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2SD2342

硅NPN三重扩散

应用

低频功率放大器

概要

TO-3P

1.基地

2.收集

（法兰）

3.辐射源

2SD2342

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

= 25°C.

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（峰值）

TSTG

评级

150

-50至+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

（ BR ） CBO

民

150

—

典型值

—

最大

—

200

—

1.0

1.5

单位

测试条件

= 5毫安，我

= 0

= 50毫安，R

∞

= 5毫安，我

= 0

= 120 V，I

= 0

= 5 V，I

= 1 A

= 5 V，I

= 5 A

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

直流电流传输比

（ BR ） EBO

CBO

FE1

FE2

基地发射极电压

集电极到发射极饱和

电压

注意：

60至120

CE （ SAT ）

—

= 5 V，I

= 1 A

= 5 A，I

= 1 A

1. 2SD2342用h分组

FE1

如下。

100至200

2SD2342

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

(W)

100

150

案例温度T

(°C)

安全工作区

集电极电流I

(A)

1.0

0.5

0.2

0.1

0.5 1.0

最大

（连续）

(T =

50慧慧

25 W，N

)

（ 80 V， 0.2 A）

10 20

50 100

集电极到发射极电压V

(V)

典型的输出特性

集电极电流I

(A)

= 25°C

集电极到发射极电压V

(V)

= 10毫安

90 80 70 60

100

2SD2342

典型的传输特性

集电极电流I

(A)

= 5 V

= 75°C

25°C

–25°C

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

基极至发射极电压V

(V)

直流电流传输比

与集电极电流

1000

直流电流传输比H

500

= 5 V

200

100

0.02 0.05 0.1 0.2

= 75°C

25°C

–25°C

0.5 1

5 10

集电极电流I

(A)

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流

集电极到发射极饱和电压

CE （ SAT ）

（毫伏）

1000

500 I

/ I

= 5

= 25°C

200

100

0.02 0.05 0.1 0.2

0.5 1

5 10

集电极电流I

(A)

2SD2342

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日立的半导体产品的性能。日立公司不承担任何责任，不

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