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这种材料版权归其各自的制造商
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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1632
描述
·带
TO- 3PFa包
高
电压，高速
.Built式
阻尼二极管
ùWide
安全工作区
应用
For
水平偏转输出应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
C
T
j
T
英镑
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极开路
集电极开路
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
OR
CT
U
价值
1500
5
4
15
3.5
70
130
-55~130
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1632
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 500毫安，我
C
=0
5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ，我
B
=1A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 3A ，我
B
=1A
1.5
V
V
CB
= 750V ;我
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 1500V ;我
E
=0
50
μA
1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
=10V
5
V
F
开关时间
t
英镑
t
f
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
二极管的正向电压
I
C
=-4A
贮存时间
I
C
=3A
I
B
结束
=1A;L
泄漏
=5μH
下降时间
OR
CT
U
2.2
9
15
V
4
μs
0.8
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1632
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1632
描述
·带
TO- 3PFa包
高
电压，高速
.Built式
阻尼二极管
ùWide
安全工作区
应用
For
水平偏转输出应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
集电极开路
价值
1500
5
4
15
3.5
70
130
-55~130
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1632
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 500毫安，我
C
=0
5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ，我
B
=1A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 3A ，我
B
=1A
1.5
V
V
CB
= 750V ;我
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 1500V ;我
E
=0
50
μA
1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
=10V
5
15
V
F
二极管的正向电压
I
C
=-4A
2.2
V
开关时间
t
英镑
贮存时间
I
C
=3A
I
B
结束
=1A;L
泄漏
=5μH
4
9
μs
t
f
下降时间
0.8
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1632
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1632
描述
·采用TO- 3PFa包
·高电压，高转速
·内置阻尼二极管
·安全运行的广域
应用
·对于水平偏转输出应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
集电极开路
价值
1500
5
4
15
3.5
70
130
-55~130
单位
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1632
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
典型值。
最大
单位
符号
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 500毫安，我
C
=0
5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ，我
B
=1A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 3A ，我
B
=1A
1.5
V
V
CB
= 750V ;我
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 1500V ;我
E
=0
50
A
1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
=10V
5
15
V
F
二极管的正向电压
I
C
=-4A
2.2
V
开关时间
t
英镑
贮存时间
I
C
=3A
I
B
结束
=1A;L
泄漏
=5H
4
9
s
t
f
下降时间
0.8
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1632
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.30毫米）
3
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29-7402-500
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