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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD235
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SB435
应用
·对于低频功率放大器
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
50
40
6
3
1.5
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
W
单位
V
V
V
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 5毫安，我
B
=0
I
C
= 1mA时，我
E
=0
I
E
= 1mA时，我
C
=0
I
C
= 1A ;我
B
=50mA
I
C
= 1A ;我
B
=50mA
V
CB
= 40V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=1V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
40
90
3
民
40
50
6
典型值。
2SD235
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
10
10
240
V
V
A
A
pF
兆赫
h
FE
分类
R
40-80
O
70-140
Y
120-240
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD235
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD235
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SB435
应用
For
低频功率放大器
和切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
50
40
6
3
1.5
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
℃
℃
W
单位
V
V
V
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 5毫安，我
B
=0
I
C
= 1mA时，我
E
=0
I
E
= 1mA时，我
C
=0
I
C
= 1A ;我
B
=50mA
I
C
= 1A ;我
B
=50mA
V
CB
= 40V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=1V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
40
90
3
民
40
50
6
典型值。
2SD235
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
10
10
240
V
V
μA
μA
pF
兆赫
h
FE
分类
R
40-80
O
70-140
Y
120-240
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD235
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
2SD235
NPN外延硅晶体管
低频功率放大器
TO-220
!
补充2SB435
绝对最大额定值（T
A
=25℃)
℃
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散（ TC = 25
℃)
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
TSTG
等级
50
40
5
3
25
150
-50~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
电气特性（T
A
=25℃)
℃
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
V
CE （ SAT ）
f
T
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=
0
V
CE
= 5V ，我
C
=0.5A
I
C
= 3A ，我
B
=0.3A
V
CE
= 2V ，我
C
=0.5A
民
典型值
最大
10
10
240
1.0
18
单位
A
A
40
V
兆赫
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
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联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
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2SC4412
24LC025T-I/ST
2SK2807-01
28C16AFT-25I/L
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