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INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN达林顿功率晶体管

2SD2104

描述

-collector极 - 发射极

击穿电压 -

: V

（ BR ） CEO

= 120V （最小值）

-collector极 - 发射极

饱和电压 -

: V

CE （ SAT ）

= 1.5V （最大） @I

C

= 4A

高

直流电流增益

: h

FE

= 1000 （最小值） @我

C

= 4A ，V

CE

= 3V

应用

·设计

低频功率放大器的应用

绝对最大额定值（T

a

=25

℃)

符号

参数

价值

单位

V

CBO

集电极 - 基极电压

120

V

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

120

V

V

EBO

发射极 - 基极电压

7

V

I

C

I

CM

集电极电流连续

8

A

集电极电流峰值

集电极耗散功率

@ T

C

=25℃

12

A

25

W

P

C

集电极耗散功率

@ T

a

=25℃

T

J

结温

2

150

℃

℃

T

英镑

存储温度范围

-55~150

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN达林顿功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

2SD2104

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 25毫安;

BE

=

∞

120

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 0.1毫安;我

E

= 0

120

V

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 50毫安;我

C

= 0

7

V

V

CE（

SAT

)-1

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 4A ;我

B

= 8毫安

B

1.5

V

V

CE（

SAT

)-2

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 8A ;我

B

= 80毫安

B

3.0

V

V

BE （

SAT

)-1

基射极饱和电压

I

C

= 4A ;我

B

= 8毫安

B

2.0

V

V

BE （

SAT

)-2

I

CBO

基射极饱和电压

I

C

= 8A ;我

B

= 80毫安

B

3.5

V

μA

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 100V ;我

E

= 0

V

CE

= 100V ;

BE

=

∞

10

I

首席执行官

收藏家Cuto FF电流

10

μA

h

FE

直流电流增益

I

C

= 4A ; V

CE

= 3V

1000

20000

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2

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN达林顿功率晶体管

2SD2104

描述

-collector极 - 发射极

击穿电压 -

: V

（ BR ） CEO

= 120V （最小值）

-collector极 - 发射极

饱和电压 -

: V

CE （ SAT ）

= 1.5V （最大） @I

C

= 4A

高

直流电流增益

: h

FE

= 1000 （最小值） @我

C

= 4A ，V

CE

= 3V

应用

·设计

低频功率放大器的应用

绝对最大额定值（T

a

=25

℃)

符号

参数

V

CBO

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

V

EBO

发射极 - 基极电压

w

.CN

i

em

cs

。是

w

w

价值

单位

120

V

120

V

7

V

8

A

12

A

25

W

2

℃

℃

I

C

I

CM

集电极电流连续

集电极电流峰值

集电极耗散功率

@ T

C

=25℃

P

C

集电极耗散功率

@ T

a

=25℃

T

J

结温

150

T

英镑

存储温度范围

-55~150

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产品speci fi cation

ISC

硅NPN达林顿功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

2SD2104

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 25毫安;

BE

=

∞

120

V

V

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 0.1毫安;我

E

= 0

120

V

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 50毫安;我

C

= 0

7

V

V

CE（

SAT

)-1

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 4A ;我

B

= 8毫安

B

1.5

V

V

CE（

SAT

)-2

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 8A ;我

B

= 80毫安

B

3.0

V

V

BE （

SAT

)-1

基射极饱和电压

V

BE （

SAT

)-2

I

CBO

基射极饱和电压

收藏家Cuto FF电流

I

首席执行官

收藏家Cuto FF电流

h

FE

直流电流增益

w

.CN

i

em

cs

。是

w

w

I

C

= 4A ;我

B

= 8毫安

B

2.0

V

I

C

= 8A ;我

B

= 80毫安

B

3.5

V

μA

V

CB

= 100V ;我

E

= 0

10

V

CE

= 100V ;

BE

=

∞

10

μA

I

C

= 4A ; V

CE

= 3V

1000

20000

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2

2SD2104

硅NPN三重扩散

应用

低频功率放大器

概要

TO-220FM

2

1

1.基地

2.收集

3.辐射源

2 k

（典型值）

12

3

200

（典型值）

3

2SD2104

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

C（峰值）

P

C

P

C

*

1

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

C

= 25°C.

Tj

TSTG

等级

120

120

7

8

12

2

25

150

-55到+150

°C

°C

单位

V

V

V

A

A

W

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

V

（ BR ） CBO

民

120

120

7

—

—

1000

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

最大

—

—

—

10

10

20000

1.5

3.0

2.0

3.5

V

V

单位

V

V

V

A

测试条件

I

C

= 0.1毫安，我

E

= 0

I

C

= 25毫安，R

BE

=

∞

I

E

= 50 mA时，我

C

= 0

V

CB

= 100 V，I

E

= 0

V

CE

= 100 V ，R

BE

=

∞

V

CE

= 3 V，I

C

= 4 A*

1

I

C

= 4 A，I

B

= 8毫安*

1

I

C

= 8 A，I

B

= 80毫安*

1

I

C

= 4 A，I

B

= 8毫安*

1

I

C

= 8 A，I

B

= 80毫安*

1

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

首席执行官

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

注意：

1.脉冲测试。

h

FE

V

CE(sat)1

V

CE(sat)2

V

BE(sat)1

V

BE(sat)2

2

2SD2104

最大集电极耗散曲线

30

集电极耗散功率P

C

(W)

20

10

集电极电流I

C

(A)

5

2

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0

50

100

案例温度T

C

(°C)

150

1

3

10

30

100

300

集电极到发射极电压V

CE

(V)

TA = 25°C

1次脉冲

I

C（最大值）

20

i

C（峰值）

安全工作区

1

s

0

10

PW

=1

Op

er

at

离子

DC

s

s

1m

=

0m

s

(T

C

10

典型的输出特性

10

T

C

= 25°C

10,000

P

C

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

)

°

C

25

集电极电流I

C

(A)

8

0

2.

1.8

直流电流传输比H

FE

=

25

W

1..6

14

6

1.2

1.0

0.8

3,000

0.6 m

4

A

°

C

=

°

C

T

C

25

°

C

5

–2

75

1,000

V

CE

= 3 V

300

2

I

B

= 0

0

1

2

3

4

5

集电极到发射极电压V

CE

(V)

100

0.1

3

1.0

0.3

集电极电流I

C

(A)

10

3

2SD2104

饱和电压与

集电极电流

10

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

3

V

BE （ SAT ）

1.0

V

CE （ SAT ）

0.3

I

C

/I

B

= 200

500

200

0.1

0.1

0.3

3

1.0

集电极电流I

C

(A)

10

瞬态热阻

10

热阻

θ

J-

（ ° C / W）

3

T

C

= 25°C

1.0

0.3

0.1

1m

10 m

100 m

1.0

时间t （S ）

10

100

1000

4

10.0

±

0.3

7.0

±

0.3

φ

3.2

±

0.2

2.8

±

0.2

2.5

±

0.2

单位：mm

0.6

5.0

±

0.3

2.0

±

0.3

1.2

±

0.2

1.4

±

0.2

12.0

±

0.3

4.45

±

0.3

2.5

14.0

±

1.0

0.5

±

0.1

日立代码

JEDEC

EIAJ

重量（参考值）

TO-220FM

—

符合

1.8 g

0.7

±

0.1

2.54

±

0.5

2.54

±

0.5

17.0

±

0.3

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终端采购配单精选

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TO-220

一级代理专营，原装现货，价格优势

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32000

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联系人：林

地址：深圳市福田区东方时代A2705

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