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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第239页 > 2SD1864
功率晶体管（ 50V ， 3A ）
2SD1864
■特点
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
= 0.5V （典型值）。
(I
C
/I
B
= 2A / 0.2A)
2 ）补充了2SB1243 。
Structure
外延平面型
NPN硅晶体管
尺寸
（单位：毫米）
2SD1864
6.8
±
0.2
2.5
±
0.2
0.65Max.
1.0
0.5
±
0.1
(1)
(2)
(3)
2.54 2.54
1.05
14.5
±
0.5
4.4
±
0.2
0.9
0.45
±
0.1
ROHM ： ATV
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
5
3
4.5
1
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
W
°C
°C
1
2
1
单脉冲，P
W
=100ms
2
印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜100毫米
2
或更大。
ⅵELECTRICAL
特征
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
利用脉冲电流测量。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （SAT）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
5
120
典型值。
0.5
90
40
马克斯。
1
1
1
390
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
I
C
=50μA
I
C
=1mA
I
E
=50μA
V
CB
=40V
V
EB
=4V
I
C
/I
B
=2A/0.2A
条件
V
CE
=3V,
I
C
=0.5A
V
CE
=5V,
I
E
=500mA,
f=30MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
www.rohm.com
c
○
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
1/3
2010.04 - Rev.B的
2SD1864
Packaging
规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SD1864
h
FE
QR
基本订购
单位（件）
TAPING
TV2
2500
数据表
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
120至270
R
180 390
ⅵELECTRICAL
特性曲线
10
5
3.0
V
CE
=
3V
TA = 25°C
45mA
50mA
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
2.5
2.0
集电极电流：我
C
(A)
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
基地发射极电压： V
BE
(V)
TA = 100℃
25°C
25°C
40mA
35mA
30mA
25mA
20mA
3.0
2.5
2.0
1.5
20mA
15mA
50mA
45mA
40mA
35mA
30mA
25mA
TA = 25°C
15mA
1.5
10mA
10mA
1.0
0.5
0
0
5mA
1.0
I
B
= 5毫安
0.5
0
0
P
C
= 15W
I
B
= 0毫安
1
2
3
4
5
10
20
30
40
50
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
1000
500
直流电流增益：H
FE
图2接地发射极输出
特性（
Ι
)
1000
500
V
CE
= 3V
图3接地极 - 发射极输出
特性（
ΙΙ
)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
10
TA = 25°C
5
2
1
0.5
0.2
I
C
/I
B
= 50
0.1
0.05
0.02
0.01
0.010.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
10
TA = 25°C
直流电流增益：H
FE
200
100
50
V
CE
= 5V
200
100
50
20
10
5
2
TA = 100℃
3V
20
10
5
2
1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
1
2
5
10
25°C
25°C
1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流（
Ι
)
图5直流电流增益与
收藏家柯伦（
ΙΙ
)
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
基本饱和电压
: V
BE （SAT）
(V)
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
V
CE （SAT）
1
2
5
10
TA = 100℃
25°C
TA =
25°C
V
BE （SAT）
25°C
100°C
跃迁频率：F
T
（兆赫）
l
C
/l
B
= 10
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
TA = 25
°C
V
CE
= 5V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
10
1000
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
TA = 25
°C
F = 1MHz的
I
E
= 0A
25°C
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
50 100 200
5001000
10 20
50 100
集电极电流：我
C
(A)
发射极电流：
I
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
基射极饱和电压
与集电极电流
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
