系人:夏小姐/朱先生
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