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首字符2的型号第165页
> 2SD1505
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1505
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SB1064
·低集电极饱和电压
应用
·专为在低频率使用
功率放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
60
50
5
3
4.5
0.5
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
C
= 50μA ,我
E
=0
I
E
= 50μA ,我
C
=0
I
C
= 2A ;我
B
=0.2A
I
C
= 2A ;我
B
=0.2A
V
CB
= 40V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=3V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
60
民
50
60
5
2SD1505
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
1.0
1.0
320
40
90
V
V
A
A
pF
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1505
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1505
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SB1064
ULOW
集电极饱和电压
应用
·设计
为在低频率使用
功率放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
60
50
5
3
4.5
0.5
30
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD1505
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1mA时,我
B
=0
50
V
V
( BR ) CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 50μA ,我
E
=0
60
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 50μA ,我
C
=0
5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.2A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 2A ;我
B
=0.2A
1.5
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 40V ;我
E
=0
1.0
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 4V ;我
C
=0
1.0
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=3V
60
320
C
OB
输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
40
pF
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
90
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1505
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
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2SD1505
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