【数据表硅晶体管2SD1615 ， 2SD1615ANPN硅外延晶体管POWER MINI模具描述2S】,IC型号2SD1615AGP,2SD1615AGP PDF资料,2SD1615AGP经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

硅晶体管

2SD1615 ， 2SD1615A

NPN硅外延晶体管

POWER MINI模具

描述

2SD1615 ， 1615A是专为音频功率放大器和开关的应用，尤其是在混合动力

集成电路。

特点

世界标准小型封装

低V

CE （SAT）

CE （ SAT ）

= 0.15 V

补到2SB1115 ， 2SD1115A

包装尺寸

以毫米为单位

4.5

0.1

1.6

0.2

1.5

0.1

绝对最大额定值

最大电压和电流（T

= 25°C)

2SD1615 2SD1615A

集电极 - 基极电压

CBO

120

集电极到发射极电压

首席执行官

发射器基极电压

EBO

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

最大功率耗散

总功耗

2.0

在25 °C环境温度

最高温度

150

结温

存储温度范围

英镑

-55到+150

0.8分钟。

°C

0.42

0.06

0.42

0.06

1.5 0.47

0.06

3.0

1.发射器

2.收集

3. BASE

0.41

+ 0.03

– 0.05

≤

10毫秒，占空比

≤

50%

当安装在为16cm的陶瓷基片

0.7 mm

电气特性（T

= 25

特征

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极饱和电压

基本饱和电压

基地发射极电压

增益带宽积

输出电容

符号

CBO

EBO

FE1

FE2

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

分钟。

典型值。

马克斯。

100

单位

2SD1615

2SD1615A

2SC1615

2SD1615A

测试条件

= 60 V，I

= 0

= 120 V，I

= 0

= 2.0 V，I

= 100毫安

= 6.0 V，I

= 0

135

290

270

0.15

0.9

600

400

0.3

1.2

700

兆赫

= 2.0 V，I

= 1.0 A

= 1.0 A，I

= 50毫安

= 1.0 A，I

= 50毫安

= 2.0 V，I

= 50毫安

= 2.0 V，I

= -100毫安

= 10 V，I

= 0中，f = 1.0兆赫

600

160

脉冲： PW

≤

350

S，占空比

≤

2 %

分类

记号

2SD1615

2SD1615A

135 270

200至400

300至600

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

一号文件D10198EJ4V0DS00 （第4版）

发布日期2000年12月 CP （ K）

日本印刷

4.0

0.25

2.5

0.1

1985

2SD1615 ， 2SD1615A

典型特征（T

= 25

总功耗对比

环境温度

2.5

安全工作区

（瞬态热阻

法）

1脉冲

- 总功耗 - W

2.0

- 集电极电流 - 一个

NTE

0.5

1.5

ERA

1.0

0.2

0.1

吃

STR

2SD1615

2SD1615A

0.5

0.05

0.02

200

0.01

120

160

- 环境温度 -

°C

- 集电极到发射极电压 - V

100

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

1.0

300

200

5.0毫安

4.5毫安

3.5

3.0毫安

2.5毫安

2.0毫安

0.8

- 集电极电流 - 毫安

150

- 集电极电流 - 一个

200

0.6

1.5毫安

100

= 50

0.4

1.0毫安

- 0.5毫安

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

- 集电极到发射极电压 - V

直流电流增益主场迎战

集电极电流

CE （ SAT ）

- 集电极饱和电压 - V

