【晶体管2SD2071NPN硅外延平面型对于低频功率放大和驱动放大补充2SB13776.9±0.11.】,IC型号2SD2071,2SD2071 PDF资料,2SD2071经销商,ic,电子元器件-51电子网

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晶体管

2SD2071

NPN硅外延平面型

对于低频功率放大和驱动放大

补充2SB1377

6.9±0.1

1.05 2.5±0.1

±0.05

单位：mm

(1.45)

0.8

0.15

0.7

4.0

q

q

q

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

*

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C*

T

j

T

英镑

50

50

7

1

500

1

150

–55 ~ +150

V

V

V

A

mA

W

C

C

1.2±0.1

0.65

马克斯。

0.45

+0.1

– 0.05

注意：除了

所示引线型

上图所示，

在如图所示键入

下图是

也可提供。

1 ：发射器

2 ：收藏家

3 ：基本

MT2类型封装

印刷电路板：为1cm铜箔区

2

以上，板

厚度1.7毫米的集电极部

2.5±0.1

参数

符号

评级

单位

1

2

3

0.45

–0.05

+0.1

s

绝对最大额定值

0.45

–0.05

+0.1

(Ta=25C)

2.5±0.5

2.5±0.5

（ HW型）

s

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

(Ta=25C)

符号

I

CBO

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

h

FE1*1

h

FE2

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

f

T

C

ob

条件

V

CB

= 20V ，我

E

= 0

I

C

= 10μA ，我

E

= 0

I

C

= 10毫安，我

B

= 0

I

E

= 10μA ，我

C

= 0

V

CE

= 10V ，我

C

= 150毫安

*2

V

CE

= 10V ，我

C

= 500毫安

*2

I

C

= 300毫安，我

B

= 30毫安

I

C

= 300毫安，我

B

= 30毫安

V

CB

= 10V ，我

E

= -50mA

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

50

50

7

85

40

160

90

0.35

1.1

200

6

*2

民

典型值

最大

0.1

14.5±0.5

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

.

与一对互补与获得1W的输出

2SB1377.

让供应与径向录音。

0.65最大。

1.0 1.0

0.2

0.5

4.5±0.1

s

特点

单位

A

V

V

V

340

0.6

1.5

V

V

兆赫

15

pF

脉冲测量

*1

h

FE

等级分类

Q

85 ~ 170

R

120 ~ 240

S

170 ~ 340

秩

h

FE1

1

晶体管

P

C

- TA

1.2

800

印刷circut板：铜

为1cm箔领域

2

或更多，并且

的1.7毫米板厚度

对于集电部。

700

2SD2071

I

C

— V

CE

Ta=25C

800

V

CE

=10V

Ta=25C

700

I

C

— I

B

集电极耗散功率P

C

(W)

1.0

集电极电流I

C

（MA ）

600

500

400

300

200

100

集电极电流I

C

（MA ）

10

0.8

I

B

= 10毫安9毫安

8mA

7mA

6mA

5mA

4mA

3mA

2mA

1mA

600

500

400

300

200

100

0

0.6

0.4

0.2

0

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

0

2

4

6

8

0

2

4

6

8

10

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极电流I

B

（MA ）

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

100

30

10

3

1

Ta=75C

0.3

25C

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

–25C

V

BE （ SAT ）

— I

C

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

I

C

/I

B

=10

100

30

10

3

25C

1

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

Ta=75C

–25C

I

C

/I

B

=10

300

h

FE

— I

C

V

CE

=10V

正向电流传输比H

FE

250

Ta=75C

200

25C

–25C

150

100

50

0.1

0.3

1

3

10

0.1

0.3

1

3

10

0

0.01 0.03

0.1

0.3

1

3

10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

f

T

— I

E

240

12

C

ob

— V

CB

集电极输出电容C

ob

（PF ）

集电极到发射极电压V

CER

(V)

V

CB

=10V

Ta=25C

I

E

=0

f=1MHz

Ta=25C

120

V

CER

— R

BE

I

C

=2mA

Ta=25C

100

过渡频率f

T

（兆赫）

200

10

160

8

80

120

6

60

80

4

40

40

2

20

0

–1

0

–3

–10

–30

–100

1

3

10

30

100

0

1

3

10

30

100

300

1000

发射极电流I

E

（MA ）

集电极基极电压V

CB

(V)

基极 - 射极电阻R

BE

(k)

2

晶体管

I

首席执行官

- TA

10

4

V

CE

=10V

2SD2071

10

3

I

首席执行官

（TA）

I

首席执行官

(Ta=25C)

10

2

10

1

0

40

80

120

160

200

环境温度Ta （C ）

3

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