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2SD1781K
公司Bauelemente
NPN硅
塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
SOT-23
特点
非常低V
CE
(SAT) .V
CE
(SAT) < 0.4V(典型值)。
(I
C
/I
B
= 500毫安/ 50毫安)
补充到2SB1197K
2
BASE
集热器
A
L
3
3
3
顶视图
1
2
C B
1
2
K
E
D
1
辐射源
F
REF 。
G
毫米
分钟。
马克斯。
2.80
3.00
2.25
2.55
1.20
1.40
0.90
1.15
1.80
2.00
0.30
0.50
H
J
毫米
分钟。
马克斯。
0.10 REF 。
0.55 REF 。
0.08
0.15
0.5 REF 。
0.95典型。
记号
AF
=的hFE排名
A
B
C
D
E
F
REF 。
G
H
J
K
L
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗
结温和存储温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
40
32
5
0.8
200
150, -55~150
单位
V
V
V
A
mW
°C
电气特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
OB
分钟。
40
32
5
-
120
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
150
10
马克斯。
-
-
-
0.5
0.5
390
0.4
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 50μA ,我
E
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
E
= 50μA ,我
C
= 0
V
CB
= 20V ,我
E
= 0
V
EB
= 4V ,我
C
= 0
I
C
= 100mA时V
CE
= 3.0V
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
V
CE
= 5V ,我
C
= 50mA时F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
分类h及
FE
范围
记号
Q
120 – 270
AFQ
R
180-390
AFR
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月, 2002年修订版A
第1页2
2SD1781K
公司Bauelemente
NPN硅
塑料封装晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月, 2002年修订版A
第2页2
2SD1781K
晶体管
中等功率晶体管( 32V , 0.8A )
2SD1781K
特点
1 )非常低V
CE ( SAT )
.
V
CE ( SAT )
=
0.1V(Typ.)
(I
C
/ I
B
= 500½A / 50mA)
2 )高电流容量的紧凑型封装。
3 )补充了2SB1197K 。
外形尺寸
(单位:毫米)
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
1.1
+0.2
0.1
0.8±0.1
(3)
0.4
+0.1
0.05
1.6
+0.2
0.1
2.8±0.2
0~0.1
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
所有的终端都
相同的尺寸
0.3~0.6
+0.1
0.15
0.06
ROHM : SMT3
EIAJ : SC- 59
缩写符号:AF
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
指H
FE
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
40
32
5
0.8
1.5
200
150
55
to
+
150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
mW
°C
°C
单脉冲Pw = 100毫秒
Rev.A的
1/3
2SD1781K
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
32
5
120
典型值。
0.1
150
15
马克斯。
0.5
0.5
0.4
390
单位
V
V
V
I
C
=50
A
I
C
=1mA
I
E
=50
A
V
CB
=20V
V
EB
=4V
条件
A
A
V
兆赫
pF
I
C
/I
B
=500mA/50mA
V
CE
=3V,
I
C
=100mA
V
CE
=5V,
I
E
= -50mA ,
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
包装规格和h
FE
CODE
TYPE
2SD1781K
h
FE
QR
基本订购
单位(件)
TAPING
T146
3000
h
FE
值被分类如下:
h
FE
Q
120至270
R
180 390
电气特性曲线
1000
500
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
Ta
=
25°C
V
CE
=
6V
400
1000
Tc=25°C
1mA
500
V
CE
=
5V
Ta=100°C
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
300
800A
700A
600A
500A
400A
300A
200A
100A
I
B
=0A
8
10
直流电流增益:H
FE
200
900A
200
100
50
25°C
55°C
200
100
20
10
1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
0
0
2
4
6
2
5
10 20
50 100 200 500 1000
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
集电极电流:我
C
(MA )
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益与集电极
当前
Rev.A的
2/3
2SD1781K
晶体管
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(毫伏)
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(毫伏)
1000
500
200
100
50
20
10
5
1
2
5
10 20
500
跃迁频率:F
T
(兆赫)
Ta=25°C
1000
l
C
/l
B
=10
1000
500
Ta=25°C
V
CE
=5V
200
100
50
20
10
5
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
Ta=100°C
25°C
55°C
200
100
50
I
C
/I
B
=50
20
10
20
10
1
2
5
10 20
50 100 200
50 100 200
500 1000
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
