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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1729
描述
·采用TO- 3PN封装
·内置阻尼二极管
·高电压,高转速
·安全运行的广域
应用
·对于水平偏转输出应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
700
7
3.5
10
1.5
60
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
条件
I
E
= 500毫安;我
C
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.8A
I
C
= 3A ;我
B
=0.8A
V
CB
= 750V ;我
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 1500V ;我
E
=0
h
FE
f
T
V
F
直流电流增益
跃迁频率
二极管的正向电压
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
I
F
=-3.5A,I
B
=0
5
2
7
2SD1729
符号
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
典型值。
最大
单位
V
8.0
1.5
10
1
25
V
V
A
mA
兆赫
2.0
V
开关时间
t
s
t
f
贮存时间
I
C
= 3A ;我
B1
=0.8A
I
B2
= -1.6A V
CC
=200V
下降时间
0.2
s
1.5
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1729
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
这种材料版权归其各自的制造商
这种材料版权归其各自的制造商
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1729
描述
·带
TO- 3PN封装
.Built式
阻尼二极管
电压,高速
ùWide
安全工作区
应用
For
水平偏转输出应用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
700
7
3.5
10
1.5
60
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
典型值。
2SD1729
最大
单位
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 500毫安;我
C
=0
7
V
V
CESAT
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
=0.8A
I
C
= 3A ;我
B
=0.8A
8.0
V
基射极饱和电压
1.5
V
μA
V
CB
= 750V ;我
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 1500V ;我
E
=0
10
1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
5
25
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
2
兆赫
V
F
二极管的正向电压
I
F
=-3.5A,I
B
=0
2.0
V
开关时间
μs
μs
t
s
贮存时间
I
C
= 3A ;我
B1
=0.8A
I
B2
= -1.6A V
CC
=200V
1.5
t
f
下降时间
0.2
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1729
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
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PANASONIC/松下
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