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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD200
描述
·采用TO-3封装
·高电压，高可靠性
·安全运行的广域
应用
·对于彩电行输出
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=90
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1500
600
6
2.5
10
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 2A ;我
B
=0.6A
I
C
= 2A ;我
B
=0.6A
V
CB
=500V;I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
8
2.5
民
600
6
2SD200
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
典型值。
最大
单位
V
V
8.0
1.5
10
100
V
V
A
A
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD200
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD200
描述
·带
TO- 3封装
高
电压，高可靠性
ùWide
安全工作区
应用
For
彩电行输出
应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
·
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=90℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1500
600
6
2.5
10
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
B
2SD200
民
600
6
典型值。
最大
单位
V
V
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 2A ;我
B
=0.6A
I
C
= 2A ;我
B
=0.6A
V
CB
=500V;I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
8.0
1.5
10
100
8
2.5
V
V
μA
μA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD200
图2外形尺寸
3
2SD200
彩电行输出
应用程序（无阻尼二极管）
NPN型三重扩散型
平面硅晶体管
TO-3
!
!
高集电极 - 基极电压（V
CBO
=1500V)
高速开关
绝对最大额定值（T
A
=25℃)
℃
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散（ TC = 25
℃)
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
TSTG
等级
1500
800
6
2.5
15
150
-50~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
电气特性（T
A
=25℃)
℃
特征
集电极 - 发射极截止电流（V
BE
=0)
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
测试条件
V
CE
= 600 V ，R
BE
=0
V
CB
= 800 V，I
E
=0
V
EB
= 4V ,
I
C
=
0
V
CE
= 5V ,
I
C
=1A
I
C
= 2.5A ，我
B
=0.5A
民
典型值
最大
1.0
10
1.0
单位
mA
A
mA
V
8
5.0
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
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