【功率晶体管2SD1480硅NPN三重扩散平面型进行功率放大补充2SB1052单位：mm0.7±0.1】,IC型号2SD1480,2SD1480 PDF资料,2SD1480经销商,ic,电子元器件-51电子网

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功率晶体管

2SD1480

硅NPN三重扩散平面型

进行功率放大

补充2SB1052

单位：mm

0.7±0.1

10.0±0.2

5.5±0.2

2.7±0.2

4.2±0.2

φ3.1±0.1

1.4±0.1

1.3±0.2

0.5

+0.2

–0.1

0.8±0.1

2.54±0.25

5.08±0.5

1

2

3

4.2±0.2

s

特点

q

q

q

高正向电流传输比H

FE

它具有良好的

线性

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

可与被安装在散热片的全包包

一颗螺丝

(T

C

=25C)

评级

60

60

6

4

2

25

2

150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

W

C

C

16.7±0.3

14.0±0.5

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

浸焊

s

绝对最大额定值

4.0

7.5±0.2

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

TO- 220全包套餐（一）

s

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极到发射极电压

正向电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

(T

C

=25C)

符号

I

CES

I

首席执行官

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1

h

FE2*

V

BE

V

CE （ SAT ）

f

T

t

on

t

英镑

t

f

条件

V

CE

= 60V, V

BE

= 0

V

CE

= 30V ，我

B

= 0

V

EB

= 6V ，我

C

= 0

I

C

= 30mA时我

B

= 0

V

CE

= 4V ，我

C

= 0.1A

V

CE

= 4V ，我

C

= 1A

V

CE

= 4V ，我

C

= 1A

I

C

= 2A ，我

B

= 0.2A

V

CE

= 10V ，我

C

= 0.5A ， F = 1MHz的

I

C

= 1A ，我

B1

= 0.1A ，我

B2

= – 0.1A,

V

CC

= 50V

20

0.2

3.5

0.7

60

35

70

250

1.2

2

V

V

兆赫

s

s

s

民

典型值

最大

200

300

1

单位

A

A

mA

V

FE2

等级分类

Q

70至150

P

120至250

秩

h

FE2

1

功率晶体管

P

C

- TA

40

5

(1) T

C

= TA

（2）在一个100

×

100

×

2mm

铝散热器

（3）同一个50

×

50

×

2mm

铝散热器

（ 4 ）不带散热片

(P

C

=2.0W)

T

C

=25C

5

I

B

=100mA

80mA

3

50mA

40mA

2

30mA

20mA

1

5

0

0

25

50

75

100

125

150

(3)

(4)

0

0

2

4

6

8

10

12

10mA

5mA

1mA

0

0

0.5

1.0

1.5

25C

T

C

=100C

4

–25C

2SD1480

I

C

— V

CE

6

V

CE

=4V

I

C

— V

BE

集电极耗散功率P

C

(W)

35

30

25

20

15

10

(2)

(1)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

4

3

2

1

2.0

2.5

3.0

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

100

I

C

/I

B

=10

30

10

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

T

C

=100C

25C

10000

h

FE

— I

C

1000

V

CE

=4V

300

100

30

10

3

1

0.3

0.1

0.01 0.03

f

T

— I

C

V

CE

=10V

f=1MHz

T

C

=25C

正向电流传输比H

FE

1000

300

100

30

10

3

1

0.01 0.03

T

C

=100C

25C

–25C

–25C

0.1

0.3

1

3

10

0.1

0.3

1

3

10

过渡频率f

T

（兆赫）

3000

0.1

0.3

1

3

10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

安全操作区（ ASO ）

100

30

10

2

非重复脉冲

T

C

=25C

R

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个100

×

100

×

2毫米铝散热片

(1)

热阻R

th

（吨）（ C / W）

集电极电流I

C

(A)

10

I

CP

3

I

C

1

0.3

0.1

0.03

0.01

1

3

10

30

100

300

1000

DC

1ms

t=10ms

10

(2)