发射极电流:我
E
(MA )
图4集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流( )
图5集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流(
Fig.6
)
增益带宽积主场迎战
发射极电流
集电极输出电容:玉米棒(
pF的)
发射极输入电容: CIB
(PF )
100
50
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
200
100
50
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
I
C
=
0A
20
10
20
10
5
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
5
0.1
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射极 - 基极电压: V
EB
(V)
图7集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
Fig.8
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
SMD型
中功率晶体管
2SD1781K
SOT-23
晶体管
IC
单位:mm
非常低V
CE ( SAT )
.V
CE ( SAT )
= -0.1V (典型值)I
C
/ I
B
= 500毫安/ 50毫安
+0.1
2.4
-0.1
高电流容量的紧凑型封装。
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
特点
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流*
集电极耗散功率
结温
储存温度
*单脉冲Pw = 100毫秒。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
T
英镑
等级
40
32
5
0.8
1.5
200
150
-55到+150
mW
单位
V
V
V
A
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
输出电容
跃迁频率
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
C
=50ìA
I
C
=1mA
I
E
=50ìA
V
CB
=20V
V
EB
=4V
0.1
120
150
15
Testconditons
40
32
5
0.5
0.5
0.4
390
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
CE ( SAT )
I
C
/I
B
=500mA/50mA
h
FE
f
T
C
ob
V
CE
= 3V ,我
C
=100mA
V
CE
= 5V ,我
E
= -50mA , F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
h
FE
分类
记号
h
FE
Q
120 270
AF
R
180 390
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
2SD1781K
晶体管
中等功率晶体管( 32V , 0.8A )
2SD1781K
特点
1 )非常低V
CE ( SAT )
.
V
CE ( SAT )
=
0.1V(Typ.)
(I
C
/ I
B
= 500½A / 50mA)
2 )高电流容量的紧凑型封装。
3 )补充了2SB1197K 。
外形尺寸
(单位:毫米)
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
1.1
+0.2
0.1
0.8±0.1
(3)
0.4
+0.1
0.05
1.6
+0.2
0.1
2.8±0.2
0~0.1
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
所有的终端都
相同的尺寸
0.3~0.6
+0.1
0.15
0.06
ROHM : SMT3
EIAJ : SC- 59
缩写符号:AF
(1 )发光体
(2)相应的
( 3 )集电极
指H
FE
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
40
32
5
0.8
1.5
200
150
55
to
+
150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
mW
°C
°C
单脉冲Pw = 100毫秒
Rev.A的
1/3
2SD1781K
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
32
5
120
典型值。
0.1
150
15
马克斯。
0.5
0.5
0.4
390
单位
V
V
V
I
C
=50
A
I
C
=1mA
I
E
=50
A
V
CB
=20V
V
EB
=4V
条件
A
A
V
兆赫
pF
I
C
/I
B
=500mA/50mA
V
CE
=3V,
I
C
=100mA
V
CE
=5V,
I
E
= -50mA ,
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
包装规格和h
FE
CODE
TYPE
2SD1781K
h
FE
QR
基本订购
单位(件)
TAPING
T146
3000
h
FE
值被分类如下:
h
FE
Q
120至270
R
180 390
电气特性曲线
1000
500
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
Ta
=
25°C
V
CE
=
6V
400
1000
Tc=25°C
1mA
500
V
CE
=
5V
Ta=100°C
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
300
800A
700A
600A
500A
400A
300A
200A
100A
I
B
=0A
8
10
直流电流增益:H
FE
200
900A
200
100
50
25°C
55°C
200
100
20
10
1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
0
0
2
4
6
2
5
10 20
50 100 200 500 1000
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
集电极电流:我
C
(MA )
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益与集电极
当前
Rev.A的
2/3
2SD1781K
晶体管
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(毫伏)
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(毫伏)
1000
500
200
100
50
20
10
5
1
2
5
10 20
500
跃迁频率:F
T
(兆赫)
Ta=25°C
1000
l
C
/l
B
=10
1000
500
Ta=25°C
V
CE
=5V
200
100
50
20
10
5
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
Ta=100°C
25°C
