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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1712
描述
·采用TO- 3PFa包
·补键入2SB1157
·高转换频率f
T
· h的线性满意
FE
·安全运行的广域
应用
·对于高功率放大器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
C
=25
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
3
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
100
100
5
5
8
60
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 3A ，我
B
=0.3A
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
EB
= 3V ;我
C
=0
I
C
= 20mA下; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
20
60
20
民
2SD1712
符号
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE -2
h
FE -3
C
OB
f
T
典型值。
最大
2.0
1.8
50
50
单位
V
V
A
A
200
70
20
pF
兆赫
h
FE-2
分类
Q
60-120
S
80-60
P
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1712
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1712
描述
·带
TO- 3PFa包
.Complement
键入2SB1157
高
过渡频率f
T
·满意
h的线性度
FE
ùWide
安全工作区
应用
For
高功率放大器应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
3
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
100
100
5
5
8
60
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD1712
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ，我
B
=0.3A
2.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
1.8
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 100V ;我
E
=0
50
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 3V ;我
C
=0
50
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 20mA下; V
CE
=5V
20
h
FE -2
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
60
200
h
FE -3
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
20
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
70
pF
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
20
兆赫
h
FE-2
分类
Q
60-120
S
80-60
P
100-200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1712
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
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    2SD1712
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    -
    -
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