2SD2098
公司Bauelemente
符合RoHS产品
NPN硅
外延平面晶体管
SOT-89
描述
该2SD2098是一个外延平面
型硅NPN晶体管。
特点
*优异的直流电流增益特性
*低饱和电压，通常V
CE （ SAT ）
=0.25V
在我
C
/I
B
=4A/0.1A
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 Q TYP 。
0.70 REF 。
在T绝对最大额定值
A
=25 C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲） *
1
总功耗
结温和存储温度
参数
价值
50
20
6
5
10
0.5 (2.0*
)
-55~+150
2
o
单位
V
V
V
A
A
W
O
I
C
I
CP
P
D
T
J,
T
英镑
C
* 1 ：单脉冲， PW = 10毫秒
* 2：当安装在一个40 * 40 * 0.7毫米陶瓷板
电气特性环境温度Tamb = 25
C
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
集电极饱和电压
直流电流增益
o
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE
（SAT）
民
50
20
6
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.25
-
最大
-
-
-
0.5
0.5
1
单位
V
V
V
uA
uA
V
测试条件
I
C
=50A,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=50A,I
C
=0
V
CB
=40V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
I
C
=4A,I
B
=0.1A
V
CE
= 2 V，I
C
=0.5 A
V
CE
= 6 V，I
C
=50mA,f=100MHz
V
CB
= 20V ， F = 1MHz时，我
E
=0
*h
FE
120
390
-
增益带宽积
fT
-
150
-
输出电容
-
C
ob
30
*脉冲条件下测得的。脉冲宽度
≦
300
S，占空比
≦
2%
MH
pF
分类的hFE的
秩
范围
Q
120~270
R
180~390
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页
3
晶体管
低V
CE （ SAT ）
晶体管
（频闪闪光灯）
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166
FFeatures
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
= 0.25V （典型值）。
(I
C
/ I
B
= 4A / 0.1A)
2 ）出色的直流电流增益字符
开创性意义。
3 ）补充了
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 /
2SB1436.
FStructure
外延平面型
NPN硅晶体管
FExternal
尺寸（单位：毫米）
(96-229-D204)
252
晶体管
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
FPackaging
规格和h
FE
253
晶体管
h
FE
值被分类如下：
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166
FElectrical
特性曲线
254
晶体管
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166
255
2SD2098
特点
优良的直流电流增益特性
补充2SB1386
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
50
20
6
5
500
150
-55-150
单位
V
V
V
A
mW
℃
℃
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源
1
2
3
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
分类
秩
范围
记号
h
FE
Q
120-270
AHQ
R
180-390
AHR
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
TEST
条件
民
50
20
6
0.5
0.5
120
390
1
150
30
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=50μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=50μA, =0
V
CB
=40V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=2V,I
C
=0.5A
I
C
=4A,I
B
=100mA
V
CE
=6V,I
C
=50mA,f=100MHz
V
CB
=20V,I
E
=0,f=1MHz
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097
晶体管
低V
CE （ SAT ）
晶体管（频闪闪光灯）
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097
特点
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
= 0.25V （典型值）。
(I
C
/I
B
= 4A / 0.1A)
2 ）出色的直流电流增益特性。
3 ）补充了2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 。
外形尺寸
（单位：毫米）
2SD2098
0.5±0.1
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
1.5
+0.2
0.1
2.5
+0.2
0.1
4.0±0.3
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
1.0±0.2
0.4
+0.1
0.05
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
缩写符号： * DJ
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SD2118
1.5±0.3
6.5
±
0.2
5.1
+0.2
0.1
C0.5
2.3
+
0.2
0.1
0.5
±
0.1
5.5
+
0.3
0.1
0.75
0.9
0.65
±
0.1
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2 2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
(1) (2) (3)
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SD2097
6.8±0.2
2.5±0.2
0.65Max.
