功率晶体管
2SD2051
NPN硅外延平面型达林顿
对于低频放大
0.7±0.1
单位:mm
10.0±0.2
5.5±0.2
2.7±0.2
4.2±0.2
4.2±0.2
7.5±0.2
s
特点
q
q
q
4.0
高盼着电流传输比H
FE
装有一个内置的齐纳二极管
可与被安装在散热片的全包包
一颗螺丝
(T
C
=25C)
评级
60±10
60±10
5
2.5
1.6
12
2.0
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
16.7±0.3
φ3.1±0.1
1.4±0.1
1.3±0.2
浸焊
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电流T
C
=25°C
耗散
Ta=25°C
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
14.0±0.5
0.5
–0.1
0.8±0.1
+0.2
2.54±0.25
5.08±0.5
1
2
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
TO- 220全包套餐(一)
3
内部连接
C
B
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
(T
C
=25C)
符号
I
CBO
I
EBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE *
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
条件
V
CB
= 25V ,我
E
= 0
V
EB
= 4V ,我
C
= 0
I
C
= 100μA ,我
E
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
E
= 100μA ,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0A
I
C
= 1.0A ,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 1.0A ,我
B
= 1.0毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安中,f = 200MHz的
200
50
50
5
4000
民
典型值
E
最大
1
1
70
70
单位
A
A
V
V
V
40000
1.5
2.2
V
V
兆赫
*
h
FE
等级分类
Q
R
S
秩
h
FE
4000 8000 10000 20000 16000 40000
1