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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1588
描述
·带
TO- 220Fa包
.Complement
键入2SB1097
ULOW
高速开关
应用
For
低频功率
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
辐射源
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
100
60
7
7
15
3.5
30
W
单位
V
V
V
A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD1588
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 50mA时我
B
=0
60
V
V
CESAT
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
0.5
V
基射极饱和电压
1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 80V ;我
E
=0
10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
10
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
=1V
40
200
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=1V
20
h
FE-1
分类
M
40-80
L
60-120
K
100-200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1588
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1588
描述
·采用TO- 220F封装
·补键入2SB1097
·低速切换
应用
·对于低频功率
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
100
60
7
7
15
3.5
30
W
单位
V
V
V
A
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 50mA时我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 80V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=1V
I
C
= 5A ; V
CE
=1V
40
20
民
60
2SD1588
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.5
10
10
200
V
V
A
A
h
FE-1
分类
R
40-80
O
60-120
Y
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1588
图2外形尺寸
3
功率晶体管
www.jmnic.com
2SD1588
硅NPN晶体管
特点
·带
TO- 220Fa包
ULOW
频功率放大器和低速开关
.Complement
键入2SB1097
BCE
绝对最大额定值锝= 25
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流PLUSE
集电极耗散功率
结温
储存温度
等级
100
60
7
7
15
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
TO-220Fa
电气特性锝= 25
符号
I
CBO
I
EBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
CE(sat-1)
V
CE(sat-2)
h
FE-1
h
FE-2
V
BE(sat-1)
V
BE(sat-2)
参数
集电极截止电流
发射器UT-截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
正向电流传输比
正向电流传输比
基射极饱和电压
基射极饱和电压
I
C
= 3A ; V
CE
=1V
I
C
= 5A ; V
CE
=1V
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
40
20
1.5
V
200
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
0.5
V
I
C
= 30毫安;我
B
=0
60
V
条件
V
CB
= 80V ，我
E
=0;
V
EB
= 5V ，我
C
=0
民
典型值
最大
10
10
单位
uA
uA
h
FE-1
分类
M
40-80
L
60-120
K
100-200
JMnic
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1588
描述
·采用TO- 220F封装
·补键入2SB1097
·低速切换
应用
·对于低频功率
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25
P
C
集电极耗散功率
T
a
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
2
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
100
60
7
7
15
3.5
30
W
单位
V
V
V
A
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 50mA时我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
V
CB
= 80V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=1V
I
C
= 5A ; V
CE
=1V
40
20
民
60
2SD1588
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
典型值。
最大
单位
V
0.5
1.5
10
10
200
V
V
A
A
h
FE-1
分类
R
40-80
O
60-120
Y
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1588
图2外形尺寸
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅功率晶体管
2SD1588
描述
·带
TO- 220Fa包
.Complement
键入2SB1097
ULOW
高速开关
应用
For
低频功率
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
在Tc = 25绝对最大额定值
℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
T
a
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
100
60
7
7
15
3.5
30
2
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
首席执行官
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
发射极基极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 50mA时我
B
=0
I
C
= 5A我
B
=0.5A
I
C
= 5A我
B
=0.5A
V
CB
= 80V我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=1V
I
C
= 5A ; V
CE
=1V
40
20
民
60
典型值。
2SD1588
最大
单位
V
0.5
1.5
10
10
200
V
V
μA
μA
h
FE-1
分类
R
40-80
O
60-120
Y
100-200
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅功率晶体管
包装外形
2SD1588
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
JMnic
'$7$ 6+((7
硅功率晶体管
2SD1588
NPN硅外延型晶体管
低频功率放大器和低速开关
特点
模具包，不需要绝缘板或
绝缘套管
大电流容量小尺寸：我