1

10

–1

10

–2

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

10

2

10

3

10

4

集电极到发射极电压V

CE

(V)

时间t （S ）

2

功率晶体管

2SD1480

硅NPN三重扩散平面型

进行功率放大

补充2SB1052

单位：mm

0.7±0.1

10.0±0.2

5.5±0.2

2.7±0.2

4.2±0.2

φ3.1±0.1

1.4±0.1

1.3±0.2

0.5

+0.2

–0.1

0.8±0.1

2.54±0.25

5.08±0.5

1

2

3

4.2±0.2

s

特点

q

q

q

高正向电流传输比H

FE

它具有良好的

线性

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

可与被安装在散热片的全包包

一颗螺丝

(T

C

=25C)

评级

60

60

6

4

2

25

2

150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

W

C

C

16.7±0.3

14.0±0.5

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

浸焊

s

绝对最大额定值

4.0

7.5±0.2

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

TO- 220全包套餐（一）

s

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极到发射极电压

正向电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

(T

C

=25C)

符号

I

CES

I

首席执行官

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1

h

FE2*

V

BE

V

CE （ SAT ）

f

T

t

on

t

英镑

t

f

条件

V

CE

= 60V, V

BE

= 0

V

CE

= 30V ，我

B

= 0

V

EB

= 6V ，我

C

= 0

I

C

= 30mA时我

B

= 0

V

CE

= 4V ，我

C

= 0.1A

V

CE

= 4V ，我

C

= 1A

V

CE

= 4V ，我

C

= 1A

I

C

= 2A ，我

B

= 0.2A

V

CE

= 10V ，我

C

= 0.5A ， F = 1MHz的

I

C

= 1A ，我

B1

= 0.1A ，我

B2

= – 0.1A,

V

CC

= 50V

20

0.2

3.5

0.7

60

35

70

250

1.2

2

V

V

兆赫

s

s

s

民

典型值

最大

200

300

1

单位

A

A

mA

V

FE2

等级分类

Q

70至150

P

120至250

秩

h

FE2

1

功率晶体管

P

C

- TA

40

5

(1) T

C

= TA

（2）在一个100

×

100

×

2mm

铝散热器

（3）同一个50

×

50

×

2mm

铝散热器

（ 4 ）不带散热片

(P

C

=2.0W)

T

C

=25C

5

I

B

=100mA

80mA

3

50mA

40mA

2

30mA

20mA

1

5

0

0

25

50

75

100

125

150

(3)

(4)

0

0

2

4

6

8

10

12

10mA

5mA

1mA

0

0

0.5

1.0

1.5

25C

T

C

=100C

4

–25C

2SD1480

I

C

— V

CE

6

V

CE

=4V

I

C

— V

BE

集电极耗散功率P

C

(W)

35

30

25

20

15

10

(2)

(1)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

4

3

2

1

2.0

2.5

3.0

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

100

I

C

/I

B

=10

30

10

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

T

C

=100C

25C

10000

h

FE

— I

C

1000

V

CE

=4V

300

100

30

10

3

1

0.3

0.1

0.01 0.03

f

T

— I

C

V

CE

=10V

f=1MHz

T

C

=25C

正向电流传输比H

FE

1000

300

100

30

10

3

1

0.01 0.03

T

C

=100C

25C

–25C

–25C

0.1

0.3

1

3

10

0.1

0.3

1

3

10

过渡频率f

T

（兆赫）

3000

0.1

0.3

1

3

10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

安全操作区（ ASO ）

100

30

10

2

非重复脉冲

T

C

=25C

R

日（T ）

— t

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个100

×

100

×

2毫米铝散热片

(1)

热阻R

th

（吨）（ C / W）

集电极电流I

C

(A)

10

I

CP

3

I

C

1

0.3

0.1

0.03

0.01

1

3

10

30

100

300

1000

DC

1ms

t=10ms

10

(2)

