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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第237页 > 2SD1628
订购数量: EN1781A
NPN外延平面硅晶体管
2SD1628
大电流开关应用
应用
·闪光灯的DC-DC转换器,继电器驱动器,锤
司机,灯驱动器,电机场子。
包装尺寸
单位:mm
2038A
[2SD1628]
4.5
1.6
1.5
特点
·低饱和电压。
FE
.
·大电流的能力。
·超小尺寸使其易于提供高
密度,小尺寸的混合IC的。
0.4
3
1.5
2
3.0
0.75
0.5
1
1.0
4.25max
2.5
0.4
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
三洋: PCP
(底视图)
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板上( 250毫米
2
×
0.8mm)
条件
评级
60
20
6
5
8
500
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
W
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
COB
VCB = 50V , IE = 0
VEB = 5V , IC = 0
VCE = 2V , IC = 0.5A
VCE = 2V , IC = 3A
VCE = 10V , IC = 50毫安
VCB = 10V , F = 1MHz的
120*
95
120
45
兆赫
pF
条件
评级
典型值
最大
100
100
560*
单位
nA
nA
*该2SD1628是按0.5A
FE
如下:
120
标记: DK
E
200
160
F
320
280
G
560
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
21599TH ( KT ) / 5277KI / 3045MW , TS No.1781-1 / 4
2SD1628
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
开启时间
Strage时间
下降时间
符号
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
TSTG
tf
IC = 3A , IB = 60毫安
IC = 3A , IB = 60毫安
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
30
300
40
条件
评级
典型值
最大
500
1.5
单位
mV
V
ns
ns
ns
开关时间测试电路
No.1781–2/4
2SD1628
No.1781–3/4
2SD1628
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制,
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,而不三洋电机有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠,但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的2月, 1999年规范和信息此处如有
更改,恕不另行通知。
PS No.1781-4 / 4
该数据表已经从下载:
www.datasheetcatalog.com
数据表的电子元件。
SMD型
晶体管
NPN外延平面硅晶体管
2SD1628
特点
低饱和电压。
高的hFE 。
大电流的能力。
非常小的尺寸使其易于提供高密度,
小尺寸的混合IC '
s.
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
结温
储存温度
*安装在陶瓷板上( 250mm2X0.8mm )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
P
C *
T
j
T
英镑
等级
60
20
6
5
8
500
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
W
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SD1628
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启timie
贮存时间
打开-O FF时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= 50 V,I
E
=0
V
EB
= 5 V,I
C
=0
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.5 A
V
CE
= 10 V,I
C
= 50毫安
V
CB
= 10 V , F = 1.0MHz的
晶体管
二极管
典型值
最大
100
100
单位
nA
nA
120
120
45
560
兆赫
pF
500
1.5
mV
V
V
V
V
30
300
40
ns
ns
ns
V
CE ( SAT )
I
C
= 3 A,I
B
= 60毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= 3 A,I
B
= 60毫安
V
( BR ) CBO
I
C
= 10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 1毫安,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= 10ìA ,我
C
= 0
TSTG
tf
60
20
6
h
FE
分类
记号
的hFE
E
120 200
DK
F
160 320
G
280 560
2
www.kexin.com.cn
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2SD1628
初步
NPN硅晶体管
大电流切换
应用
特点
*低饱和电压。
*高
FE
.