www.rohm.com
c
○
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
2/3
2010.04 - Rev.B的
2SD1864
5
数据表
瞬态热阻，R
th
（ ° C / W）
s
0m
s
=1
m
Pw
100
=
Pw
集电极电流：我
C
(A)
2
1
DC
100
0.5
0.2
0.1
0.05 TA = 25℃
单身
不重复
0.02脉冲
0.2 0.5 1
10
1
2
5
10 20
50 100
0.1
1
10
100
1
10秒100秒1000sec
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
期：T
（女士）
图10安全工作区
图11瞬态热阻
www.rohm.com
c
○
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
3/3
2010.04 - Rev.B的
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，燃
控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担以任何方式使用任何不承担责任
的产品适用于上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请与我们联系。
ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
www.rohm.com
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
R1010A
晶体管
功率晶体管（ 50V ， 3A ）
2SD1760 / 2SD1864 / 2SD1762
FFeatures
1 ）低V
CE （ SAT ）
,
V
CE （ SAT ）
= 0.5V （典型值）。
(I
C
/ I
B
= 2A / 0.2A)
2 ）补充了
2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185 。
FStructure
外延平面型
NPN硅晶体管
FExternal
尺寸（单位：毫米）
(96-214-D57)
264
晶体管
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
2SD1760 / 2SD1864 / 2SD1762
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
FPackaging
规格和h
FE
h
FE
值被分类如下：
265
晶体管
FElectrical
特性曲线
2SD1760 / 2SD1864 / 2SD1762
266
晶体管
2SD1760 / 2SD1864 / 2SD1762
267
2SD1760 / 2SD1864
晶体管
功率晶体管（ 50V ， 3A ）
2SD1760 / 2SD1864
!
特点
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
= 0.5V （典型值）。
(I
C
/I
B
= 2A / 0.2A)
2 ）补充了2SB1184 / 2SB1243 。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
2SD1760
1.5±0.3
6.5±0.2
5.1 +0.2
0.1
C0.5
2.3 +0.2
0.1
0.5±0.1
2SD1864
6.8
±
0.2
2.5
±
0.2
5.5 +0.3
0.1
9.5±0.5
0.9
1.5
!
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
0.9
0.55±0.1
2.3±0.2 2.3±0.2
1.0±0.2
(1)
(2)
(3)
0.5
±
0.1
2.54 2.54
14.5
±
0.5
0.75
0.65±0.1
2.5
0.65Max.
1.0
4.4
±
0.2
0.9
(1) (2) (3)
1.05
0.45
±
0.1
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： ATV
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
!
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
2SD1760
2SD1864
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
5
3
4.5
15
1
150
55~+150
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
*
1
W（锝= 25 ° C）
*
2
W
°C
°C
结温
储存温度
W
*
1单脉冲，P = 100毫秒
*
2印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜百毫米
2
或更大。
2SD1760 / 2SD1864
晶体管
!
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （SAT）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
5
-
-
-
82
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.5
-
90
40
马克斯。
-
-
-
1
1
1
390
-
-
单位
V
V
V
A
A
V
-
兆赫
pF
I
C
= 50A
I
C
= 1毫安
I
E
= 50A
V
CB
= 40V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= 2A/0.2A
V
CE
= 3V ，我
C
= 0.5A
V
CE
= 5V ，我
E
=
500mA,
F = 30MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
条件
*
*
*
*
利用脉冲电流测量。
!
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SD1760
2SD1864
h
FE
PQR
PQR
-
基本订购
单位（件）
TL
2500
TAPING
TV2
2500
-
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
P
82~180
Q
120~270
R
180~390
!
