添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第505页 > 2SD2131_06
2SD2131
东芝三极管
硅NPN三重扩散型(达林顿)
2SD2131
高功率开关应用
锤驱动器,脉冲电机驱动应用
单位:mm
高直流电流增益:H
FE
= 2000 (分钟) (V
CE
= 3 V,I
C
= 3 A)
低饱和电压: V
CE (SAT)
= 1.5伏(最大) (我
C
= 3 A)
齐纳二极管包括集电极和基极之间。
非钳位电感负载的能量: E = 150兆焦耳(分钟)
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
TA = 25°C
TC = 25°C
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
60 ± 10
60 ± 10
7
5
8
0.5
2.0
30
150
55
150
单位
V
V
V
A
JEDEC
A
W
°C
°C
SC-67
2-10R1A
JEITA
东芝
重量:2.7克(典型值)。
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
等效电路
集热器
BASE
5 k
150
辐射源
1
2006-11-21
2SD2131
电气特性
( TC = 25 ° C)
特征
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
h
FE (2)
V
CE (饱和)(1)
V
CE (饱和)(2)
V
BE (SAT)
E
S / B
t
on
测试条件
V
CB
= 45 V,I
E
= 0
V
CE
= 45 V,I
B
= 0
V
EB
= 6 V,I
C
= 0
I
C
= 1毫安,我
E
= 0
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
V
CE
= 3 V,I
C
= 3 A
V
CE
= 3 V,I
C
= 5 A
I
C
= 3 A,I
B
= 6毫安
I
C
= 5 A,I
B
= 20毫安
I
C
= 3 A,I
B
= 6毫安
(注1 )
50
50
2000
1000
150
典型值。
60
60
1.1
1.3
1.7
最大
10
10
2.5
70
70
15000
1.5
2.5
2.5
V
V
mJ
单位
μA
μA
mA
V
V
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
非钳位电感负载能量
开启时间
产量
20
μs
I
B1
输入
I
B2
I
B1
I
B2
10
1.0
开关时间
贮存时间
t
英镑
4.0
μs
V
CC
= 30 V
下降时间
t
f
I
B1
=
I
B2
= 6毫安,占空比
1%
2.5
注1:测量电路松开感性负载的能量
V
CC
L = 10毫亨
I
B1
= 0.1 A
0
P
W
T.U.T
I
B1
I
B2
I
B2
=
0.1
A
I
CP
钳(C -B齐纳)
V
CE
I
C
0
注2: (1 )脉冲宽度调整为所需的余
CP
(I
CP
= 5.47一分钟)
( 2 ) E = 1/2 L I
CP
2
记号
D2131
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
2
2006-11-21
2SD2131
I
C
– V
CE
8
8
5
3
2
1.5
6
1
0.7
4
0.5
常见
辐射源
TC = 25°C
I
C
– V
BE
(A)
(A)
6
集电极电流I
C
集电极电流I
C
4
2
IB = 0.3毫安
2
TC = 100℃
25
55
共发射极
0
0
0
2
4
6
8
10
0
0
0.8
1.6
2.4
VCE = 3V
3.2
4.0
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
h
FE
– I
C
30000
共发射极
VCE = 3V
10000
2.4
V
CE
– I
B
V
CE
(V)
2.0
IC = 8的
直流电流增益
FE
5000
3000
TC = 100℃
25
55
1000
500
1.6
5
集电极 - 发射极电压
1.2
1
0.8
0.1
3
0.4
共发射极
0
0.1
TC = 25°C
0.3 0.5
1
3
5
10
30 50 100
300
200
0.05
0.1
0.3 0.5
1
3
5
10
20
集电极电流I
C
(A)
基极电流I
B
(MA )
V
CE (SAT)
– I
C
10
10
IC / IB = 250
V
BE (SAT)
– I
C
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
共发射极
共发射极
5
3
TC =
55°C
25
100
IC / IB = 250
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
5
3
1
25
0.5
0.3
0.1
TC =
55°C
1
100
0.5
0.3
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
0.3
0.5
1
3
5
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
3
2006-11-21
2SD2131
R
th
– t
w
100
瞬态热阻R
th
( ° C / W)
( 1 )无散热片的Ta = 25°C
30 ( 2 )无限散热器锝= 25°C
(1)
10
(2)
3
1
0.3
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
20
35
P
C
- TA
(W)
( 1 )锝= TA
30
(1)
25
20
15
10
5
(2)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
无限大的散热器
( 2 )无散热片
5
IC MAX(连续)
10毫秒*
1毫秒*
集电极电流I
C
3
直流操作
TC = 25°C
1
0.5
*:
单非重复性
0.3
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性地增加
温度。
3
5
10
集电极耗散功率P
C
10我最大(脉冲) *
C
(A)
环境温度Ta (C )
最大VCEO
30
50
100
0.1
1
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
4
2006-11-21
2SD2131
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2006-11-21
查看更多2SD2131_06PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SD2131_06
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

查询更多2SD2131_06供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!