【2SD1976硅NPN三重扩散应用高压开关，点火器特征内置的高电压的齐纳二极管（300V ）高速开关】,IC型号2SD1976,2SD1976 PDF资料,2SD1976经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SD1976

硅NPN三重扩散

应用

高压开关，点火器

特征

内置的高电压的齐纳二极管（300V ）

高速开关

概要

TO-220AB

1.基地

2.收集

（法兰）

3.辐射源

1.6 k

（典型值）

160

（典型值）

2 3

2SD1976

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

二极管电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

= 25°C.

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（峰值）

TSTG

等级

300

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

集电极到发射极维持

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

发射极到集电极二极管

正向电压

启动时间

贮存时间

下降时间

符号

（ BR ） CBO

CEO （ SUS ）

（ BR ） EBO

首席执行官

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

ECF

英镑

民

300

—

500

—

典型值

—

1.2

8.0

—

最大

420

—

100

—

1.5

2.0

3.5

—

单位

测试条件

= 0.1毫安，我

= 0

= 3 A，R

∞,

L = 10毫亨

= 50 mA时，我

= 0

= 300 V ，R

∞

= 2 V，I

= 4 A

= 4 A，I

= 40毫安

= 4 A，I

= 40毫安

= 6 A

= 4 A，V

= 20 V

= –I

= 40毫安

2SD1976

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

(W)

集电极电流I

(A)

安全工作区

C（峰值）

1嘘

笑

= 50

热

= 25

N（叔

比

OPE

5 I

C（最大值）

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

TA = 25°C

100

案例温度T

(°C)

150

1 2

5 10 20 50 100 200 500

集电极到发射极电压V

(V)

典型的输出特性

直流电流传输比

与集电极电流

10,000

直流电流传输比H

0.8

0.6

集电极电流I

(A)

3,000

1,000

300

100

0.1

= 75°C

0.5

0.4

= 0.35 m

–2

= 25°C

集电极到发射极电压V

(V)

= 2 V

脉冲测试

0.3

1.0

集电极电流I

(A)

2SD1976

饱和电压与

集电极电流

热阻

J-

（ ° C / W）

= 100 I

BE （ SAT ）

1.0

25°C

75°C

–25°C

75°C

25°C

瞬态热阻

100

1.0

0.3

0.1

0.3

1.0

集电极电流I

(A)

100

0.1

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

= 25°C

0.1秒至10

CE （ SAT ）

0.3

–25°C

0.1

1.0

100 (s)

100（ ms）的

1.0

时间t （S ）

齐纳电压与环境温度

500

齐纳电压V

CBO

) (V)

400

300

- 0.1毫安

= 0

200

100

–20

环境温度Ta （C ）

单位：mm

11.5 MAX

2.79

0.2

10.16

0.2

9.5

8.0

3.6

-0.08

+0.1

4.44

0.2

1.26

0.15

6.4

+0.2

–0.1

18.5

0.5

15.0

0.3

1.27

2.7 MAX

14.0

0.5

1.5 MAX

7.8

0.5

0.76

0.1

2.54

0.5

2.54

0.5

0.1

日立代码

JEDEC

EIAJ

重量（参考值）

TO-220AB

符合

1.8 g

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如日立的变化

电气与日立XX ，瑞萨科技公司

三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌

名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨

科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和

企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且

这些变化不构成任何改动文件本身的内容。

瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

注意事项

保持安全第一在你的电路设计！

1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好

和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦

半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。

记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的

例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施

（三）预防对任何故障或事故。

对于这些材料的注意事项

1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择

科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何

在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技

公司或第三方。

2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权

第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或

这些材料所含的电路应用实例。

3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息

算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并

受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或

其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司

或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息

在购买之前，这里所列的产品。

这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。

瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任

从这些不准确或错误上升。

另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息

意味着，包括瑞萨科技半导体首页

（ http://www.renesas.com ）。

4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，

图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统

制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技

公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任

此处包含的信息。

5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用

或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系

瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商

考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时

系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。

6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现

全部或部分这些物料。

7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是

日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家

超过批准的目的地。

任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例

被禁止的目的国。

8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息

包含在其中。

2SD1976

硅NPN三重扩散

ADE - 208-918 （ Z）

1日。版

2000年9月

应用

高压开关，点火器

特征

内置的高电压的齐纳二极管（300V ）

高速开关

概要

TO-220AB

1.基地

2.收集

（法兰）

3.辐射源

1.6 k

（典型值）

160

（典型值）

2 3

2SD1976

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

二极管电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

= 25°C.

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（峰值）

TSTG

等级

300

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

集电极到发射极维持

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

发射极到集电极二极管

正向电压

启动时间

贮存时间

下降时间

符号

（ BR ） CBO

CEO （ SUS ）

（ BR ） EBO

首席执行官

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

ECF

英镑

民

300

—

500

—

典型值

—

1.2

8.0

—

最大

420

—

100

—

1.5

2.0

3.5

—

单位

测试条件

= 0.1毫安，我

= 0

= 3 A，R

∞,

L = 10毫亨

= 50 mA时，我

= 0

= 300 V ，R

∞

= 2 V，I

= 4 A

= 4 A，I

= 40毫安

= 4 A，I

= 40毫安

= 6 A

= 4 A，V

= 20 V

= –I

= 40毫安

2SD1976

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

(W)

集电极电流I

(A)

安全工作区

C（峰值）

1嘘

笑

= 50

热

= 25

N（叔

比

OPE

5 I

C（最大值）

1.0

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

TA = 25°C

100

案例温度T

(°C)

150

1 2

5 10 20 50 100 200 500

集电极到发射极电压V

(V)

典型的输出特性

直流电流传输比

与集电极电流

10,000

直流电流传输比H

0.8

0.6

集电极电流I

(A)

3,000

1,000

300

100

0.1

= 75°C

0.5

0.4

= 0.35 m

–2

= 25°C

集电极到发射极电压V

(V)

= 2 V

脉冲测试

0.3

1.0

集电极电流I

(A)