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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1713
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 120V （最小值）
良好
h的线性度
FE
ùWide
安全工作区
.Complement
到类型2SB1158
应用
·设计
对于大功率放大器的应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
120
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
120
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
集电极电流连续
6
A
I
CP
集电极电流脉冲
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
10
A
70
W
P
C
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
T
J
结温
3
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SD1713
典型值。
最大
单位
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 0.4A
B
2.0
V
基地发射极电压上
I
C
= 4A ; V
CE
= 5V
1.8
V
μA
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 120V ;我
E
= 0
50
I
EBO
h
FE-1
发射Cuto FF电流
V
EB
= 3V ;我
C
= 0
I
C
= 20mA下; V
CE
= 5V
20
50
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
60
200
h
FE-3
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
= 5V
20
C
OB
集电极输出电容
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
85
pF
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
20
兆赫
h
FE-2
分类
Q
60-120
S
80-160
P
100-200
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1716
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 160V （最小）。
良好
h的线性度
FE
ùWide
安全工作区
.Complement
到类型2SB1161
应用
·设计
对于大功率放大器的应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
160
V
160
V
5
V
12
A
20
A
120
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3
I
CP
集电极电流脉冲
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
T
J
结温
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SD1716
典型值。
最大
单位
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
I
CBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 8A ;我
B
= 0.8A
B
2.0
V
基地发射极电压上
I
C
= 8A ; V
CE
= 5V
1.8
V
μA
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 160V ;我
E
= 0
50
I
EBO
h
FE-1
发射Cuto FF电流
V
EB
= 3V ;我
C
= 0
I
C
= 20mA下; V
CE
= 5V
20
50
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
h
FE-3
直流电流增益
C
OB
集电极输出电容
f
T
电流增益带宽积
h
FE-2
分类
Q
60-120
S
80-160
w
P
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
60
I
C
= 8A ; V
CE
= 5V
20
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 5V
200
250
pF
20
兆赫
100-200
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295T220F103A11
2SD1691
2N6806
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