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产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2SD1585
描述
·带
TO- 220Fa包
V
首席执行官
≥60V;V
EBO
≥7V;I
C（ DC ）
≤3.0A
.Complement
键入2SB1094
应用
For
在音频功率使用
放大器和通用应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
a
=25℃
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
60
60
7
3
5
0.6
2.0
15
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
首席执行官
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 30毫安;我
B
=0
I
C
= 2A我
B
=0.2A
I
C
= 2A我
B
=0.2A
V
CB
= 60V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 50毫安; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
F = 1MHz的; V
CB
=10V
20
40
16
48
民
60
典型值。
2SD1585
最大
单位
V
1.5
2.0
10
10
V
V
μA
μA
200
兆赫
pF
h
FE-2
分类
M
40-80
L
60-120
K
100-200
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1585
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
JMnic
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1585
描述
·采用TO- 220Fa包
·V
首席执行官
60V;V
EBO
7V;I
C（ DC ）
3.0A
·补键入2SB1094
应用
·对于音频功率放大器使用
和通用应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
15
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
60
60
7
3
5
0.6
2.0
W
单位
V
V
V
A
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 30毫安;我
B
=0
I
C
= 2A ;我
B
=0.2A
I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
V
CB
= 60V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 50毫安; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
F = 1MHz的; V
CB
=10V
20
40
民
60
2SD1585
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
1.5
2.0
10
10
V
V
A
A
200
16
48
兆赫
pF
h
FE-2
分类
M
40-80
L
60-120
K
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1585
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1585
描述
·带
TO- 220Fa包
V
首席执行官
≥60V;V
EBO
≥7V;I
C（ DC ）
≤3.0A
.Complement
键入2SB1094
应用
For
在音频功率放大器使用
和通用应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
15
150
-55~150
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
60
60
7
3
5
0.6
2.0
W
单位
V
V
V
A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SD1585
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 30毫安;我
B
=0
60
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.2A
1.5
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
2.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 60V ;我
E
=0
10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 7V ;我
C
=0
10
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 50毫安; V
CE
=5V
20
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
40
200
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
16
兆赫
C
OB
集电极输出电容
F = 1MHz的; V
CB
=10V
48
pF
h
FE-2
分类
M
40-80
L
60-120
K
100-200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1585
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.15
mm)
3
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2-1445088-2
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24AA01BT-E/MS
20017HS-08000
200D318X0006A1
2SA1759_1
2PD601BSL
2920L200/24
20020107-G211A01LF
26FLT-SM2-TB
2082-6191-02
2SD2374
2ZS310B
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