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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD1601
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 60V (最小值)
直流电流增益
: h
FE
= 1000 (最小值) @I
C
= 2A
.Complement
到类型2SB1101
应用
·设计
对于低频功率放大器的应用程序。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
60
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
60
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7
V
I
C
集电极电流连续
4
A
I
CP
集电极电流峰值
8
A
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
40
W
T
J
结温
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CE(
SAT
)-1
V
CE(
SAT
)-2
V
BE (
SAT
)-1
V
BE (
SAT
)-2
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
ECF
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
C- ê二极管正向电压
条件
I
C
= 25毫安;
BE
=
I
E
= 50毫安;我
C
= 0
I
C
= 2A ;我
B
= 4毫安
B
2SD1601
60
7
典型值。
最大
单位
V
V
1.5
3.0
2.0
3.5
100
10
1000
20000
3.0
V
V
V
V
μA
μA
I
C
= 4A ;我
B
= 40毫安
B
I
C
= 2A ;我
B
= 4毫安
B
I
C
= 4A ;我
B
= 40毫安
B
V
CB
= 60V ;我
E
= 0
V
CE
= 50V ;
BE
=
I
C
= 2A ; V
CE
= 3V
I
F
= 4A
V
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 2A ,我
B1
= -I
B2
= 4毫安
1.0
6.0
1.0
μs
μs
μs
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD1603
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 60V (最小值)
直流电流增益
: h
FE
= 1000 (最小值) @I
C
= 4A
.Complement
到类型2SB1103
应用
·设计
对于低频功率放大器的应用程序。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
60
V
60
V
7
V
8
A
12
A
40
W
I
C
集电极电流连续
I
CP
集电极电流峰值
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
结温
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CE(
SAT
)-1
V
CE(
SAT
)-2
V
BE (
SAT
)-1
V
BE (
SAT
)-2
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
ECF
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
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直流电流增益
条件
I
C
= 25毫安;
BE
=
I
E
= 50毫安;我
C
= 0
I
C
= 4A ;我
B
= 8毫安
B
2SD1603
60
7
典型值。
最大
单位
V
V
1.5
3.0
2.0
3.5
100
10
20000
3.0
V
V
V
V
μA
μA
I
C
= 8A ;我
B
= 80毫安
B
I
C
= 4A ;我
B
= 8毫安
B
C- ê二极管正向电压
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
B
I
C
= 8A ;我
B
= 80毫安
V
CB
= 60V ;我
E
= 0
V
CE
= 50V ;
BE
=
I
C
= 4A ; V
CE
= 3V
1000
I
F
= 8A
V
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 4A ,我
B1
= -I
B2
= 8毫安
0.5
5.0
1.0
μs
μs
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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

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    终端采购配单精选

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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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√ 欧美㊣品
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联系人:陈小姐/陈先生
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全新原装现货库存热卖
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联系人:林
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