55°C
200
100
50
I
C
/I
B
=50
20
10
20
10
1
2
5
10 20
50 100 200
50 100 200
500 1000
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
发射极电流:我
E
(MA )
图4集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流( )
图5集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流(
Fig.6
)
增益带宽积主场迎战
发射极电流
集电极输出电容:玉米棒(
pF的)
发射极输入电容: CIB
(PF )
100
50
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
200
100
50
Ta
=
25°C
f
=
1MHz
I
C
=
0A
20
10
20
10
5
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
5
0.1
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射极 - 基极电压: V
EB
(V)
图7集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
Fig.8
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD1781K
SOT-23
单位:mm
非常低V
CE ( SAT )
.V
CE ( SAT )
= -0.1V (典型值)I
C
/ I
B
= 500毫安/ 50毫安
+0.1
2.4
-0.1
高电流容量的紧凑型封装。
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
特点
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流*
集电极耗散功率
结温
储存温度
*单脉冲Pw = 100毫秒。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
T
英镑
等级
40
32
5
0.8
1.5
200
150
-55到+150
mW
单位
V
V
V
A
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
输出电容
跃迁频率
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
C
=50ìA
I
C
=1mA
I
E
=50ìA
V
CB
=20V
V
EB
=4V
0.1
120
150
15
Testconditons
40
32
5
0.5
0.5
0.4
390
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
CE ( SAT )
I
C
/I
B
=500mA/50mA
h
FE
f
T
C
ob
V
CE
= 3V ,我
C
=100mA
V
CE
= 5V ,我
E
= -50mA , F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
h
FE
分类
记号
h
FE
Q
120 270
AF
R
180 390
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
RoHS指令
2SD1781K
SOT-23-3L
2SD1781K
特点
功耗
P
CM
:
集电极电流
I
CM
晶体管( NPN )
1.
BASE
2.
辐射源
3.
集热器
1. 02
200
毫瓦(环境温度Tamb = 25℃)
0.8
A
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
:
40
V
工作和存储结温范围
T
J
T
英镑
: -55 ℃+ 150 ℃
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
除非另有规定编)
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
W
分类h及
FE(1)
Q
120-270
AFQ
R
180-390
AFR
范围
J
E
E
C
E
L
R
T
O
TEST
条件
IC 。
50
μA ,我
E
=0
IC 。
1
妈,我
B
=0
N
C
I
C
O
0.
0. 95 025
2. 80 05
0.
1. 60 0. 05
典型值
最大
0. 35
2. 92 0. 05
L
,
.
D
T
1. 9
单位
V
V
V
40
32
5
0.5
0.5
120
390
0.4
150
10
I
E
=
50
μA ,我
C
=0
V
CB
=
20
V,I
E
=0
V
EB
=
4
V,I
C
=0
V
CE
=
3
V,I
C
=
100
mA
A
A
I
EBO
h
FE(1)
V
CE ( SAT )
I
C
=
500
妈,我
B
=
50
mA
V
CE
=
5
V,I
C
=
50
毫安, F = 100MHz的
V
CB
=
10
V,I
E
=0, f=
1
兆赫
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
记号
永而佳电子有限公司。
HTTP : // www.wej.cn
电子信箱: wej@yongerjia.com
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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Rohm(罗姆)
22+
21256
原装原厂公司现货
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电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
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Bychip/百域芯
24+
30000
原装正品,可含税供应。品质保障
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电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
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ROHM/罗姆
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10000███★★(保证原装)★★
SOT23
原装正品现货样品可售长期货源
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电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
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N/A
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联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
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