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2SD2353
东芝三极管
硅NPN三重DIFFUSED TYPE
2SD2353
功率放大器的应用
单位:mm
高直流电流增益:H
FE
= 800 3200
低集电极饱和电压: V
CE (SAT)
= 0.4V(典型值)。
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
TA = 25°C
TC = 25°C
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
60
7
3
6
0.6
2
25
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
SC-67
2-10R1A
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
重量:2.7克(典型值)。
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使操作条件(即工作温度/电流/电压等)是
内的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
1
2006-11-21
2SD2353
电气特性
( TC = 25 ° C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
h
FE (2)
V
CE (SAT)
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= 60 V,I
E
= 0
V
EB
= 6 V,I
C
= 0
I
C
= 50 mA时,我
B
= 0
V
CE
= 5 V,I
C
= 0.2 A
V
CE
= 5 V,I
C
= 1.5 A
I
C
= 1 A,I
B
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 0.5 A
V
CE
= 5 V,I
C
= 0.5 A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
60
800
350
典型值。
0.4
0.7
18
42
最大
100
100
3200
1.0
1.0
V
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
V
记号
D2353
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2006-11-21
2SD2353
I
C
– V
CE
4
共发射极
TC = 25°C
3.0
共发射极
2.5
5
4
2
3
2
1
VCE = 5 V
I
C
– V
BE
(A)
3
7
(A)
集电极电流I
C
2.0
1.5
1.0
TC = 100℃
0.5
IB = 0.5毫安
25
25
6
8
10
0
0
50
20
10
集电极电流I
C
1
0
0
2
4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
h
FE
– I
C
10000
共发射极
5000
VCE = 5 V
TC = 100℃
25
1000
25
500
300
5000
10000
共发射极
TC = 25°C
h
FE
– I
C
直流电流增益
FE
3000
直流电流增益
FE
3000
10
1000
500
300
VCE = 5 V
100
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
5
100
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
5
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
V
CE (SAT)
– I
C
5
35
25
25
TC = 100℃
P
C
- TA
(W)
( 1 )大=锝
30
(1)
25
20
15
10
5
0
0
无限大的散热器
( 2 )无散热片
3
共发射极
IC / IB = 100
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
集电极耗散功率P
C
(2)
0.01
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
20
40
0.01
80
100
120
140
160
集电极电流I
C
(A)
环境温度Ta (C )
3
2006-11-21
2SD2353
r
th
– t
w
100
曲线应该在热面积有限施加。
(单非重复脉冲)
( 1 )无限散热器
( 2 )无散热片
10
(1)
3
(2)
瞬态热阻
r
th
( ° C / W)
30
1
0.3
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
10
集成电路最大值(脉冲) *
5
3
IC MAX(连续)
100毫秒*
10毫秒*
1毫秒*
(A)
1
0.5
0.3
集电极电流I
C
直流操作
TC = 25°C
0.1
0.05
0.03
*:
单非重复性
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性地增加
温度。
1
3
10
最大VCEO
30
100
0.01
0.3
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
4
2006-11-21
2SD2353
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2006-11-21
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