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首字符2的型号第271页
> 2SD2333
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2333
描述
·采用TO- 3PML包
·高击穿电压
·内置阻尼二极管
应用
·彩色电视水平偏转输出
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
描述
绝对最大额定值( TA = 25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
BM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1500
600
5
5
2.5
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
1
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
二极管的正向电压
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
E
=的200mA,我
C
=0
I
C
= 4A ,我
B
=0.8A
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
F
=5A
8
民
800
5
2SD2333
符号
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
h
FE
V
F
典型值。
最大
单位
V
V
5.0
1.5
10
V
V
A
2.0
V
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2333
图2外形尺寸
3
这种材料版权归其各自的制造商
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2333
描述
·带
TO- 3PML包
高
击穿电压
.Built式
阻尼二极管
应用
●颜色
电视水平偏转输出
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PML )和符号
描述
·
绝对最大额定值(Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
BM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1500
600
5
5
2.5
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
1
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SD2333
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
=0
800
V
V
( BR ) EBO
V
CESAT
发射极 - 基极击穿电压
I
E
=的200mA,我
C
=0
I
C
= 4A ,我
B
=0.8A
5
V
集电极 - 发射极饱和电压
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
=0.8A
1.5
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 500V ;我
E
=0
10
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
8
V
F
二极管的正向电压
I
F
=5A
2.0
V
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2333
图2外形尺寸
3
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2SD2333
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28B24D
2EDL4
22-26-8132
2-284514-2
2SC4643
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