电气特性曲线
10
5
3.0
V
CE
=
3V
集电极电流：我
C
(A)
TA = 25°C
45mA
50mA
集电极电流：我
C
(A)
2.5
2.0
集电极电流：我
C
(A)
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
基地发射极电压： V
BE
(V)
TA = 100℃
25°C
-25°C
40mA
35mA
30mA
25mA
20mA
3.0
2.5
2.0
1.5
20mA
15mA
50mA
45mA
40mA
35mA
30mA
25mA
TA = 25°C
15mA
1.5
10mA
10mA
1.0
0.5
0
0
5mA
1.0
I
B
= 5毫安
0.5
0
0
P
C
= 15W
I
B
= 0毫安
1
2
3
4
5
10
20
30
40
50
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
1000
500
直流电流增益：H
FE
图2接地发射极输出
特性（
Ι
)
1000
500
直流电流增益：H
FE
图3接地极 - 发射极输出
特性（
ΙΙ
)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
TA = 25°C
10
TA = 25°C
5
2
1
0.5
0.2
I
C
/I
B
= 50
0.1
0.05
0.02
0.01
0.010.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
10
V
CE
= 3V
200
100
50
20
10
5
2
1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
1
V
CE
= 5V
200
100
50
20
10
5
2
TA = 100℃
3V
25°C
-25°C
2
5
10
1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流（
Ι
)
图5直流电流增益与
收藏家柯伦（
ΙΙ
)
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
2SD1760 / 2SD1864
晶体管
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
基本饱和电压
: V
BE （SAT）
(V)
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
V
CE （SAT）
1
2
5
10
TA = 100℃
-25°C
25°C
TA = -25°C
V
BE （SAT）
25°C
100°C
跃迁频率：F
T
（兆赫）
l
C
/l
B
= 10
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
TA = 25
°C
V
CE
= 5V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
10
1000
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
TA = 25
°C
F = 1MHz的
I
E
= 0A
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
50 100 200
5001000
10 20
50 100
集电极电流：我
C
(A)
发射极电流：
I
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
基射极饱和电压
与集电极电流
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
瞬态热阻，R
th
（ ° C / W）
5
P
W
集电极电流：我
C
(A)
5
集电极电流：我
C
(A)
2
P
W
V
CE
=5v
I
C
=0.2A
100
Pw
=1
Pw
2
1
DC
00
=1
c
Se
0m
美国证券交易委员会
m
=1
0m
1
0.5
DC
0.2
0.1
0.05
0.02 TA = 25℃
单脉冲
0.01
*
0.1 0.2 0.5 1
=1
00
s*
*
ms
0.5
0.2
0.1
0.05 TA = 25℃
单身
不重复
0.02脉冲
0.2 0.5 1
10
1
2
5
10 20
50 100
0.1
1
10
100
1秒10秒100秒
2
5
10 20
50 100
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
期：T
（女士）
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图10安全工作区
(2SD1760)
图11瞬态热阻
(2SD1760)
图12安全工作区
(2SD1864)
瞬态热阻，R
牛逼
（ ° C / W）
100
10
1
0.1
1
10
100
1
10秒100Sec1000Sec
期：T
（女士）
图13瞬态热阻
(2SD1864)
2SD1760 / 2SD1864
晶体管
功率晶体管（ 50V ， 3A ）
2SD1760 / 2SD1864
!
特点
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
= 0.5V （典型值）。
(I
C
/I
B
= 2A / 0.2A)
2 ）补充了2SB1184 / 2SB1243 。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
2SD1760
1.5±0.3
6.5±0.2
5.1 +0.2
0.1
C0.5
2.3 +0.2
0.1
0.5±0.1
2SD1864
6.8
±
0.2
2.5
±
0.2
5.5 +0.3
0.1
9.5±0.5
0.9
1.5
!
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
0.9
0.55±0.1
2.3±0.2 2.3±0.2
1.0±0.2
(1)
(2)
(3)
0.5
±
0.1
2.54 2.54
14.5
±
0.5
0.75
0.65±0.1
2.5
0.65Max.
1.0
4.4
±
0.2
0.9
(1) (2) (3)
1.05
0.45
±
0.1
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： ATV
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
!
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
2SD1760
2SD1864
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
5
3
4.5
15
1
150
55~+150
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
*
1
W（锝= 25 ° C）
*
2
W
°C
°C
结温
储存温度
W
*
1单脉冲，P = 100毫秒
*
2印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜百毫米
2
或更大。
2SD1760 / 2SD1864
晶体管
!
