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2SD2046
硅NPN外延,达林顿
应用
低频功率放大器
概要
TO-92MOD
2
3
I
D
2 k
(典型值)
0.5
(典型值)
1
1.发射器
2.收集
3. BASE
3
2
1
2SD2046
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
E至C二极管的正向电流
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
ic
(峰值)
P
C
Tj
TSTG
I
D
评级
50
7
1.5
3.0
1.0
150
-55到+150
1.5
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
A
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿
电压(齐纳击穿
电压)
符号
V
( BR ) CBO
(V
z
)
50
典型值
60
最大
70
单位
V
测试条件
I
C
= 0.1毫安,我
E
=
集电极到发射极击穿V
( BR ) CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
V
( BR ) EBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
基地发射极饱和
电压
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
E装到C二极管的正向电压
注意:
1.脉冲测试
V
D
50
7
2000
10
10000
1.5
2.0
2.0
2.5
3.0
V
V
A
I
C
= 10毫安,R
BE
=
I
E
= 50 mA时,我
C
= 0
V
CE
= 40 V ,R
BE
=
V
CE
= 3 V,I
C
= 1 A*
1
I
C
= 1 A,I
B
= 1毫安*
1
I
C
= 1.5 A,I
B
= 1.5毫安*
1
I
C
= 1 A,I
B
= 1毫安*
1
I
C
= 1.5 A,I
B
= 1.5毫安*
1
I
D
= 1.5 A*
1
V
V
V
V
V
2
2SD2046
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率PC( W)
1.2
集电极电流I
C
(A)
安全工作区
10
i
C(峰值)
3
1
PW
1
s
100
s
s
s
m 0m
1
0.8
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
=
0.4
TA = 25°C
1次脉冲
0
50
100
150
环境温度Ta (C )
3
10
30
100
300
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性
2.0
PC = 1 W
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
30,000
直流电流传输比H
FE
TA = 25°C
集电极电流I
C
(A)
1.6
200
180
160
10,000
=
75
°
C
25
140
120
1.2
3,000
Ta
0.8
100
A
–2
5
0.4
I
B
0
1,000
V
CE
= 3 V
脉冲
=0
300
0.1
0.3
1.0
3
集电极电流I
C
(A)
10
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
3
2SD2046
饱和电压与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
基地发射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
10
200, 500
3
V
BE (SAT)
1.0
500
V
CE (SAT)
l
C
/l
B
= 200
0.3
TA = 25°C
脉冲
0.1
0.1
0.3
1.0
3
集电极电流I
C
(A)
10
瞬态热阻
300
热阻
θ
J- á
( ° C / W)
100
30
10
3
1.0
0.3
1m
TA = 25°C
10 m
100 m
1
时间t (S )
10
100
1,000
4
单位:mm
4.8
±
0.3
3.8
±
0.3
0.65
±
0.1
0.75最大
0.5
±
0.1
0.7
0.60 MAX
2.3最大
10.1敏
8.0
±
0.5
0.5
1.27
2.54
日立代码
JEDEC
EIAJ
重量(参考值)
TO-92国防部
符合
0.35 g
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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