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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1553
描述
·带
TO-3P （H） IS包
.Built式
阻尼二极管
高
电压，高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
彩色电视机行输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
条件
集电极 - 基极电压
发射极开路
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
开基
集电极开路
OR
CT
U
价值
1500
600
5
2.5
1
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SD1553
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
=的200mA，我
C
=0
5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.6A
5.0
8.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.6A
1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 500V ;我
E
=0
10
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
8
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
3
兆赫
C
OB
V
F
t
f
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
集电极输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
二极管的正向电压
I
F
=2.5A
下降时间
I
CP
= 2A ，我
B1
（结束）
=0.6A
OR
CT
U
95
1.6
2.0
0.5
1.0
pF
V
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1553
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
OR
CT
U
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1553
描述
·带
TO-3P （H） IS包
.Built式
阻尼二极管
高
电压，高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
彩色电视机行输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
2.5
1
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SD1553
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
=的200mA，我
C
=0
5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.6A
5.0
8.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.6A
1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 500V ;我
E
=0
10
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
8
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
3
兆赫
C
OB
集电极输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
95
pF
V
F
二极管的正向电压
I
F
=2.5A
1.6
2.0
V
t
f
下降时间
I
CP
= 2A ，我
B1
（结束）
=0.6A
0.5
1.0
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1553
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2SD1553
描述
·带
TO-3P （H） IS包
.Built式
阻尼二极管
高
电压，高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
彩色电视机行输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
在Tc = 25绝对最大额定值
℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
2.5
1
40
150
-55~150
V
A
A
W
℃
℃
单位
V
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
h
FE
f
T
C
OB
V
F
t
f
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
发射极基极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
二极管的正向电压
下降时间
条件
I
E
=的200mA，我
C
=0
I
C
= 2A ;我
B
=0.6A
I
C
= 2A ;我
B
=0.6A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
F
=2.5A
I
CP
= 2A ，我
B1
（结束）
=0.6A
8
3
95
1.6
0.5
民
5
5.0
典型值。
2SD1553
最大
单位
V
8.0
1.5
10
V
V
μA
兆赫
pF
2.0
1.0
V
μs
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1553
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
JMnic
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1553
描述
·采用TO- 3P （H ） IS包
.Built式
阻尼二极管
高
电压，高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
·对于彩电行输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
2.5
1
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2SD1553
符号
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
=的200mA，我
C
=0
5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.6A
5.0
8.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.6A
1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 500V ;我
E
=0
10
A
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
8
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
3
兆赫
C
OB
集电极输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
95
pF
V
F
二极管的正向电压
I
F
=2.5A
1.6
2.0
V
t
f
下降时间
I
CP
= 2A ，我
B1
（结束）
=0.6A
0.5
1.0
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1553
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
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2214-200D
20Z-1C32E0
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2082-6340-09
249-7972-3732-504F
26MT160
2002-6118-00
20020106-H151A01LF
2N2515
216.1
2N3109
2LP04
2534-36K
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