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （SAT）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
5
-
-
-
82
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.5
-
90
40
马克斯。
-
-
-
1
1
1
390
-
-
单位
V
V
V
A
A
V
-
兆赫
pF
I
C
= 50A
I
C
= 1毫安
I
E
= 50A
V
CB
= 40V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= 2A/0.2A
V
CE
= 3V ，我
C
= 0.5A
V
CE
= 5V ，我
E
=
500mA,
F = 30MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
条件
*
*
*
*
利用脉冲电流测量。
!
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SD1760
2SD1864
h
FE
PQR
PQR
-
基本订购
单位（件）
TL
2500
TAPING
TV2
2500
-
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
P
82~180
Q
120~270
R
180~390
!
电气特性曲线
10
5
3.0
V
CE
=
3V
集电极电流：我
C
(A)
TA = 25°C
45mA
50mA
集电极电流：我
C
(A)
2.5
2.0
集电极电流：我
C
(A)
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
基地发射极电压： V
BE
(V)
TA = 100℃
25°C
-25°C
40mA
35mA
30mA
25mA
20mA
3.0
2.5
2.0
1.5
20mA
15mA
50mA
45mA
40mA
35mA
30mA
25mA
TA = 25°C
15mA
1.5
10mA
10mA
1.0
0.5
0
0
5mA
1.0
I
B
= 5毫安
0.5
0
0
P
C
= 15W
I
B
= 0毫安
1
2
3
4
5
10
20
30
40
50
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
1000
500
直流电流增益：H
FE
图2接地发射极输出
特性（
Ι
)
1000
500
直流电流增益：H
FE
图3接地极 - 发射极输出
特性（
ΙΙ
)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
TA = 25°C
10
TA = 25°C
5
2
1
0.5
0.2
I
C
/I
B
= 50
0.1
0.05
0.02
0.01
0.010.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
10
V
CE
= 3V
200
100
50
20
10
5
2
1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
1
V
CE
= 5V
200
100
50
20
10
5
2
TA = 100℃
3V
25°C
-25°C
2
5
10
1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流（
Ι
)
图5直流电流增益与
收藏家柯伦（
ΙΙ
)
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
2SD1760 / 2SD1864
晶体管
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
基本饱和电压
: V
BE （SAT）
(V)
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
V
CE （SAT）
1
2
5
10
TA = 100℃
-25°C
25°C
TA = -25°C
V
BE （SAT）
25°C
100°C
跃迁频率：F
T
（兆赫）
l
C
/l
B
= 10
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
TA = 25
°C
V
CE
= 5V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
10
1000
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
TA = 25
°C
F = 1MHz的
I
E
= 0A
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
50 100 200
5001000
10 20
50 100
集电极电流：我
C
(A)
发射极电流：
I
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
基射极饱和电压
与集电极电流
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
瞬态热阻，R
th
（ ° C / W）
5
P
W
集电极电流：我
C
(A)
5
集电极电流：我
C
(A)
2
P
W
V
CE
=5v
I
C
=0.2A
100
Pw
=1
Pw
2
1
DC
00
=1
c
Se
0m
美国证券交易委员会
m
=1
0m
1
0.5
DC
0.2
0.1
0.05
0.02 TA = 25℃
单脉冲
0.01
*
0.1 0.2 0.5 1
=1
00
s*
*
ms
0.5
0.2
0.1
0.05 TA = 25℃
单身
不重复
0.02脉冲
0.2 0.5 1
10
1
2
5
10 20
50 100
0.1
1
10
100
1秒10秒100秒
2
5
10 20
50 100
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
期：T
（女士）
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图10安全工作区
(2SD1760)
图11瞬态热阻
(2SD1760)
图12安全工作区
(2SD1864)
瞬态热阻，R
牛逼
（ ° C / W）
100
10
1
0.1
1
10
100
1
10秒100Sec1000Sec
期：T
（女士）
图13瞬态热阻
(2SD1864)
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206A
2SK1224
299-93-308-10-001000
2SD2033A
281281-1
262XR252C
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25HF160
20238-83
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