【2SD2124(L)/(S)NPN硅外延ADE - 208-927 （ Z）1日。版2000年9月应】,IC型号2SD2124(L)/(S),2SD2124(L)/(S) PDF资料,2SD2124(L)/(S)经销商,ic,电子元器件-51电子网

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2SD2124(L)/(S)

NPN硅外延

ADE - 208-927 （ Z）

1日。版

2000年9月

应用

低频功率放大器

概要

DPAK

4

4

1

2

3

12

1.基地

2.收集

3.辐射源

4.收集

2, 4

1

I

D

6 k

（典型值）

0.5 k

（典型值）

3

S型

3

L型

2SD2124(L)/(S)

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

C至ê二极管的正向电流

注意：

1.价值在T

C

= 25°C.

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

C（峰值）

P

C

*

1

Tj

TSTG

I

D

*

1

评级

120

120

7

1.5

3.0

18

150

-55到+150

1.5

单位

V

V

V

A

A

W

°C

°C

A

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

V

（ BR ） CBO

民

120

120

7

—

—

2000

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

0.5

2.0

最大

—

—

—

10

10

30000

1.5

2.0

2.0

2.5

3.0

—

—

V

s

s

V

V

单位

V

V

V

A

测试条件

I

C

= 0.1毫安，我

E

= 0

I

C

= 10毫安，R

BE

=

∞

I

E

= 50 mA时，我

C

= 0

V

CB

= 100 V，I

E

= 0

V

CE

= 100 V ，R

BE

=

∞

V

CE

= 3 V，I

C

= 1 A*

1

I

C

= 1 A，I

B

= 1毫安*

1

I

C

= 1.5 A，I

B

= 1.5毫安*

1

I

C

= 1 A，I

B

= 1毫安*

1

I

C

= 1.5 A，I

B

= 1.5毫安*

1

I

D

= 1.5 A*

1

I

C

= 1 A，I

B1

= –I

B2

= 1毫安

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

首席执行官

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

C至ê二极管的正向电压

启动时间

关闭时间

注意：

1.脉冲测试。

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

D

t

on

t

关闭

2

2SD2124(L)/(S)

最大集电极耗散曲线

30

集电极耗散功率P

C

(W)

10

3.0

1.0

0.3

0.1

Ii

C（最大值）

C（峰值）

I

C（最大值）

安全工作区

集电极电流I

C

(A)

0

10

20

s

s

s

1m

0m

=1

n

TIO

PW

ERA

)

Op

5

°

C

DC

= 2

(T

C

10

0

50

100

案例温度T

C

(°C)

150

0.03 TA = 25℃

1次脉冲

0.01

3

10

30

100

300

集电极到发射极电压V

CE

(V)

典型的输出特性

2.0

直流电流传输比H

FE

30,000

直流电流传输比

与集电极电流

集电极电流I

C

(A)

1.6

200

180

160

140

120

A

10,000

1.2

3,000

0.8

1,000

V

CE

= 3 V

TA = 25°C

300

0.03

1.0

0.1

0.3

集电极电流I

C

(A)

3.0

0.4

I

B

= 0

0

T

C

= 25°C

4

6

8

10

2

集电极到发射极电压V

CE

(V)

3

2SD2124(L)/(S)

饱和电压

与集电极电流

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

10

3

V

BE （ SAT ）

1.0

V

CE （ SAT ）

0.3

I

C

= 500 I

B

TA = 25°C

0.1

0.03

0.1

1.0

0.3

集电极电流I

C

(A)

3.0

4

2SD2124(L)/(S)

包装尺寸

单位：mm

6.5

±

0.5

5.4

±

0.5

1.7

±

0.5

2.3

±

0.2

0.55

±

0.1

5.5

±

0.5

1.2

±

0.3

3.1

±

0.5

1.15

±

0.1

0.8

±

0.1

16.2

±

0.5

2.29

±

0.5

2.29

±

0.5

0.55

±

0.1

日立代码

JEDEC

EIAJ

质谱（参考值）

DPAK （L） - （1）

—

符合

0.42 g

单位：mm

1.7

±

0.5

6.5

±

0.5

5.4

±

0.5

2.3

±

0.2

0.55

±

0.1

(4.9)

5.5

±

0.5

1.2 MAX

0 – 0.25

1.15

±

0.1

2.5

±

0.5

0.8

±

0.1

2.29

±

0.5

2.29

±

0.5

0.55

±

0.1

日立代码

JEDEC

EIAJ

质谱（参考值）

(5.3)

DPAK （S） - （1）

—

符合

0.28 g

5

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