功率晶体管
2SD2178
NPN硅外延平面型
对于低频输出放大
7.5
±0.2
单位：mm
4.5
±0.2
16.0
±1.0
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
5
2
3
1.5
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
2.5
±0.1
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
大的集电极电流I
C
10.8
±0.2
0.65
±0.1
0.85
±0.1
1.0
±0.1
0.8 C
90
■
特点
3.8
±0.2
0.8 C
0.7
±0.1
0.7
±0.1
1.15
±0.2
1.15
±0.2
0.5
±0.1
0.8 C
1
2
3
2.05
±0.2
0.4
±0.1
2.5
±0.2
2.5
±0.2
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
MT- 3 - A 1包
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
正向电流传输比
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE1 *
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
=
20 V，I
E
=
0
V
CE
=
2 V，I
C
=
200毫安
V
CE
=
2 V，I
C
=
1 A
I
C
=
1 ，我
B
=
50毫安
I
C
=
1 ，我
B
=
50毫安
V
CB
=
10 V，I
E
= 50
毫安，女
=
200兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
120
80
0.15
0.9
150
23
35
0.30
1.2
V
V
兆赫
pF
民
50
50
5
0.1
340
典型值
最大
单位
V
V
V
A
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE1
R
120至240
S
170至340
出版日期： 2003年5月
SJD00251BED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
功率晶体管
2SD2178
NPN硅外延平面型
对于低频输出放大
7.5
±0.2
单位：mm
4.5
±0.2
16.0
±1.0
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
5
2
3
1.5
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
2.5
±0.1
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
大的集电极电流I
C
10.8
±0.2
0.65
±0.1
0.85
±0.1
1.0
±0.1
0.8 C
90
■
特点
3.8
±0.2
0.8 C
0.7
±0.1
0.7
±0.1
1.15
±0.2
1.15
±0.2
0.5
±0.1
0.8 C
1
2
3
2.05
±0.2
0.4
±0.1
2.5
±0.2
2.5
±0.2
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
MT- 3 - A 1包
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
正向电流传输比
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE1 *
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
=
20 V，I
E
=
0
V
CE
=
2 V，I
C
=
200毫安
V
CE
=
2 V，I
C
=
1 A
I
C
=
1 ，我
B
=
50毫安
I
C
=
1 ，我
B
=
50毫安
V
CB
=
10 V，I
E
= 50
毫安，女
=
200兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
120
80
0.15
0.9
150
23
35
0.30
1.2
V
V
兆赫
pF
民
50
50
5
0.1
340
典型值
最大
单位
V
V
V
A
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE1
R
120至240
S
170至340
出版日期： 2003年5月
SJD00251BED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
QQ：2881677436 复制
