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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第190页 > 2SD1504
2SD1504
NPN硅外延
应用
低频放大器，静音
概要
SPAK
1
23
1.发射器
2.收集
3. BASE
2SD1504
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
ic
（峰值）
P
C
Tj
TSTG
评级
30
15
5
0.5
1.0
300
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿
电压
符号
V
（ BR ） CBO
民
30
15
5
—
250
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.65
0.15
0.018
300
0.5
最大
—
—
—
10
1200
—
0.5
—
—
—
V
V
V
兆赫
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 20 V，I
E
= 0
V
CE
= 1 V，I
C
= 150毫安*
2
V
CE
= 1 V，I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安*
2
I
C
= 30 mA时，我
B
= 3毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 50毫安
I
B
= 2毫安
集电极到发射极击穿V
（ BR ） CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
基地发射极电压
集电极到发射极饱和
电压
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
*
1
V
BE
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
增益带宽积
抗性
f
T
r
on
注：1. 2SD1504为h分组
FE
如下。
2.脉冲测试
D
250至500
E
400至800
F
600至1200
2
2SD1504
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
300
集电极电流I
C
（MA ）
典型的输出特性
10
8
15.0
200
6
12.5
10.0
4
7.5
5.0
100
2
I
B
= 2.5
A
0
50
100
环境温度Ta （C ）
150
0
2
4
6
8
10
捕集器来发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性
100
160
140
120
100
80
60
典型的传输特性
10
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
80
8
60
6
40
4
20
40
IB = 20
A
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
3
2SD1504
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
1,000
直流电流传输比H
FE
300
100
30
10
3
1
1
V
CE
= 1 V
脉冲
1,000
V
BE （ SUT ）
300
100
30
10
3
1
1
3
10
30
100 300 1,000
集电极电流I
C
（MA ）
I
C
/I
B
= 10
脉冲
V
CE （ SAT ）
饱和电压与集电极电流
3
10
30
100 300
集电极电流I
C
（MA ）
1000
增益带宽积主场迎战
集电极电流
增益带宽乘积F
T
（兆赫）
V
CE
= 1 V
500
200
100
50
20
10
2
5
10
20
50 100 200
集电极电流I
C
（MA ）
集电极输出电容C
ob
（PF ）
1,000
100
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
F = 1 MHz的
I
E
= 0
30
10
3
1
1
3
10
30
100
集电极基极电压V
CB
(V)
4
2SD1504
导通电阻与基极电流
10
IN
3 k
3 k
OUT
在阻抗R
on
()
3
I
B
F = 10千赫
1.0
0.3
0.1
0.1
0.3
1.0
3
基极电流I
B
（MA ）
10
5
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