【SavantIC半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管2SD1535描述·采用T】,IC型号2SD1535,2SD1535 PDF资料,2SD1535经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1535

描述

·采用TO- 220Fa包

·安全运行的广域

·高击穿电压

·达林顿

应用

·对于高功率放大

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

T

C

=25

P

C

集电极耗散功率

T

a

=25

T

j

T

英镑

结温

储存温度

2.0

150

-55~150

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

500

400

12

7

14

0.5

50

W

单位

V

V

V

A

A

A

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

条件

I

C

= 0.1A ;

BZ

=>,L=25mH

I

C

= 7A ;我

B

=70mA

I

C

= 7A ;我

B

=70mA

V

CB

= 500V ;我

E

=0

V

CE

= 400V ;我

B

=0

V

EB

= 12V ;我

C

=0

I

C

= 2A ; V

CE

=2V

I

C

= 6A ; V

CE

=2V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V;f=1MHz

500

200

民

400

2SD1535

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

典型值。

最大

单位

V

2.0

2.5

0.1

0.1

100

V

V

mA

mA

mA

20

兆赫

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 7A ;我

B1

=-I

B2

=70mA

V

CC

=300V

1.5

5.0

6.5

s

s

s

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SD1535

图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

2SD1535

描述

·带

TO- 220Fa包

ùWide

安全工作区

高

击穿电压

·达林顿

应用

For

高功率放大

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 220Fa ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

T

C

=25℃

P

C

集电极耗散功率

T

a

=25℃

T

j

T

英镑

结温

储存温度

2.0

150

-55~150

℃

℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

500

400

12

7

14

0.5

50

W

单位

V

V

V

A

A

A

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CEO （ SUS ）

V

CESAT

V

BESAT

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

f

T

参数

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

跃迁频率

条件

I

C

= 0.1A ;

BZ

=∞,L=25mH

I

C

= 7A ;我

B

=70mA

I

C

= 7A ;我

B

=70mA

V

CB

= 500V ;我

E

=0

V

CE

= 400V ;我

B

=0

V

EB

= 12V ;我

C

=0

I

C

= 2A ; V

CE

=2V

I

C

= 6A ; V

CE

=2V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V;f=1MHz

500

200

20

民

400

2SD1535

典型值。

最大

单位

V

2.0

2.5

0.1

0.1

100

V

V

mA

mA

mA

兆赫

开关时间

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 7A ;我

B1

=-I

B2

=70mA

V

CC

=300V

1.5

5.0

6.5

μs

μs

μs

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2SD1535

图2外形尺寸（ unindicated公差：

±0.15

mm)

3

功率晶体管

2SD1535

硅NPN三重扩散平面型达林顿

对于高功率放大

0.7±0.1

10.0±0.2

5.5±0.2

2.7±0.2

4.2±0.2

单位：mm

4.2±0.2

s

特点

q

q

q

q

正向电流传输极其良好的线性

比H

FE

高集电极到基极电压V

CBO

安全运行的广域（ ASO ）

可与被安装在散热片的全包包

一颗螺丝

7.5±0.2

16.7±0.3

φ3.1±0.1

4.0

1.4±0.1

1.3±0.2

14.0±0.5

浸焊

s

绝对最大额定值

(T

C

=25C)

参数

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

I

B

Ta=25°C

P

C

T

j

T

英镑

评级

500

400

12

14

7

0.5

50

2

150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

A

W

C

C

0.5

+0.2

–0.1

0.8±0.1

2.54±0.25

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

基极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

结温

储存温度

5.08±0.5

1

2

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

TO- 220全包套餐（一）

3

内部连接

C

B

E

s

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极到发射极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

V

CEO （ SUS ）

(T

C

=25C)

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

V

CEO （ SUS ）

h

FE1

h

FE2

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

f

T

t

on

t

英镑

t

f

*

条件

V

CB

= 500V ，我

E

= 0

V

CE

= 400V ，我

B

= 0

V

EB

= 12V，我

C

= 0

I

C

= 100毫安，R

BZ

=

∞,

L = 25mH

V

CE

= 2V ，我

C

= 2A

V

CE

= 2V ，我

C

= 6A

I

C

= 7A ，我

B

= 70毫安

I

C

= 7A ，我

B

= 70毫安

V

CE

= 10V ，我

C

= 0.5A ， F = 1MHz的

I

C

= 7A ，我

B1

= 70毫安，我

B2

= -70mA ，

V

CC

= 300V

X

L 25mH

Y

民

典型值

最大

0.1

0.1

100

单位

mA

mA

mA

mA

400

500

200

2.0

2.5

20

1.5

5.0

6.5

V

V

兆赫

s

s

s

测试电路

60Hz

I

C

(A)

0.2

0.1

80

V

CE

(V)

120

6V

1

15V

G

1

功率晶体管

P

C

- TA

100

10

(1) T

C

= TA

（2）在一个100

×

100

×

2mm

铝散热器

（3）同一个50

×

50

×

2mm

铝散热器

（ 4 ）不带散热片

(P

C

=2.0W)

(1)

40

T

C

=25C

2SD1535

I

C

— V

CE

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

100

I

C

/I

B

=100

30

10

T

C

=100C

3

1

–25C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

25C

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极耗散功率P

C

(W)

集电极电流I

C

(A)

80

8

I

B

=20mA

10mA

60

6

5mA

4

3mA

20

(2)

0

0

25

50

75

100

125

150

(3)

(4)

2

2mA

1mA

0

0

1

2

3

4

5

6

0.1

0.3

1

3

10

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

(A)

V

BE （ SAT ）

— I

C

100

100000

I

C

/I

B

=100

h

FE

— I

C

100

V

CE

=2V

30

t

on

, t

英镑

, t

f

— I

C

脉冲吨

w

=1ms

占空比= 1 ％

I

C

/I

B

=100 (I

B1

=–I

B2

)

V

CC

=300V

T

C

=25C

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

正向电流传输比H

FE

30

10

3

T

C

=–25C

1

100C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

25C

30000

t

英镑

10000

开关时间t

on

,t

英镑

,t

f

(

s

)

10

3

1

t

on

0.3

0.1

0.03

0.01

3000

1000

300

100

30

10

0.01 0.03

t

f

T

C

=100C

25C

–25C

0.1

0.3

1

3

10

0.1

0.3

1

3

10

0

1

2

3

4

5

6

7

8

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

安全操作区（ ASO ）

100

30

I

CP

10

2

非重复脉冲

T

C

=25C

R

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个100

×

100

×

2毫米铝散热片

(1)

10 I

C

3

DC

1

0.3

0.1

0.03

0.01

1

3

10

30

1ms

t=0.1ms

热阻R

th

（吨）（ C / W）

集电极电流I

C

(A)

10

(2)

1

10

–1

100

300

1000

10

–2

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

10

2

10

3

10

4

集电极到发射极电压V

CE

(V)

时间t （S ）

2

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9000

TO-220F

原装现货真实

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PANASON

1926+

9852

TO-220F

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！

深圳市格雷迪电子有限公司

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电话：15914072177

联系人：林先生

地址：深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236

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PANASONIC/松下

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32883

TO-220F

公司现货，全新原厂原装正品！

深圳市创芯联盈电子有限公司

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

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NEC

2443+

23000

dop

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

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电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

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MAT

24+

9634

TO-220F

全新原装现货，原厂代理。

深圳市金芯阳科技有限公司

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电话：075584505750

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PANASONIC/松下

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18260

TO-220F

原装代理现货，价格最优

深圳市美思瑞电子科技有限公司

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7183

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现货，原厂原装假一罚十！

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