1.0
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
ROHM ： ATV
14.5±0.5
4.4±0.2
0.9
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
FE
Rev.A的
2.5
9.5
±
0.5
0.9
1.5
1/4
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
2SD2098
集电极电源
耗散
P
C
范围
50
20
6
5
10
0.5
2
2SD2118
2SD2097
结温
储存温度
Tj
TSTG
1
10
1
150
55
to
+150
W(Tc=25°C)
W
°C
°C
3
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
1
W
2
1
单脉冲Pw = 10ms的
2
当安装在一个40×40 ×0.7mm厚的陶瓷板。
3
印刷电路板玻璃环氧树脂板，1.6毫米厚的铜镀层百毫米
2
或更大。
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
利用脉冲电流测量。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
50
20
6
120
典型值。
0.3
150
35
马克斯。
0.5
0.5
1.0
390
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=40V
V
EB
=5V
条件
I
C
/I
B
=4A/0.1A
V
CE
=2V,
I
C
=0.5A
V
CE
=6V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CE
=20V,
I
E
=0A,
f=1MHz
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SD2098
2SD2118
2SD2097
h
FE
QR
QR
QR
TAPING
T100
1000
TL
2500
TV2
2500
基本订购单位（件）
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
Rev.A的
2/4
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097
晶体管
电气特性曲线
集电极电流：我
C
(A)
10
5
V
CE
=2V
Ta=100°C
25°C
25°C
5
50mA
45mA
集电极电流：我
C
(A)
直流电流增益：H
FE
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
5m
2m
1m
0
4
Ta=25°C
30mA
25mA
20mA
15mA
40mA
35mA
10mA
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
Ta=25°C
V
CE
=5V
3
2V
1V
2
5mA
1
I
B
=0mA
1.6
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
0.4
0.8
1.2
5
1m 2m 5m 0.010.02 0.050.1 0.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5 10
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与
集电极电流（
Ι
)
5000
2000
直流电流增益：H
FE
V
CE
=1V
5000
2000
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=2V
2
1
0.5
Ta=25°C
直流电流增益：H
FE
1000
500
200
100
50
20
10
Ta=100°C
25°C
25°C
1000
500
200
100
50
20
10
Ta=100°C
25°C
25°C
0.2
0.1
0.05
0.02
I
C
/I
B
=50
40
30
10
5
1m 2m 5m 0.010.02 0.05 0.10.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5 10
5
1m 2m 5m0.010.02 0.050.10.2 0.5 1 2
5 10
0.01
2m 5m0.010.02 0.05
0.1
0.2 0.5 1
2
5 10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流（
ΙΙ
)
图5直流电流增益与
集电极电流（
ΙΙΙ
)
图6集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流（
Ι
)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
2
1
0.5
l
C
/l
B
=10
l
C
/l
B
=30
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
2
1
0.5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
l
C
/l
B
=40
0.2
0.1
0.05
Ta=100°C
25°C
25°C
0.2
0.1
0.05
0.02
Ta=100°C
25°C
25°C
Ta=100°C
25°C
25°C
0.02
0.01
2m 5m 0.010.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5 10
0.01
2m 5m0.010.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5 10
0.01
2m 5m0.010.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
图7集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流（
ΙΙ
)
图8集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流（
ΙΙΙ
)
图9集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流（IV）的
Rev.A的
3/4
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097
晶体管
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
2
1
0.5
跃迁频率：F
T
（兆赫）
l
C
/l
B
=50
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
Ta=25°C
V
CE
=6V
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
发射极输入电容
： CIB （PF ）
1000
500
Ta=25°C
f=1MHz
I
C
=0A
I
E
=0A
兴业银行
0.2
0.1
0.05
0.02
Ta=100°C
25°C
25°C
200
100
50
COB
20
10
0.1 0.2
0.01
2m 5m 0.010.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
1
1m 2m 5m10m20m 50m0.1 0.2 0.5 1
发射极电流：我
E
(A)
0.5
1
2
5
10
20
50
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
图10集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流（V）的
图11增益带宽积主场迎战
发射极电流
图12集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
50
集电极电流：我
C
(A)
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
Pw
=
1
0
集电极电流：我
C
(A)
IC MAX（脉冲）
Pw
Ta=25(°C)
单脉冲
推荐地
图案
50
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
IC MAX（脉冲）
IC MAX（脉冲）
TA = 25 （ ° C）
单脉冲
0m
s
00
=
1
s
Pw
m
=
1
s
Pw
10m
=
s
0m
ms
=
1
00
Pw
=
1
Pw
s
D
C
0.2 0.5 1 2
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图13安全工作区
(2SD2098)
DC
5 10 20 50 100 200 500
0.2 0.5 1
2
5 10 20 50 100 200 500
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图14安全工作区
(2SD2118)
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097
晶体管
低V
CE （ SAT ）
晶体管（频闪闪光灯）
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097
特点
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
= 0.25V （典型值）。
(I
C
/I
B
= 4A / 0.1A)
2 ）出色的直流电流增益特性。
3 ）补充了2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 。
外形尺寸
（单位：毫米）
2SD2098
0.5±0.1
4.5
+0.2
0.1
1.6±0.1
1.5
+0.2
0.1
2.5
+0.2
0.1
4.0±0.3
(1)
(2)
(3)
0.4±0.1
1.5±0.1
1.0±0.2
0.4
+0.1
0.05
0.4±0.1
1.5±0.1
0.5±0.1
3.0±0.2
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
缩写符号： * DJ
ROHM ： MPT3
EIAJ ：SC- 62
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SD2118
1.5±0.3
6.5
±
0.2
5.1
+0.2
0.1
C0.5
2.3
+
0.2
0.1
0.5
±
0.1
5.5
+
0.3
0.1
0.75
0.9
0.65
±
0.1
0.55
±
0.1
2.3
±
0.2 2.3
±
0.2
1.0
±
0.2
(1) (2) (3)
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
2SD2097
6.8±0.2
2.5±0.2
0.65Max.
