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功率晶体管
2SD2064
硅NPN三重扩散平面型
对于高功率放大
补充2SB1371
单位:mm
q
q
q
q
q
16.2±0.5
12.5
3.5
浸焊
满意盼着电流传输比H
FE
与集电极电流
我租
C
特征
安全运行的广域( ASO )
高转换频率f
T
最佳的高保真音频放大器的输出级
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25C)
评级
120
120
5
10
6
70
3
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
0.7
s
特点
15.0±0.3
11.0±0.2
5.0±0.2
3.2
21.0±0.5
15.0±0.2
φ3.2±0.1
2.0±0.2
2.0±0.1
1.1±0.1
5.45±0.3
10.9±0.5
1
2
3
0.6±0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TOP- 3全包套餐(一)
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2*
h
FE3
V
BE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 120V ,我
E
= 0
V
EB
= 3V ,我
C
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 20mA下
V
CE
= 5V ,我
C
= 1A
V
CE
= 5V ,我
C
= 4A
V
CE
= 5V ,我
C
= 4A
I
C
= 4A ,我
B
= 0.4A
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.5A , F = 1MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
20
80
20
60
20
1.8
2.0
V
V
兆赫
pF
200
典型值
最大
50
50
单位
A
A
正向电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*
h
FE2
等级分类
Q
60至120
S
80至160
P
100至200
h
FE2
1
功率晶体管
P
C
- TA
80
2SD2064
I
C
— V
CE
12
T
C
=25C
10
10
12
V
CE
=5V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
70
60
50
40
30
20
10
(1)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
(1) T
C
= TA
(2)在一个100
×
100
×
2mm
铝散热器
( 3 )不带散热片
(P
C
=3W)
I
B
=500mA
400mA
300mA
200mA
T
C
=–25C
8
25C
100C
8
6
150mA
100mA
6
4
50mA
2
10mA
4
(2)
2
(3)
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
1
2
3
4
环境温度Ta (C )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/I
B
=10
30
10
3
1
0.3
–25C
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
T
C
=100C
25C
1000
h
FE
— I
C
V
CE
=5V
1000
f
T
— I
C
V
CE
=5V
f=1MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
300
过渡频率f
T
(兆赫)
1
3
10
T
C
=100C
–25C
25C
300
100
100
30
30
10
10
3
3
0.1
0.3
1
3
10
1
0.01 0.03
0.1
0.3
1
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
C
ob
— V
CB
1000
安全操作区( ASO )
100
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25C
30
非重复脉冲
T
C
=25C
I
CP
I
C
100ms
1
DC
0.3
0.1
0.03
集电极输出电容C
ob
(PF )
300
集电极电流I
C
(A)
10
3
100
t=10ms
30
10
3
1
1
3
10
30
100
0.01
1
3
10
30
100
300
1000
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
功率晶体管
R
日(T )
— t
10000
注释:R
th
测量在Ta = 25℃,在自然对流。
(1) P
T
=10V
×
0.3A ( 3W )和不带散热片
(2) P
T
=10V
×
1.0A ( 10W )中,用一个100
×
100
×
2毫米铝散热片
2SD2064
热阻R
th
(吨)( C / W)
1000
100
(1)
10
(2)
1
0.1
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
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ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
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通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
产品。
( 6 )使用了该干的包装要求的产品,观察条件(包括保质期
及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
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从我们公司。
使用数据表之前,请仔细阅读下面的注意事项
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半导体产品最适合他们的应用程序。
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松下将不承担任何错误等,可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此,如果没有松下的事先书面同意,任何其他用途,如再现,
销售或分发该材料给第三方,通过互联网或以任何其他方式,是禁止的。
2001年MAR
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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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