1

10

–1

10

–2

10

–4

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

10

2

10

3

10

4

集电极到发射极电压V

CE

(V)

时间t （S ）

2

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

2SD1480

描述

ULOW

集电极饱和电压

: V

CE （ SAT ）

= 2.0V （最大值） @我

C

= 2A

-collector极 - 发射极

击穿电压 -

: V

（ BR ） CEO

= 60V （最小值）

良好

h的线性度

FE

.Complement

到类型2SB1052

应用

·设计

对于功率放大器的应用程序。

绝对最大额定值（T

a

=25

℃)

符号

参数

价值

单位

V

CBO

集电极 - 基极电压

60

V

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

60

V

V

EBO

发射极 - 基极电压

6

V

I

C

集电极电流连续

2

A

I

CM

集电极电流峰值

集电极耗散功率

@ T

C

=25℃

4

A

25

W

P

C

集电极耗散功率

@ T

a

=25℃

T

J

结温

2

150

℃

T

英镑

存储温度范围

-55~150

℃

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

V

（ BR ） CEO

V

CE（

SAT

)

V

BE （

on

)

I

CES

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

直流电流增益

条件

I

C

= 30毫安;我

B

= 0

I

C

= 2A ;我

B

= 0.2A

B

2SD1480

民

60

典型值。

最大

单位

V

2.0

1.2

200

1

35

40

250

V

V

μA

I

C

= 1A ; V

CE

= 4V

V

CE

= 60V; V

BE

= 0

V

EB

= 6V ;我

C

= 0

I

C

= 0.1A ; V

CE

= 4V

I

C

= 1A ; V

CE

= 4V

mA

开关时间

开启时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 1A ;我

B1

= -I

B2

= 0.1A

0.2

3.5

0.7

μs

μs

μs

t

on

t

英镑

t

f

h

FE-1

分类

R

40-90

Q

70-150

P

120-250

ISC的网站： www.iscsemi.cn

2

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

2SD1480

描述

ULOW

集电极饱和电压

: V

CE （ SAT ）

= 2.0V （最大值） @我

C

= 2A

-collector极 - 发射极

击穿电压 -

: V

（ BR ） CEO

= 60V （最小值）

良好

h的线性度

FE

.Complement

到类型2SB1052

应用

·设计

对于功率放大器的应用程序。

绝对最大额定值（T

a

=25

℃)

符号

参数

V

CBO

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

V

EBO

发射极 - 基极电压

w

.CN

i

em

cs

。是

w

w

价值

单位

60

V

60

V

6

V

2

A

4

A

25

W

I

C

集电极电流连续

I

CM

集电极电流峰值

集电极耗散功率

@ T

C

=25℃

P

C

集电极耗散功率

@ T

a

=25℃

T

J

结温

2

150

℃

T

英镑

存储温度范围

-55~150

℃

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

V

（ BR ） CEO

V

CE（

SAT

)

V

BE （

on

)

I

CES

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

直流电流增益

条件

I

C

= 30毫安;我

B

= 0

I

C

= 2A ;我

B

= 0.2A

B

2SD1480

民

60

典型值。

最大

单位

V

2.0

1.2

200

1

V

V

μA

I

C

= 1A ; V

CE

= 4V

V

CE

= 60V; V

BE

= 0

V

EB

= 6V ;我

C

= 0

I

C

= 0.1A ; V

CE

= 4V

mA

开关时间

开启时间

贮存时间

下降时间

t

on

t

英镑

t

f

w

P

em

cs

。是

w

w

I

C

= 1A ; V

CE

= 4V

I

C

= 1A ;我

B1

= -I

B2

= 0.1A

.CN

i

35

40

0.2

3.5

0.7

250

μs

μs

μs

h

FE-1

分类

R

40-90

Q

70-150

120-250

ISC的网站： www.iscsemi.cn

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联系人：连

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联系人：陈泽强

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2443+

23000

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