1.0
0.5±0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
0.45±0.1
ROHM ： ATV
14.5±0.5
4.4±0.2
0.9
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
指H
FE
Rev.A的
2.5
9.5
±
0.5
0.9
1.5
1/4
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
2SD2098
集电极电源
耗散
P
C
范围
50
20
6
5
10
0.5
2
2SD2118
2SD2097
结温
储存温度
Tj
TSTG
1
10
1
150
55
to
+150
W(Tc=25°C)
W
°C
°C
3
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
1
W
2
1
单脉冲Pw = 10ms的
2
当安装在一个40×40 ×0.7mm厚的陶瓷板。
3
印刷电路板玻璃环氧树脂板，1.6毫米厚的铜镀层百毫米
2
或更大。
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
利用脉冲电流测量。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
50
20
6
120
典型值。
0.3
150
35
马克斯。
0.5
0.5
1.0
390
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=40V
V
EB
=5V
条件
I
C
/I
B
=4A/0.1A
V
CE
=2V,
I
C
=0.5A
V
CE
=6V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CE
=20V,
I
E
=0A,
f=1MHz
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SD2098
2SD2118
2SD2097
h
FE
QR
QR
QR
TAPING
T100
1000
TL
2500
TV2
2500
基本订购单位（件）
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
Rev.A的
2/4
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097
晶体管
电气特性曲线
集电极电流：我
C
(A)
10
5
V
CE
=2V
Ta=100°C
25°C
25°C
5
50mA
45mA
集电极电流：我
C
(A)
直流电流增益：H
FE
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
5m
2m
1m
0
4
Ta=25°C
30mA
25mA
20mA
15mA
40mA
35mA
10mA
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
Ta=25°C
V
CE
=5V
3
2V
1V
2
5mA
1
I
B
=0mA
1.6
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
0.4
0.8
1.2
5
1m 2m 5m 0.010.02 0.050.1 0.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5 10
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与
集电极电流（
Ι
)
5000
2000
直流电流增益：H
FE
V
CE
=1V
5000
2000
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=2V
2
1
0.5
Ta=25°C
直流电流增益：H
FE
1000
500
200
100
50
20
10
Ta=100°C
25°C
25°C
1000
500
200
100
50
20
10
Ta=100°C
25°C
25°C
0.2
0.1
0.05
0.02
I
C
/I
B
=50
40
30
10
5
1m 2m 5m 0.010.02 0.05 0.10.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5 10
5
1m 2m 5m0.010.02 0.050.10.2 0.5 1 2
5 10
0.01
2m 5m0.010.02 0.05
0.1
0.2 0.5 1
2
5 10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流（
ΙΙ
)
图5直流电流增益与
集电极电流（
ΙΙΙ
)
图6集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流（
Ι
)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
2
1
0.5
l
C
/l
B
=10
l
C
/l
B
=30
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
2
1
0.5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
l
C
/l
B
=40
0.2
0.1
0.05
Ta=100°C
25°C
25°C
0.2
0.1
0.05
0.02
Ta=100°C
25°C
25°C
Ta=100°C
25°C
25°C
0.02
0.01
2m 5m 0.010.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5 10
0.01
2m 5m0.010.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5 10
0.01
2m 5m0.010.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
图7集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流（
ΙΙ
)
图8集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流（
ΙΙΙ
)
图9集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流（IV）的
Rev.A的
3/4
2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097
晶体管
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
2
1
0.5
跃迁频率：F
T
（兆赫）
l
C
/l
B
=50
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
Ta=25°C
V
CE
=6V
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
发射极输入电容
： CIB （PF ）
1000
500
Ta=25°C
f=1MHz
I
C
=0A
I
E
=0A
兴业银行
0.2
0.1
0.05
0.02
Ta=100°C
25°C
25°C
200
100
50
COB
20
10
0.1 0.2
0.01
2m 5m 0.010.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5
10
1
1m 2m 5m10m20m 50m0.1 0.2 0.5 1
发射极电流：我
E
(A)
0.5
1
2
5
10
20
50
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
图10集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流（V）的
图11增益带宽积主场迎战
发射极电流
图12集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
50
集电极电流：我
C
(A)
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
Pw
=
1
0
集电极电流：我
C
(A)
IC MAX（脉冲）
Pw
Ta=25(°C)
单脉冲
推荐地
图案
50
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
IC MAX（脉冲）
IC MAX（脉冲）
TA = 25 （ ° C）
单脉冲
0m
s
00
=
1
s
Pw
m
=
1
s
Pw
10m
=
s
0m
ms
=
1
00
Pw
=
1
Pw
s
D
C
0.2 0.5 1 2
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图13安全工作区
(2SD2098)
DC
5 10 20 50 100 200 500
0.2 0.5 1
2
5 10 20 50 100 200 500
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图14安全工作区
(2SD2118)
Rev.A的
4/4
附录
笔记
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并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
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在使用这样的装置的。
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（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
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关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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