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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1705
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 80V (最小值)
良好
h的线性度
FE
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE(
SAT
)
= 0.5V (最大值) @我
C
= 6A
.Complement
到类型2SB1154
应用
·设计
电源开关应用
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
130
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
80
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7
V
I
C
集电极电流连续
10
A
I
CP
集电极电流脉冲
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
20
A
70
W
P
C
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
T
J
结温
3
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
( BR ) CEO
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
V
BE
(sat)-1
V
BE
(sat)-2
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
条件
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
I
C
= 6A ;我
B
= 0.3A
B
2SD1705
80
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.5
1.5
2.5
10
50
45
90
30
20
260
V
V
V
V
μA
μA
I
C
= 10A ;我
B
= 1A
I
C
= 6A ;我
B
= 0.3A
B
I
C
= 10A ;我
B
= 1A
V
CB
= 100V ;我
E
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 2V
I
C
= 3A ; V
CE
= 2V
I
C
= 6A ; V
CE
= 2V
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=
6A ,我
B1
= -I
B2
= 0.6A;
V
CC
= 50V
0.5
2.0
0.2
μs
μs
μs
h
FE-2
分类
Q
90-180
P
130-260
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
功率晶体管
2SD1705
NPN硅外延平面型
单位:mm
对于开关电源
补充2SB1154
21.0
±0.5
(0.7)
15.0
±0.3
11.0
±0.2
5.0
±0.2
(3.2)
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
正向电流传输比H良好的线性
FE
大的集电极电流I
C
这可以用一个可安装在散热片的全包包
螺丝
φ
3.2
±0.1
15.0
±0.2
(3.5)
浸焊
2.0
±0.2
1.1
±0.1
2.0
±0.1
0.6
±0.2
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
T
a
=
25°C
结温
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
130
80
7
10
20
70
3.0
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
W
16.2
±0.5
5.45
±0.3
10.9
±0.5
1
2
3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
EIAJ :SC- 92
TOP- 3F -A1套餐
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
符号
V
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2 *
h
FE3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
基射极饱和电压
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
I
C
=
10毫安,我
B
=
0
V
CB
=
100 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
V
CE
=
2 V,I
C
=
0.1 A
V
CE
=
2 V,I
C
=
3 A
V
CE
=
2 V,I
C
=
6 A
I
C
=
6 A,I
B
=
0.3 A
I
C
=
10 A,I
B
=
1 A
I
C
=
6 A,I
B
=
0.3 A
I
C
=
10 A,I
B
=
1 A
V
CE
=
10 V,I
C
=
0.5 A,F
=
1兆赫
I
C
=
6 A,I
B1
=
0.6 A,I
B2
=
0.6 A
V
CC
=
50 V
20
0.5
2.0
0.2
45
90
30
0.5
1.5
1.5
2.5
兆赫
s
s
s
V
V
260
80
10
50
典型值
最大
单位
V
A
A
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
h
FE2
Q
90至180
P
130 260
SJD00210BED
出版日期: 2003年9月
1
2SD1705
P
C
T
a
120
(1)T
C
= TA
(2)在一个100 ×100× 2毫米
铝散热器
( 3 )不带散热片
(P
C
=3.0W)
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
20
T
C
=25C
I
B
=400mA
V
CE ( SAT )
I
C
10
(1) I
C
/I
B
=10
(2) I
C
/I
B
=20
T
C
=25C
集电极耗散功率P
C
(W)
100
16
80
(1)
集电极电流I
C
(A)
12
250mA
200mA
160mA
120mA
100mA
80mA
60mA
40mA
20mA
1
(2)
60
(1)
8
40
0.1
20
4
(2)
(3)
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
V
BE ( SAT )
I
C
100
h
FE
I
C
I
C
/I
B
=10
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=10
V
CE
=2V
1 000
10
正向电流传输比H
FE
1
T
C
=100C
T
C
=100C
25C
100
–25C
1
T
C
=–25C
100C
25C
25C
0.1
–25C
10
0.1
0.01
0.1
1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
1
0.1
1
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
I
C
导通时间t
on
,存储时间t
英镑
,下降时间t
f
(
s
)
1 000
V
CE
=10V
f=1MHz
T
C
=25C
t
on
, t
英镑
, t
f
I
C
100
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
I
C
/I
B
=10(I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=50V
T
C
=25C
安全工作区
100
非重复脉冲
T
C
=25C
I
CP
t=10ms
过渡频率f
T
(兆赫)
集电极电流I
C
(A)
100
10
t
英镑
10
I
C
t=1ms
DC
10
1
t
on
t
f
1
1
0.1
0.1
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
0.01
1
10
100
1 000
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2
SJD00210BED
2SD1705
R
th
t
10
4
注释:R
th
测量在Ta = 25℃,在自然对流。
(1)P
T
= 10V × 0.2A ( 2W )和不带散热片
(2)P
T
= 10V × 1.0A ( 10W )中,用一个100 ×100× 2毫米铝散热器
热阻R
th
( ° C / W)
10
3
10
2
(1)
10
(2)
1
10
1
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
SJD00210BED
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方,也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器
ments和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计,采购,或使用的最后阶段
的产品,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保
最新的规格满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
功率晶体管
2SD1705
NPN硅外延平面型
单位:mm
对于开关电源
补充2SB1154
21.0
±0.5
(0.7)
15.0
±0.3
11.0
±0.2
5.0
±0.2
(3.2)
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
正向电流传输比H良好的线性
FE
大的集电极电流I
C
这可以用一个可安装在散热片的全包包
螺丝
φ
3.2
±0.1
15.0
±0.2
(3.5)
浸焊
2.0
±0.2
1.1
±0.1
2.0
±0.1
0.6
±0.2
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
