2SD1760 / 2SD1864
晶体管
功率晶体管（ 50V ， 3A ）
2SD1760 / 2SD1864
!
特点
1 ）低V
CE （ SAT ）
.
V
CE （ SAT ）
= 0.5V （典型值）。
(I
C
/I
B
= 2A / 0.2A)
2 ）补充了2SB1184 / 2SB1243 。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
2SD1760
1.5±0.3
6.5±0.2
5.1
+0.2
0.1
C0.5
2.3
+0.2
0.1
0.5±0.1
0.9
2SD1864
6.8
±
0.2
2.5
±
0.2
5.5
+0.3
0.1
9.5±0.5
0.9
1.5
!
结构
外延平面型
NPN硅晶体管
0.9
0.55±0.1
2.3±0.2 2.3±0.2
1.0±0.2
(1)
(2)
(3)
0.5
±
0.1
2.54 2.54
14.5
±
0.5
0.75
0.65±0.1
2.5
0.65Max.
1.0
4.4
±
0.2
(1) (2) (3)
1.05
0.45
±
0.1
ROHM ： CPT3
EIAJ ： SC- 63
（ 1 ）基本
（ 2 ）集电极
（3）发射极
ROHM ： ATV
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
2SD1760
2SD1864
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
60
50
5
3
4.5
15
1
150
55~+150
单位
V
V
V
A（ DC ）
A（脉冲）
1
P
C
Tj
TSTG
W（锝= 25 ° C）
2
W
°C
°C
结温
储存温度
1
单脉冲，P
W
=100ms
2
印刷电路板， 1.7毫米厚，收藏家镀铜100毫米
2
或更大。
2SD1760 / 2SD1864
晶体管
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
利用脉冲电流测量。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （SAT）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
5
82
典型值。
0.5
90
40
马克斯。
1
1
1
390
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=40V
V
EB
=4V
I
C
/I
B
=2A/0.2A
条件
V
CE
=3V,
I
C
=0.5A
V
CE
=5V,
I
E
=500mA,
f=30MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
!
包装规格和h
FE
包
CODE
TYPE
2SD1760
2SD1864
h
FE
PQR
PQR
基本订购
单位（件）
TL
2500
TAPING
TV2
2500
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
P
82~180
Q
120~270
R
180~390
!
电气特性曲线
10
5
3.0
V
CE
=
3V
集电极电流：我
C
(A)
TA = 25°C
45mA
50mA
集电极电流：我
C
(A)
2.5
2.0
集电极电流：我
C
(A)
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
基地发射极电压： V
BE
(V)
TA = 100℃
25°C
25°C
40mA
35mA
30mA
25mA
20mA
3.0
2.5
2.0
1.5
20mA
15mA
50mA
45mA
40mA
35mA
30mA
25mA
TA = 25°C
15mA
1.5
10mA
10mA
1.0
0.5
0
0
5mA
1.0
I
B
= 5毫安
0.5
0
0
P
C
= 15W
I
B
= 0毫安
1
2
3
4
5
10
20
30
40
50
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
1000
500
直流电流增益：H
FE
图2接地发射极输出
特性（
Ι
)
1000
500
直流电流增益：H
FE
图3接地极 - 发射极输出
特性（
ΙΙ
)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
TA = 25°C
10
TA = 25°C
5
2
1
0.5
0.2
I
C
/I
B
= 50
0.1
0.05
0.02
0.01
0.010.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
10
V
CE
= 3V
200
100
50
V
CE
= 5V
200
100
50
20
10
5
2
TA = 100℃
3V
20
10
5
2
1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
1
2
5
10
25°C
25°C
1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4直流电流增益与
集电极电流（
Ι
)
图5直流电流增益与
收藏家柯伦（
ΙΙ
)
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
2SD1760 / 2SD1864
晶体管
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
基本饱和电压
: V
BE （SAT）
(V)
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
V
CE （SAT）
1
2
5
10
TA = 100℃
25°C
TA =
25°C
V
BE （SAT）
25°C
100°C
跃迁频率：F
T
（兆赫）
l
C
/l
B
= 10
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
TA = 25
°C
V
CE
= 5V
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
10
1000
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
TA = 25
°C
F = 1MHz的
I
E
= 0A
25°C
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
50 100 200
5001000
10 20
50 100
集电极电流：我
C
(A)
发射极电流：
I
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
基射极饱和电压
与集电极电流
图8的增益带宽积主场迎战
发射极电流
图9集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
瞬态热阻，R
th
（ ° C / W）
5
P
W
集电极电流：我
C
(A)
5
集电极电流：我
C
(A)
2
P
W
V
CE
=5v
I
C
=0.2A
100
Pw
=1
Pw
2
1
DC
00
=1
0m
=1
0m
s
1
0.5
DC
0.2
0.1
0.05
0.02 TA = 25℃
*单
脉冲
0.01
0.1 0.2 0.5 1
m
=1
00
s
s
ms
0.5
0.2
0.1
0.05 TA = 25℃
单身
不重复
0.02脉冲
0.2 0.5 1
10
1
2
5
10 20
50 100
0.1
1
10
100
1秒10秒100秒
2
5
10 20
50 100
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
期：T
（女士）
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图10安全工作区
(2SD1760)
图11瞬态热阻
(2SD1760)
图12安全工作区
(2SD1864)
瞬态热阻，R
牛逼
（ ° C / W）
100
10
1
0.1
1
10
100
1
10秒100秒1000sec
期：T
（女士）
图13瞬态热阻
(2SD1864)
QQ：2881677436 复制
