晶体管
2SB1189 / 2SB1238 / 2SB899F
2SD1767 / 2SD1859 / 2SD1200F
(96-618-B13)
(96-750-D13)
278
2SD1767 / 2SD1859
晶体管
中等功率晶体管( 80V , 0.7A )
2SD1767 / 2SD1859
特点
1)高的击穿电压, BV
首席执行官
= 80V ,和
大电流,我
C
=0.7A.
2 )补充了2SB1189 / 2SB1238 。
外形尺寸
(单位:毫米)
2SD1767
4.0
1.0
2.5
0.5
1.5
0.4
(1)
3.0
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
2SD1767
2SD1859
Tj
TSTG
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
范围
80
80
5
0.7
1
0.5
2
1
150
55
to
+150
2
3
0.5
(3)
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
W
°C
°C
1
1.5
0.4
ROHM : MPT3
EIAJ :SC- 62
0.4
( 1 )基本
( 2 )集电极
(3)发射极
2SD1859
6.8
2.5
1
PW = 10ms时,占空比= 1 /
2
当安装在一个40×40 ×0.7mm厚的陶瓷板。
3
印刷电路板1.7毫米厚,收藏家电镀1厘米
2
或更大。
TYPE
包
h
FE
记号
CODE
基本订购单位(件)
2SD1767
MPT3
PQR
2SD1859
亚视
QR
TV2
2500
(1) (2) (3)
2.54 2.54
0.5
表示
h
DC
T100
1000
1.05
14.5
包装规格和h
FE
0.65Max.
1.0
0.9
4.4
1.5
0.45
大坪规格
FE
ROHM : ATV
(1 )发光体
( 2 )集电极
(3 )基
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
80
80
5
120
典型值。
0.2
120
10
马克斯。
0.5
0.5
0.4
390
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=2mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
/I
B
=500mA/50mA
V
CE
/I
C
=3V/0.1A
V
CE
=10V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
4.5
1.6
(2)
Rev.A的
1/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
2SD1767 / 2SD1859
晶体管
中等功率晶体管( 80V , 0.7A )
2SD1767 / 2SD1859
!
特点
1)高的击穿电压, BV
首席执行官
= 80V ,和
大电流,我
C
=0.7A.
2 )补充了2SB1189 / 2SB1238 。
!
外形尺寸
(单位:毫米)
2SD1767
4.0
1.0
2.5
0.5
1.5
0.4
(1)
3.0
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
2SD1767
2SD1859
Tj
TSTG
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
80
80
5
0.7
1
0.5
P
C
2
1
150
55~+150
°C
°C
W
2
3
0.5
(3)
V
A( DC )
A(脉冲)
1
0.4
V
V
ROHM : MPT3
EIAJ :SC- 62
( 1 )基本
( 2 )集电极
(3)发射极
2SD1859
6.8
2.5
1
PW = 10ms时,占空比= 1 /
2
当安装在一个40×40 ×0.7mm厚的陶瓷板。
3
印刷电路板1.7毫米厚,收藏家电镀1厘米
2
或更大。
0.5
(1) (2) (3)
2.54 2.54
TYPE
包
h
FE
记号
CODE
基本订购单位(件)
2SD1767
MPT3
PQR
2SD1859
亚视
QR
TV2
2500
表示
h
DC
T100
1000
1.05
14.5
!
包装规格和h
FE
0.65Max.
1.0
0.9
4.4
1.5
0.45
单位
1.5
0.4
大坪规格
FE
ROHM : ATV
(1 )发光体
( 2 )集电极
(3 )基
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
2SD1767
2SD1859
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
80
80
5
82
120
典型值。
0.2
120
10
马克斯。
0.5
0.5
0.4
390
390
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=2mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
/I
B
=500mA/50mA
V
CE
/I
C
=3V/0.1A
V
CE
=10V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
4.5
1.6
(2)