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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入2SB1226
高
直流电流增益。
●大
电流容量和广泛的ASO 。
·达林顿
应用
Motor
驱动程序，打印机驱动程序锤，继电器
驱动器，电压调节器的控制。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2SD1828
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散
2
T
j
T
英镑
结温
储存温度
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
110
100
6
3
5
20
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 5毫安;我
E
=0
I
C
= 50毫安;
BE
=∞
I
C
= 1.5A ;我
B
=3mA
I
C
= 1.5A ;我
B
=3mA
V
CB
=80V;I
E
=0
V
EB
=5V;I
C
=0
I
C
= 1.5A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=5V
1500
民
110
100
0.9
2SD1828
典型值。
最大
单位
V
V
1.5
2.0
0.1
3.0
V
V
mA
mA
4000
20
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=500I
B1
=-500I
B2
=1A
V
CC
= 50V ，R
L
=50Ω
0.8
5.0
1.2
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1828
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入2SB1226
高
直流电流增益。
●大
电流容量和广泛的ASO 。
·达林顿
应用
Motor
驱动程序，打印机驱动程序锤，继电器
驱动器，电压调节器的控制。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2SD1828
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
固电
IN
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
ES
昂
CH
导½
半
发射极开路
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
110
100
6
3
5
单位
V
V
V
A
A
开基
集电极开路
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散
20
W
2
T
j
T
英镑
结温
储存温度
150
-55~150
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 5毫安;我
E
=0
I
C
= 50毫安;
BE
=∞
I
C
= 1.5A ;我
B
=3mA
I
C
= 1.5A ;我
B
=3mA
V
CB
=80V;I
E
=0
V
EB
=5V;I
C
=0
I
C
= 1.5A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=5V
1500
民
110
100
0.9
2SD1828
典型值。
最大
单位
V
V
1.5
2.0
0.1
3.0
V
V
mA
mA
4000
20
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
固电
开启时间
贮存时间
下降时间
IN
ES
昂
CH
导½
半
I
C
=500I
B1
=-500I
B2
=1A
V
CC
= 50V ，R
L
=50Ω
ON
MIC
E
OR
DUT
0.8
5.0
1.2
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1828
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 220F封装
.Complement
键入2SB1226
·高直流电流增益。
·大电流容量，广ASO 。
·达林顿
应用
·电机驱动器，打印机锤驱动器，继电器
驱动器，电压调节器的控制。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2SD1828
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
C
=25
P
C
集电极耗散
2
T
j
T
英镑
结温
储存温度
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
110
100
6
3
5
20
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 5毫安;我
E
=0
I
C
= 50毫安;
BE
？ ＆ LT ;
I
C
= 1.5A ;我
B
=3mA
I
C
= 1.5A ;我
B
=3mA
V
CB
=80V;I
E
=0
V
EB
=5V;I
C
=0
I
C
= 1.5A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=5V
1500
民
110
100
2SD1828
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
0.9
1.5
2.0
0.1
3.0
V
V
mA
mA
4000
20
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=500I
B1
=-500I
B2
=1A
V
CC
= 50V ，R
L
=50D
0.8
5.0
1.2
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1828
图2外形尺寸
3
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推荐型号
25LC160AT-E/SNG
28C011TRT4FS-12
2SB1123R
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2SA1646-ZM
268001
22-28-2184
2SA1121C
2SD2096D
27HC416-55I/L
2SC4487S
27C256-20ESO
2SK2841_06
2-104350-1
2SA883
2-1103640-3
2222336213
2SC3133
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