C（ DC ）
= 7 A
低集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 0.5 V MAX 。 （ @ 5 A ）
适用于在斜坡驱动程序或驱动程序电感使用
互补晶体管： 2SB1097
封装图（单位：mm ）
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
I
B（ DC ）
P
T
(T
C
= 25°C)
P
T
(T
A
= 25°C)
T
j
T
英镑
评级
100
60
7.0
7.0
15
3.5
30
2.0
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
（ OHFWURGH &RQQHFWLRQ
?? ！ DVH ％
?? ！ &ROOHFWRU
?? ！ （ PLWWHU
* PW
≤
300
S，占空比
≤
10%
电气特性（T
A
= 25°C)
°
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
**
h
FE2
**
V
CE （ SAT ）
**
V
BE （ SAT ）
**
条件
V
CB
= 80 V，I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 3 A
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 5 A
I
C
= 5 A，I
B
= 0.5 A
I
C
= 5 A，I
B
= 0.5 A
40
20
0.5
1.5
V
V
分钟。
典型值。
马克斯。
10
10
200
单位
A
A
**脉冲测试PW
≤
350
S，占空比
≤
2 ％ /每脉冲
h
FE
分类
记号
h
FE1
M
40至80
L
60至120
K
100至200
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D13174EJ1V1DS00 （第1版）
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
2SD1588
典型特征（T
A
= 25°C)
°
总功耗P
T
(W)
2毫米铝基板，
硅脂涂层
具有无穷散热器
（ TC = 25 ° C）
无需散热器
温度T （ ℃）
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
瞬态热阻R
日（J -C ）
(
°
C / W ）
I
C
降额的dT （ ％ ）
T
A
= 25 ° C（不带散热片）
（具有无限散热器）
案例温度T
C
(°C)
脉冲宽度PW （S ）
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流增益
FE
集电极电流I
C
(A)
2
数据表D13174EJ1V1DS
集电极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
基本饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
集电极电流I
C
(A)
数据表D13174EJ1V1DS
2SD1588
3
2SD1588
本文档中的信息为7月， 2001年的信息如有变化
恕不另行通知。在实际设计时，请参阅各产品的数据表或数据的最新出版物
书籍等，为NEC半导体产品的最先进的最新规格。并非所有产品
和/或型号都向每个国家提供。请与本公司销售代表查询
供应及其他信息。
本文件的任何部分不得复制或转载于任何形式或未经事先任何手段
NEC的书面同意。 NEC承担，可能会出现在本文档中的任何错误不承担任何责任。
NEC不承担侵权专利，版权或其他知识产权的任何法律责任
第三方通过或由于使用本公司产品本文档或任何其他上市所产生的
从使用这些产品而产生的法律责任。没有许可证，明示，暗示或其他，根据授予的任何
专利，版权或NEC或他人的其他知识产权。
提供用于说明电路，软件和本文件中的相关信息的描述
半导体产品操作和应用实例。这些纳入
电路，软件和信息在客户设备的设计应在全面完成
客户的责任。 NEC不承担招致顾客或第三方的任何损失承担任何责任
从使用这些电路，软件和信息时造成当事人。
虽然本公司致力于提高半导体产品，客户的质量，可靠性和安全性
同意并确认缺陷的可能不能完全消除。为了最大限度地减少
损坏的财产或人身伤害（包括死亡）的风险，而产生的缺陷NEC人士
半导体产品，客户必须在设计过程中应加强安全措施，比如
冗余度，防火和防故障功能。
NEC半导体产品分为以下三个质量等级：
＆ QUOT ;标准＆ QUOT ;，＆ QUOT ;特殊＆ QUOT ;和＆ QUOT ;比＆ QUOT ;.在＆ QUOT ;比＆ QUOT ;只有质量等级适用于半导体产品
开发了基于客户指定的"quality保证program"针对特定应用程序。该
半导体产品的推荐用途取决于其质量等级，详见如下。
在一个特定的使用之前，客户必须检查每个半导体产品的质量等级
应用程序。
＆ QUOT ;标准＆ QUOT ;：计算机，办公自动化设备，通信设备，测试和测量设备，音频
·视频设备，家用电子电器，机械工具，个人电子设备
工业机器人
＆ QUOT ;特殊＆ QUOT ;：运输设备（汽车，火车，船舶等） ，交通控制系统，防灾
系统，防止犯罪系统，安全设备和医疗设备（不包括专门设计的
生命支持）
＆ QUOT ;比＆ QUOT ;:飞机，航空航天设备，海底中继设备，原子能控制系统，生命
支持系统和生命支持等医疗设备
NEC半导体产品的质量等级是"Standard"除非在NEC的明确规定
数据表或数据手册等，如果客户希望使用NEC半导体产品的应用中不
旨在通过NEC ，他们必须联系本公司销售代表预先确定NEC的意愿
支持一个给定的应用程序。
（注）
（1） ＆ QUOT ; NEC ＆ QUOT ;作为本声明中表示NEC公司，也包括其控股子公司。
（ 2 ） ＆ QUOT ; NEC半导体产品＆ QUOT ;指任何半导体产品的开发或由或为制造
NEC公司（如上所定义） 。
M8E 00 4
功率晶体管
www.jmnic.com
2SD1588
硅NPN晶体管
特点
·带
TO- 220Fa包
ULOW
频功率放大器和低速开关
.Complement
键入2SB1097
BCE
绝对最大额定值锝= 25
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流PLUSE
集电极耗散功率
结温
储存温度
等级
100
60
7
7
15
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
TO-220Fa
电气特性锝= 25
符号
I
CBO
I
EBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
CE(sat-1)
V
CE(sat-2)
h
FE-1
h
FE-2
V
BE(sat-1)
V
BE(sat-2)
参数
集电极截止电流
发射器UT-截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
正向电流传输比
正向电流传输比
基射极饱和电压
基射极饱和电压
I
C
= 3A ; V
CE
=1V
I
C
= 5A ; V
CE
=1V
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
40
20
1.5
V
200
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
0.5
V
I
C
= 30毫安;我
B
=0
60
V
条件
V
CB
= 80V ，我
E
=0;
V
EB
= 5V ，我
C
=0
民
典型值
最大
10
10
单位
uA
uA
h
FE-1
分类
M
40-80
L
60-120
K
100-200
JMnic
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推荐型号
22RIA100MS90
2534R-00K
2N3904S
2SK1763L
26PCBFG2G
2DF0D25
2TP8-1
2-1440002-8
2RD402C1X32MR
2K0S-N048
22-16-2180
2SJ607-S
2LP25
2.5MB10
250U15L102A2CA
28F016B3
2N5209
2SC3000F
2020DX103Z3
2410-6222TB
供货商
型号
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批号
数量
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操作
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