SMD型
晶体管
NPN外延平面硅晶体管
2SD1620
特点
由于低V少功耗
CE （ SAT ）
,
允许光的多闪光被发射。
大电流容量和高击穿性。
的hFE在低地区出色的线性度
以高电流的电流。
超小的尺寸提供高密度， ultrasmallsized
混合集成电路的设计。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
*安装在陶瓷板上（ 250平方毫米× 0.8毫米）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
30
25
6
3
5
500
1.3
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= 20 V，I
E
=0
V
EB
= 4 V，I
C
=0
V
CE
= 2 V，I
C
= 3 A
V
CE
= 10 V，I
C
= 50毫安
V
CB
= 10 V ， F = 1.0MHz的
140
210
200
30
0.3
30
20
10
6
0.4
兆赫
pF
V
V
V
V
V
民
典型值
最大
100
100
单位
nA
nA
V
CE （ SAT ）
I
C
= 3 A，I
B
= 60毫安
V
（ BR ） CBO
I
C
= 10ìA ，我
E
= 0
V
（ BR ） CEX
I
C
= 1mA时， V
BE
= 3 V
V
（ BR ） CEO
I
C
= 1毫安，R
BE
=
V
（ BR ） EBO
I
E
= 10ìA ，我
C
= 0
www.kexin.com.cn
1
订购数量： EN1719C
2SD1620
三洋半导体
数据表
2SD1620
特点
NPN外延平面硅晶体管
1.5V ， 3V频闪应用
由于低VCE少功耗（SAT） ，允许光线更加闪烁发光。
大电流容量和高击穿性。
hFE参数在该地区的高电流低电流出色的线性度。
超小尺寸支持高密度，超小尺寸的混合集成电路的设计。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEX
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 250毫米
0.8mm)
2
条件
评级
30
20
10
6
3
5
500
1.3
150
--55到150
单位
V
V
V
V
A
A
mW
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCB = 20V ， IE = 0A
VEB = 4V ， IC = 0A
VCE = 2V ， IC = 3A
VCE = 10V ， IC = 50毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
140
210
200
30
兆赫
pF
条件
评级
民
典型值
最大
100
100
单位
nA
nA
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
31010EA TK IM / 31005TN （ PC ） / 21599TH （ KT ） / N1596TS （ KOTO ） 8-7707 / 5277KI / 3045MW ， TS No.1719-1 / 4
2SD1620
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，或其他方式，
没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照，应准予
关于知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或任何第三
派对。三洋半导体有限公司。不得与有关第三方的任何索赔或诉讼承担责任
这导致从使用的技术信息和产品中提到的知识产权
以上。
该目录规定的3月， 2010年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.1719-4 / 4
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SD1620
特点
由于低V少功耗
CE （ SAT ）
,
允许光的多闪光被发射。
大电流容量和高击穿性。
的hFE在低地区出色的线性度
以高电流的电流。
超小的尺寸提供高密度， ultrasmallsized
混合集成电路的设计。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
*安装在陶瓷板上（ 250平方毫米× 0.8毫米）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
30
25
6
3
5
500
1.3
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= 20 V，I
E
=0
V
EB
= 4 V，I
C
=0
V
CE
= 2 V，I
C
= 3 A
V
CE
= 10 V，I
C
= 50毫安
V
CB
= 10 V ， F = 1.0MHz的
140
210
200
30
0.3
30
20
10
6
0.4
兆赫
pF
V
V
V
V
V
民
典型值
最大
100
100
单位
nA
nA
V
CE （ SAT ）
I
C
= 3 A，I
B
= 60毫安
V
（ BR ） CBO
I
C
= 10ìA ，我
E
= 0
V
（ BR ） CEX
I
C
= 1mA时， V
BE
= 3 V
V
（ BR ） CEO
I
C
= 1毫安，R
BE
=
V
（ BR ） EBO
I
E
= 10ìA ，我
C
= 0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
QQ：2881677436 复制