*大电流的能力。
1
SOT-89
无铅:
2SD1628L
无卤: 2SD1628G
订购信息
正常
2SD1628-x-AB3-R
订购数量
无铅电镀
2SD1628L-x-AB3-R
无卤
2SD1628G-x-AB3-R
SOT-89
引脚分配
1
2
3
B
C
E
填料
带盘
www.unisonic.com.tw
2009 Unisonic技术有限公司
10F中3
QW-R208-045.a
2SD1628
参数
初步
NPN硅晶体管
ABSOLUATE最大信号额定值
( TA = 25°C )
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
60
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
20
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
6
V
DC
I
C
5
A
集电极电流
脉冲
I
CP
8
A
集电极耗散
P
C
0.5
W
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
C
ob
输出电容
跃迁频率
f
T
t
ON
t
S
t
F
测试条件
I
C
= 3A ,我
B
=60mA
I
C
= 3A ,我
B
=60mA
V
CB
= 50V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=0.5A
V
CE
= 2V ,我
C
=3A
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
V
CE
= 10V ,我
C
=50mA
请参阅特定网络版测试电路
120
95
典型最大单位
500毫伏
1.5
V
100
nA
100
nA
560
45
120
30
300
40
pF
兆赫
ns
ns
ns
启动时间
贮存时间
下降时间
分类h及
FE1
范围
E
120 ~ 200
F
160 ~ 320
G
280 ~ 560
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 3
QW-R208-045.a
2SD1628
初步
NPN硅晶体管
开关时间测试电路
I
B1
输入
1
I
B2
PW=10μS
Duty=2%
t
R
, t
F
≤7ms
50
200V
R
5
产量
-5V
单位(电阻: Ω ,电容: F)
10V
10I
B1
= -10I
B2
=I
C
=2A
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的,被认为是准确的
可靠,可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3 3
QW-R208-045.a
订购数量: EN1781B
2SD1628
双极晶体管
20V ,5A ,低VCE (SAT) , NPN单PCP
应用
http://onsemi.com
选通的DC-DC转换器,继电器驱动器,音锤驱动器,灯驱动器,马达场子
特点
高的hFE
低饱和电压
电流容量大
非常小的尺寸使得它容易地提供高密度,小尺寸的混合IC的
无卤合规
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
条件
评级
60
20
6
5
8
单位
V
V
V
A
A
接下页。
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7007B-004
顶视图
4.5
1.6
1.5
产品&包装信息
: PCP
JEITA , JEDEC
: SC - 62 , SOT- 89 , TO- 243
最小包装数量: 1000个/卷。
2SD1628G-TD-E
2SD1628G-TD-H
2SD1628F-TD-E
2SD1628F-TD-H
包装类型: TD
记号
TD
DK
1.0
1
0.4
0.5
1.5
3.0
2
3
0.4
电气连接
2
0.75
1
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
底部视图
3
PCP
半导体元件工业有限责任公司, 2013
九月, 2013
82212 TKIM / 21599TH ( KT ) / 5277KI / 3045MW , TS No.1781-1 / 6
LOT号
2.5
4.0
2SD1628
从接下页。
参数
集电极耗散
结温
储存温度
符号
PC
Tj
TSTG
条件
当安装在陶瓷基体( 250毫米
×0.8mm)
2
评级
500
1.5
150
-
-55到+150
单位
mW
W
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作
条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响器件的可靠性。
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
COB
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
TSTG
tf
VCB = 50V , IE = 0A
VEB = 5V , IC = 0A
VCE = 2V , IC = 0.5A
VCE = 2V , IC = 3A
VCE = 10V , IC = 50毫安
VCB = 10V , F = 1MHz的
IC = 3A , IB = 60毫安
IC = 3A , IB = 60毫安
30
请参阅特定网络版测试电路。
300
40
120*
95
120
45
500
1.5
兆赫
pF
mV
V
ns
ns
ns
条件
评级
典型值
最大
100
100
560*
单位
nA
nA
*
:本2SD1628分类是由科幻0.5A的hFE编如下:
的hFE
E
120至200
F
160到320
G
280 560
开关时间测试电路
PW=10μs
D.C.=2%
TR , TF
7ms
输入
IB1
产量
IB2
200VR
50Ω
1μF
+
1μF
+
VBE = --5V
VCC=10V
IC = 10IB1 = --10IB2 = 2A
订购信息
设备
2SD1628G-TD-E
2SD1628G-TD-H
2SD1628F-TD-E
2SD1628F-TD-H
PCP
PCP
PCP
PCP
航运
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
备忘录
无铅
无铅和无卤素
无铅
无铅和无卤素
5
IC - VCE
A
mA
80m
集电极电流, IC - 一个