T
a
=
25°C
结温
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
130
80
7
10
20
70
3.0
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
W
16.2
±0.5
5.45
±0.3
10.9
±0.5
1
2
3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
EIAJ :SC- 92
TOP- 3F -A1套餐
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
符号
V
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2 *
h
FE3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
基射极饱和电压
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
I
C
=
10毫安,我
B
=
0
V
CB
=
100 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
V
CE
=
2 V,I
C
=
0.1 A
V
CE
=
2 V,I
C
=
3 A
V
CE
=
2 V,I
C
=
6 A
I
C
=
6 A,I
B
=
0.3 A
I
C
=
10 A,I
B
=
1 A
I
C
=
6 A,I
B
=
0.3 A
I
C
=
10 A,I
B
=
1 A
V
CE
=
10 V,I
C
=
0.5 A,F
=
1兆赫
I
C
=
6 A,I
B1
=
0.6 A,I
B2
=
0.6 A
V
CC
=
50 V
20
0.5
2.0
0.2
45
90
30
0.5
1.5
1.5
2.5
兆赫
s
s
s
V
V
260
80
10
50
典型值
最大
单位
V
A
A
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
h
FE2
Q
90至180
P
130 260
SJD00210BED
出版日期: 2003年9月
1
2SD1705
P
C
T
a
120
(1)T
C
= TA
(2)在一个100 ×100× 2毫米
铝散热器
( 3 )不带散热片
(P
C
=3.0W)
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
20
T
C
=25C
I
B
=400mA
V
CE ( SAT )
I
C
10
(1) I
C
/I
B
=10
(2) I
C
/I
B
=20
T
C
=25C
集电极耗散功率P
C
(W)
100
16
80
(1)
集电极电流I
C
(A)
12
250mA
200mA
160mA
120mA
100mA
80mA
60mA
40mA
20mA
1
(2)
60
(1)
8
40
0.1
20
4
(2)
(3)
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
V
BE ( SAT )
I
C
100
h
FE
I
C
I
C
/I
B
=10
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=10
V
CE
=2V
1 000
10
正向电流传输比H
FE
1
T
C
=100C
T
C
=100C
25C
100
–25C
1
T
C
=–25C
100C
25C
25C
0.1
–25C
10
0.1
0.01
0.1
1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
1
0.1
1
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
I
C
导通时间t
on
,存储时间t
英镑
,下降时间t
f
(
s
)
1 000
V
CE
=10V
f=1MHz
T
C
=25C
t
on
, t
英镑
, t
f
I
C
100
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
I
C
/I
B
=10(I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=50V
T
C
=25C
安全工作区
100
非重复脉冲
T
C
=25C
I
CP
t=10ms
过渡频率f
T
(兆赫)
集电极电流I
C
(A)
100
10
t
英镑
10
I
C
t=1ms
DC
10
1
t
on
t
f
1
1
0.1
0.1
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8
0.01
1
10
100
1 000
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
2
SJD00210BED
2SD1705
R
th
t
10
4
注释:R
th
测量在Ta = 25℃,在自然对流。
(1)P
T
= 10V × 0.2A ( 2W )和不带散热片
(2)P
T
= 10V × 1.0A ( 10W )中,用一个100 ×100× 2毫米铝散热器
热阻R
th
( ° C / W)
10
3
10
2
(1)
10
(2)
1
10
1
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
SJD00210BED
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
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抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方,也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
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产品或如在本材料中描述的技术。
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电子设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器
ments和家用电器) 。
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特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
可靠性是必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计,采购,或使用的最后阶段
的产品,因此,要求的最先进的最新产品标准提前,以确保
最新的规格满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,符合保障的价值,特别是对马克西 -
妈妈等级,工作电源电压的范围内,和热辐射特性。其它 -
明智的,我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到审议
分解,失效模式,可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上,如冗余设计,火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用
产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括
保质期的时间,让站在非密封件)同意在规格表后,
单独交流。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1705
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 80V (最小值)
良好
h的线性度
FE
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE(
SAT
)
= 0.5V (最大值) @我
C
= 6A
.Complement
到类型2SB1154
应用
·设计
电源开关应用
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
130
V
80
V
7
V
10
A
20
A
70
W
I
C
集电极电流连续
I
CP
集电极电流脉冲
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
T
J
结温
3
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
( BR ) CEO
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
V
BE
(sat)-1
V
BE
(sat)-2
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
I
C
= 6A ;我
B
= 0.3A
B
2SD1705
80
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.5
1.5
2.5
10
50
V
V
V
V
μA
μA
I
C
= 10A ;我
B
= 1A
I
C
= 6A ;我
B
= 0.3A
B
I
C
= 10A ;我
B
= 1A
V
CB
= 100V ;我
E
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
电流增益带宽积
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 2V
I
C
= 3A ; V
CE
= 2V
45
90
I
C
= 6A ; V
CE
= 2V
30
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V
I
C
=
6A ,我
B1
= -I
B2
= 0.6A;
V
CC
= 50V
260
20
兆赫
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
0.5
2.0
0.2
μs
μs
μs
h
FE-2
分类
Q
90-180
P
130-260
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
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