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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2095
描述
·带
TO-3P （H） IS包
.Built式
阻尼二极管
高
电压，高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
彩色电视机行输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
5
2.5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SD2095
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
=的200mA，我
C
=0
5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3.5A ;我
B
=0.8A
3.0
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 3.5A ;我
B
=0.8A
1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 500V ;我
E
=0
10
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
8
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
3
兆赫
C
OB
集电极输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
105
pF
V
F
二极管的正向电压
I
F
=5A
1.6
2.0
V
t
f
下降时间
I
CP
= 3.5A ;我
B1
（结束）
=0.8A
0.5
1.0
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2095
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2095
描述
·采用TO- 3P （H ） IS包
.Built式
阻尼二极管
高
电压，高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
·对于彩电行输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
5
2.5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2SD2095
符号
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
h
FE
f
T
C
OB
发射极 - 基极击穿电压
I
E
=的200mA，我
C
=0
I
C
= 3.5A ;我
B
=0.8A
I
C
= 3.5A ;我
B
=0.8A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
F
=5A
5
V
集电极 - 发射极饱和电压
3.0
5.0
V
基射极饱和电压
1.5
V
集电极截止电流
10
A
直流电流增益
8
跃迁频率
3
兆赫
集电极输出电容
105
pF
V
F
t
f
二极管的正向电压
1.6
2.0
V
下降时间
I
CP
= 3.5A ;我
B1
（结束）
=0.8A
0.5
1.0
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2095
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2SD2095
描述
·带
TO-3P （H） IS包
.Built式
阻尼二极管
高
电压，高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
彩色电视机行输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
在Tc = 25绝对最大额定值
℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
5
2.5
50
150
-55~150
V
A
A
W
℃
℃
单位
V
i
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
h
FE
f
T
C
OB
V
F
t
f
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
发射极基极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
二极管的正向电压
下降时间
条件
I
E
=的200mA，我
C
=0
I
C
= 3.5A ;我
B
=0.8A
I
C
= 3.5A ;我
B
=0.8A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
F
=5A
I
CP
= 3.5A ;我
B1
（结束）
=0.8A
8
3
105
1.6
0.5
民
5
3.0
典型值。
2SD2095
最大
单位
V
5.0
1.5
10
V
V
μA
兆赫
pF
2.0
1.0
V
μs
2
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硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2095
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
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284519-3
23J1R0E
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