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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第562页 > 2SD2254
功率晶体管
2SB1492
PNP硅外延平面型达林顿
进行功率放大
补充2SD2254
6.0
20.0±0.5
φ
3.3±0.2
5.0±0.3
3.0
单位：mm
26.0±0.5
10.0
s
特点
q
q
q
最佳的60W高保真输出
高盼着电流传输比H
FE
： 5000到30000
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
： < -2.5V
1.5
2.0
4.0
1.5
浸焊
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
20.0±0.5
2.5
2.0±0.3
3.0±0.3
1.0±0.2
(T
C
=25C)
评级
–130
–110
–5
–10
–6
70
3.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
2.7±0.3
0.6±0.2
5.45±0.3
10.9±0.5
1
2
3
A
W
C
C
B
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TOP- 3L包装
内部连接
C
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
E
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2
*
条件
V
CB
= -130V ，我
E
= 0
V
CE
= -110V ，我
B
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
I
C
= -30mA ，我
B
= 0
V
CE
= -5V ，我
C
= –1A
V
CE
= -5V ，我
C
= –5A
I
C
= -5A ，我
B
= -5mA
I
C
= -5A ，我
B
= -5mA
V
CE
= -10V ，我
C
= - 0.5A ， F = 1MHz的
I
C
= -5A ，我
B1
= -5mA ，我
B2
= 5毫安，
V
CC
= –50V
民
典型值
最大
–100
–100
–100
2.0
1.5
3.0
单位
A
A
A
V
–110
2000
5000
30000
–2.5
–3.0
20
0.9
2.5
1.7
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
V
兆赫
s
s
s
FE2
等级分类
Q
P
5000 8000 15000 30000
秩
h
FE2
1
功率晶体管
P
C
- TA
80
2SB1492
I
C
— V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–12
T
C
=25C
–10
I
B
=–5mA
–100
V
CE （ SAT ）
— I
C
I
C
/I
B
=1000
集电极耗散功率P
C
(W)
70
60
50
40
30
20
(2)
10
(3)
0
0
20
40
集电极电流I
C
(A)
(1) T
C
= TA
（2）在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
（ 3 ）不带散热片
(P
C
=3.5W)
(1)
–30
–8
–6
–1mA
= 0.9毫安
- 0.8毫安
- 0.7毫安
- 0.6毫安
- 0.5毫安
= 0.4毫安
= 0.3毫安
–10
T
C
=100C
–3
25C
–25C
–4
–1
–2
= 0.2毫安
= 0.1毫安
– 0.3
0
60
80 100 120 140 160
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
– 0.1
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
100000
V
CE
=–5V
1000
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=1000
正向电流传输比H
FE
30000
–30
T
C
=100C
25C
300
10000
–25C
–10
100
3000
1000
300
100
30
10
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–3
T
C
=–25C
30
–1
100C
25C
10
– 0.3
3
– 0.1
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–3
–10
1
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
t
on
, t
英镑
, t
f
— I
C
100
30
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 ％
I
C
/I
B
=1000
(–I
B1
=I
B2
)
V
CC
=–50V
T
C
=25C
t
英镑
t
f
t
on
安全操作区（ ASO ）
–100
–30
非重复脉冲
T
C
=25C
I
CP
I
C
–3
–1
t=1ms
10ms
DC
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0
–4
–8
集电极电流I
C
(A)
–16
–10
– 0.3
– 0.1
– 0.03
– 0.01
–1
–12
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
功率晶体管
R
日（T ）
— t
1000
注释：R
th
测量在Ta = 25℃，在自然对流。
(1) P
T
=10V
×
0.3A （ 3W ）和不带散热片
(2) P
T
=10V
×
1.0A （ 10W ）中，用一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
100
(1)
2SB1492
热阻R
th
（吨）（ C / W）
10
(2)
1
0.1
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t （S ）
3
功率晶体管
2SD2254
硅NPN三重扩散平面型达林顿
进行功率放大
补充2SB1492
20.0±0.5
φ
3.3±0.2
5.0±0.3
3.0
单位：mm
s
特点
q
q
q
6.0
1.5
1.5
浸焊
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
20.0±0.5
2.5
2.0±0.3
3.0±0.3
1.0±0.2
(T
C
=25C)
评级
130
110
5
10
6
70
3.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
2.7±0.3
0.6±0.2
5.45±0.3
10.9±0.5
1
2
3
A
W
C
C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TOP- 3L包装
内部连接
C
B
E
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
*
h
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2*
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
= 130V ，我
E
= 0
V
CE
= 110V ，我
B
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
I
C
= 30mA时我
B
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 1A
V
CE
= 5V ，我
C
= 5A
I
C
= 5A ，我
B
= 5毫安
I
C
= 5A ，我
B
= 5毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.5A ， F = 1MHz的
I
C
= 5A ，我
B1
= 5毫安，我
B2
= -5mA ，
V
CC
= 50V
20
1.4
4.5
0.8
110
2000
5000
30000
2.5
3.0
V
V
兆赫
s
s
s
民
典型值
最大
100
100
100
单位
A
A
A
V
FE2
等级分类
Q
P
秩
h
FE2
5000 8000 15000 30000
2.0
1.5
最佳的60W高保真输出
高盼着电流传输比H
FE
： 5000到30000
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
：其中2.5V
26.0±0.5
10.0
2.0
4.0
3.0
1
功率晶体管
P
C
- TA
80
2SD2254
I
C
— V
CE
12
T
C
=25C
10
I
B
=5mA
100
V
BE （ SAT ）
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=1000
集电极耗散功率P
C
(W)
70
60
50
40
30
20
10
(1)
集电极电流I
C
(A)
(1) T
C
= TA
（2）在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
（ 3 ）不带散热片
(P
C
=3.5W)
30
8
6
1mA
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
10
3
T
C
=–25C
1
100C
0.3
25C
4
0.4mA
0.3mA
(2)
2
(3)
0
0
20
40
60
80 100 12 140 160
0
0
2
4
6
8
0.2mA
0.1mA
10
12
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/I
B
=1000
100000
h
FE
— I
C
1000
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CE
=5V
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
30000
30
300
10000
10
100
3000 T
C
=100C
1000
300
100
30
10
0.01 0.03
25C
–25C
3
30
1 –25C
T
C
=100C
0.3
25C
10
3
0.1
0.1
1
0.1
0.3
1
3
10
1
3
10
30
100
0.3
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
t
on
, t
英镑
, t
f
— I
C
100
30
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 ％
I
C
/I
B
=1000 (I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=50V
T
C
=25C
t
英镑
3
t
on
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0
4
8
12
16
t
f
安全操作区（ ASO ）
100
30
非重复脉冲
T
C
=25C
I
CP
10ms
I
C
DC
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
集电极电流I
C
(A)
10
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
1
t=1ms
3
10
30
100
300
1000
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
功率晶体管
R
日（T ）
— t
1000
注释：R
th
测量在Ta = 25℃，在自然对流。
(1) P
T
=10V
×
0.3A （ 3W ）和不带散热片
(2) P
T
=10V
×
1.0A （ 10W ）中，用一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
100
(1)
2SD2254
热阻R
th
（吨）（ C / W）
10
(2)
1
0.1
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t （S ）
3
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推荐型号
224MPR630K
2SB1068
2SB1512
249-4501-000
2N651A
2-6437538-5
2SJ608
28C010TRT1FB-20
2N3110
2SC2757
28C64AFT-20VS
2US1T1A1M2RE
20D-2A32N0
2SD1861
22-26-9162
2001-6151-00
2N6221
2SD1510
25LC080A-I/MSG
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