集电极电流, IC - 一个
4
30mA
20mA
15mA
1.6
10
4
0mA
mA
脉冲
60
mA
2.0
IC - VCE
8mA
脉冲
3
100
6mA
1.2
4mA
0.8
2
10mA
5mA
1
2mA
0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
IB=0
0.8
1.0
ITR10003
0
0
0.4
0.8
1.2
IB=0
1.6
2.0
ITR10004
集电极 - 发射极电流, VCE - V
集电极 - 发射极电压VCE - V
No.1781-2/6
2SD1628
5
IC - VBE
VCE=2V
脉冲
1000
7
5
的hFE - IC
VCE=2V
脉冲
集电极电流, IC - 一个
4
直流电流增益, hFE参数
3
2
3
100
7
5
3
2
1
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
ITR10005
2
10
10
2
3
5
100
2
3
5
1000
2
3
5
基极发射极电压VBE - V
1000
F T - IC
集电极电流, IC - 毫安
ITR10006
COB - VCB
增益带宽积, F T - 兆赫
7
5
3
2
VCE=10V
脉冲
输出电容,科夫 - pF的
100
7
5
f=1MHz
脉冲
100
7
5
3
2
10
10
2
3
5
7
100
2
3
5
3
2
集电极电流, IC - 毫安
3
2
1000
ITR10007
7
10
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
VCE (SAT) - IC
集电极 - 基极电压VCB - V
1.8
1.6
100
ITR10008
7
PC - TA
IC / IB = 50
脉冲
集电极耗散,电脑 - 含
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
1.0
7
5
3
2
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
M
ou
nt
ed
on
ac
er
am
ic
bo
ar
d(
25
0m
0.1
7
5
3
0.1
证号H
吃s
m
2
0
.8
m
m
)
2
3
5
7
1.0
2
3
5
集电极电流, IC - 一个
10
7
5
10
ITR10009
7
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
ITR10010
ASO
集电极电流, IC - 一个
3
2
IC
ICP
s
1m
s
m
10
10
DC
0m
s
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
op
ERA
TIO
n
单脉冲
安装在陶瓷板( 250毫米
2
0.8mm)
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
集电极 - 发射极电压VCE - V
ITR10011
No.1781-3/6
2SD1628
袋装特定网络阳离子
2SD1628G - TD -E , 2SD1628G - TD -H , 2SD1628F - TD -E , 2SD1628F - TD -H
No.1781-4/6
2SD1628
外形绘图
盘图形示例
2SD1628G - TD -E , 2SD1628G - TD -H , 2SD1628F - TD -E , 2SD1628F - TD -H
质量(g )单位
0.058 mm
*仅供参考
单位:mm
2.2
0.9
45°
1.0
1.5
1.0
3.0
1.5
1.8
3.7
45°
No.1781-5/6
SMD型
晶体管
二极管
产品speci fi cation
2SD1628
特点
低饱和电压。
高的hFE 。
大电流的能力。
非常小的尺寸使其易于提供高密度,
小尺寸的混合IC '
s.
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
结温
储存温度
*安装在陶瓷板上( 250mm2X0.8mm )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
P
C *
T
j
T
英镑
等级
60
20
6
5
8
500
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
W
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
二极管
产品speci fi cation
2SD1628
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启timie
贮存时间
打开-O FF时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= 50 V,I
E
=0
V
EB
= 5 V,I
C
=0
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.5 A
V
CE
= 10 V,I
C
= 50毫安
V
CB
= 10 V , F = 1.0MHz的
120
120
45
500
1.5
60
20
6
30
300
40
典型值
最大
100
100
560
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
nA
nA
V
CE ( SAT )
I
C
= 3 A,I
B
= 60毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= 3 A,I
B
= 60毫安
V
( BR ) CBO
I
C
= 10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 1毫安,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= 10ìA ,我
C
= 0
TSTG
tf
h
FE
分类
记号
的hFE
E
120 200
DK
F
160 320
G
280 560
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
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电话:13528893675
联系人:朱先生
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