【】,IC型号2SD1753,2SD1753 PDF资料,2SD1753经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第22页 > 2SD1753

功率晶体管

2SD1753

硅NPN三重扩散平面型

单位：mm

7.0±0.3

3.5±0.2

对于功放的高正向电流传输比

7.2±0.3

0.8±0.2

3.0±0.2

1.0±0.2

q

q

q

高盼着电流传输比H

FE

的盼着电流传输比H良好的线性

FE

I型包使散热片直接焊接到

在印刷电路板，小型电子设备等。

(T

C

=25C)

评级

200

150

6

2.5

1

0.1

15

1.3

150

-55到+150

单位

V

V

10.2±0.3

10.0

–0.

+0.3

s

特点

1.1±0.1

0.75±0.1

0.85±0.1

0.4±0.1

2.3±0.2

4.6±0.4

1

2

3

s

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

基极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

I

B

P

C

T

j

T

英镑

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

I型包

3.5±0.2

2.0±0.2

7.0±0.3

单位：mm

0 0.15

7.2±0.3

V

A

A

A

W

C

3.0±0.2

1.0最大。

2.5

0.75±0.1

1.1±0.1

0.5 MAX 。

0.9±0.1

0 0.15

1

2

3

2.3±0.2

4.6±0.4

C

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

我型封装（ Y）

s

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极到发射极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

(T

C

=25C)

符号

I

CBO

I

EBO

V

首席执行官

h

FE *

V

CE （ SAT ）

f

T

条件

V

CB

= 200V ，我

E

= 0

V

EB

= 6V ，我

C

= 0

I

C

= 25毫安，我

B

= 0

V

CE

= 4V ，我

C

= 0.2A

I

C

= 0.5A ，我

B

= 0.02A

V

CE

= 4V ，我

C

= 0.1A ， F = 10MHz时

25

150

500

2000

1

V

兆赫

民

典型值

最大

100

100

单位

A

A

V

*

h

FE

等级分类

Q

P

秩

h

FE

500 1200 800 2000

2.5±0.2

1.0

2.5±0.2

1.0

1

功率晶体管

P

C

- TA

20

0.5

(1) T

C

= TA

（2）不带散热片

(P

C

=1.3W)

T

C

=25C

I

B

=400A

350A

300A

0.3

250A

200A

0.2

150A

100A

0.1

50A

(2)

0

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

0

2

4

6

8

10

12

2SD1753

I

C

— V

CE

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

10

V

CE （ SAT ）

— I

C

I

C

/I

B

=25

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

(A)

0.4

15

(1)

3

T

C

=100C

1

10

0.3

25C

–25C

0.1

5

0.03

0.01

0.01

0.03

0.1

0.3

1

3

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

(A)

V

BE （ SAT ）

— I

C

10000

h

FE

— I

C

10000

V

CE

=4V

3000

1000

300

100

30

10

3

1

0.01 0.03

I

C

/I

B

=25

f

T

— I

C

V

CE

=4V

f=10MHz

T

C

=25C

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

10

正向电流传输比H

FE

T

C

=100C

25C

–25C

3

25C

1

T

C

=100C

1000

300

100

30

10

3

–25C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01

0.03

0.1

0.3

1

3

1

0.01 0.03

0.1

0.3

1

3

10

过渡频率f

T

（兆赫）

3000

0.1

0.3

1

3

10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

安全操作区（ ASO ）

100

30

10

3

非重复脉冲

T

C

=25C

R

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个50

×

50

×

2毫米铝散热片

热阻R

th

（吨）（ C / W）

集电极电流I

C

(A)

10

3 I

CP

1

0.3

0.1

0.03

0.01

1

3

10

30

100

300

1000

I

C

10ms

t=1ms

10

2

(1)

(2)

10

300ms

1

10

–1

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

10

2

10

3

10

4

集电极到发射极电压V

CE

(V)

时间t （S ）

2

查看更多2SD1753PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

2SD1753

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

2SD1753

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

德国显周集团有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

2SD1753

√ 欧美㊣品

▲10/11+

8870

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

深圳勤思达科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881239445 复制

电话：0755-83264115

联系人：朱生

地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座

2SD1753

MAT

12+

10000

TO-263

全新原装，绝对正品，公司现货供应

查询更多2SD1753供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！