【2SD2019NPN硅外延应用低频功率放大器概要TO- 126 MOD231.发射器2.收集3. B】,IC型号2SD2019,2SD2019 PDF资料,2SD2019经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SD2019

NPN硅外延

应用

低频功率放大器

概要

TO- 126 MOD

1.发射器

2.收集

3. BASE

15 k

（典型值）

0.5 k

（典型值）

2SD2019

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

C至ê二极管的正向电流

注意：

1.价值在T

= 25°C.

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（峰值）

TSTG

评级

150

1.5

150

-55到+150

1.5

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

（ BR ） CBO

民

150

—

2000

5000

1000

—

典型值

—

最大

—

30000

—

1.5

2.0

3.0

单位

测试条件

= 1毫安，我

= 0

= 10毫安，R

∞

= 50 mA时，我

= 0

= 120 V，I

= 0

= 65 V ，R

∞

= 2 V，I

= 0.15 A*

= 2 V，I

= 1 A*

= 2 V，I

= 1.5 A*

= 1 A，I

= 1毫安*

= 1 A，I

= 1毫安*

= 1.5 A*

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

（ BR ） EBO

CBO

首席执行官

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

C至ê二极管的正向电压

注意：

1.脉冲测试。

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

2SD2019

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率PC（ W）

C（峰值）

集电极电流I

(A)

1.0

0.3

0.1

0.03

0.01

100

案例温度T

(°C)

150

安全工作区

C（最大值）

ATI

ER ）

运25

DC =

TA = 25°C

1次脉冲

100

集电极到发射极电压V

(V)

瞬态热阻

10毫秒到10秒

热阻

J-

（ ° C / W）

2.0

180

集电极电流I

(A)

1.6

典型的输出特性

200

1.0

1.2

160

140

120

100

0.3

0.8

0.4

= 0

0.1

0.01

TA = 25°C

0.1

时间T

1.0

10 (s)

图10（ ms）的

集电极到发射极电压V

(V)

2SD2019

直流电流传输比

与集电极电流

100,000

直流电流传输比H

30,000

10,000

3,000

1,000

300

100

0.01 0.03 0.1 0.3

1.0

集电极电流I

(A)

= 2 V

饱和电压与集电极电流

集电极到发射极饱和电压V

CE （SAT）

(V)

基地发射极饱和电压V

BE （SAT）

(V)

BE （SAT）

1.0

CE （SAT）

0.3

= 100 l

TA = 25°C

0.1

0.01 0.03 0.1 0.3

1.0

集电极电流I

(A)

典型特征

发射极到集电极二极管

2.0

1.6

二极管的电流I

(A)

1.2

0.8

0.4

TA = 25°C

0.4

0.8

1.2

1.6

1.8

发射极到集电极二极管的正向电压

ECF

(V)

单位：mm

8.0

0.5

3.1

+0.15

–0.1

3.7

0.7

11.0

0.5

2.7

0.4

2.3

0.3

120°

1.1

15.6

0.5

0.8

2.29

0.5

2.29

0.5

0.55

1.2

日立代码

JEDEC

EIAJ

重量（参考值）

TO- 126 MOD

—

0.67 g

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