集电极和基极饱和

电压与集电极电流

CE （ SAT ）

- 集电极饱和电压 - V

BE （ SAT ）

- 基本饱和电压 - V

1000

= 2.0 V

500

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01 0.02

0.05 0.1 0.2

0.5

= 20·I

BE （ SAT ）

- 直流电流增益

200

100

0.01 0.02

0.05 0.1 0.2

0.5

- 集电极电流 - 一个

数据表D10198EJ4V0DS00

2SD1615 ， 2SD1615A

增益带宽积主场迎战

发射极电流

1000

500

- 增益带宽积 - MH

200

100

0.01 0.02

0.05 0.1 0.2

0.5 1 2

- 集电极电流 - 一个

- 输出电容 - pF的

= 2.0 V

100

输出CAPCITANCE对比

集电极 - 基极电压

= 0

F = 1.0 MH

- 集电极基极电压 - V

100

切换时间与

集电极电流

吨 - 开关时间 -

0.5

= 10 V

= 10.I

= –10.I

BE （OFF）的

= -2至3伏

PW = 2

占空比

≤

2 %

英镑

0.2

0.1

0.05

0.01 0.02

0.05 0.1

0.2

- 集电极电流 - 一个

0.5

数据表D10198EJ4V0DS00

2SD1615 ， 2SD1615A

[备忘录]

本文档中的信息是截至10月， 2000年的信息如有

更改，恕不另行通知。在实际设计时，请参阅各产品的数据表或最新出版

数据手册等，为NEC半导体产品的最先进的最新规格。不是所有的

产品和/或型号都向每个国家供应。请与本公司销售代表查询

供应及其他信息。

本文件的任何部分不得复制或转载于任何形式或未经事先任何手段

NEC的书面同意。 NEC承担，可能会出现在本文档中的任何错误不承担任何责任。

NEC不承担侵权专利，版权或其他知识产权的任何法律责任

第三方通过或由于使用本公司产品本文档或任何其他上市所产生的

从使用这些产品而产生的法律责任。没有许可证，明示，暗示或其他，根据授予的任何

专利，版权或NEC或他人的其他知识产权。

提供用于说明电路，软件和本文件中的相关信息的描述

半导体产品操作和应用实例。这些纳入

电路，软件和信息在客户设备的设计应在全面完成

客户的责任。 NEC不承担招致顾客或第三方的任何损失承担任何责任

从使用这些电路，软件和信息时造成当事人。

虽然本公司致力于提高半导体产品，客户的质量，可靠性和安全性

同意并确认缺陷的可能不能完全消除。为了最大限度地减少

损坏的财产或人身伤害（包括死亡）的风险，而产生的缺陷NEC人士

半导体产品，客户必须在设计过程中应加强安全措施，比如

冗余度，防火和防故障功能。

NEC半导体产品分为以下三个质量等级：

＆ QUOT ;标准＆ QUOT ;，＆ QUOT ;特殊＆ QUOT ;和＆ QUOT ;比＆ QUOT ;.在＆ QUOT ;比＆ QUOT ;只有质量等级适用于半导体产品

开发了基于客户指定的"quality保证program"针对特定应用程序。该

半导体产品的推荐用途取决于其质量等级，详见如下。

在一个特定的使用之前，客户必须检查每个半导体产品的质量等级

应用程序。

＆ QUOT ;标准＆ QUOT ;：计算机，办公自动化设备，通信设备，测试和测量设备，音频

·视频设备，家用电子电器，机械工具，个人电子设备

工业机器人

＆ QUOT ;特殊＆ QUOT ;：运输设备（汽车，火车，船舶等），交通控制系统，防灾

系统，防止犯罪系统，安全设备和医疗设备（不包括专门设计的

生命支持）

＆ QUOT ;比＆ QUOT ;:飞机，航空航天设备，海底中继设备，原子能控制系统，生命

支持系统和生命支持等医疗设备

NEC半导体产品的质量等级是"Standard"除非在NEC的明确规定

数据表或数据手册等，如果客户希望使用NEC半导体产品的应用中不

旨在通过NEC ，他们必须联系本公司销售代表预先确定NEC的意愿

支持一个给定的应用程序。

（注）

（1）＆ QUOT ; NEC ＆ QUOT ;作为本声明中表示NEC公司，也包括其控股子公司。

（ 2 ）＆ QUOT ; NEC半导体产品＆ QUOT ;指任何半导体产品的开发或由或为制造

NEC公司（如上所定义）。

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