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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 3PML包
·高击穿电压
高可靠性
.
·高速
应用
·彩色电视水平偏转输出。
·彩色显示器的水平偏转输出
.
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2SD1882
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
最大绝对额定值（Ta = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
800
6
3
12
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1882
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极电压维持
发射极截止电流
集电极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
下降时间
条件
I
C
=2A;I
B
=0.6 A
I
C
=2A;I
B
=0.6 A
I
C
=100mA;I
B
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
V
CB
= 800V ;我
E
=0
V
CE
= 1500V ;
BE
=0
I
C
= 0.5 A; V
CE
=5V
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
C
=3A;R
L
=66.7@; I
B1
=0.8A
I
B2
=-1.6A;V
CC
=200V
8
3
0.1
6
0.3
s
800
1.0
10
1.0
民
典型值。
最大
5.0
1.5
单位
V
V
V
mA
A
mA
符号
V
CESAT
V
BESAT
V
CEO （ SUS ）
I
EBO
I
CBO
I
CES
h
FE-1
h
FE-2
t
f
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1882
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1882
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PML包
高
击穿电压
高
可靠性
.
高
速度
应用
●颜色
电视水平偏转输出。
●颜色
显示水平偏转输出
.
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2SD1882
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
最大绝对额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
ES
昂
CH
导½
半
发射极开路
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
1500
800
6
3
12
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
开基
集电极开路
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
50
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1882
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=2A;I
B
=0.6 A
5.0
V
V
BESAT
V
CEO （ SUS ）
基射极饱和电压
I
C
=2A;I
B
=0.6 A
I
C
=100mA;I
B
=0
800
1.5
V
集电极 - 发射极电压维持
V
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 4V ;我
C
=0
1.0
mA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 800V ;我
E
=0
10
I
CES
集电极截止电流
V
CE
= 1500V ;
BE
=0
1.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
t
f
固电
下降时间
直流电流增益
导½
半
I
C
= 0.5 A; V
CE
=5V
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
的HAn
INC。
ES
G
I
C
=3A;R
L
=66.7Ω; I
B1
=0.8A
I
B2
=-1.6A;V
CC
=200V
ON
MIC
E
OR
DUT
8
3
6
0.1
0.3
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1882
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1882
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 3PML包
高
击穿电压
高
可靠性
.
高
速度
应用
●颜色
电视水平偏转输出。
●颜色
显示水平偏转输出
.
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2SD1882
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
最大绝对额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
800
6
3
12
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1882
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=2A;I
B
=0.6 A
5.0
V
V
BESAT
V
CEO （ SUS ）
基射极饱和电压
I
C
=2A;I
B
=0.6 A
I
C
=100mA;I
B
=0
800
1.5
V
集电极 - 发射极电压维持
V
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 4V ;我
C
=0
1.0
mA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 800V ;我
E
=0
10
I
CES
集电极截止电流
V
CE
= 1500V ;
BE
=0
1.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.5 A; V
CE
=5V
8
h
FE-2
t
f
直流电流增益
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
C
=3A;R
L
=66.7Ω; I
B1
=0.8A
I
B2
=-1.6A;V
CC
=200V
3
6
μs
下降时间
0.1
0.3
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1882
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1882
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2835
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2N7369JAN
2SC3739B13
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