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功率晶体管
2SD1445 , 2SD1445A
NPN硅外延平面型
进行功率放大,功率开关和低压开关
0.7
±0.1
单位:mm
10.0
±0.2
5.5
±0.2
4.2
±0.2
2.7
±0.2
补充2SB0948 ( 2SB948 )和2SB0948A ( 2SB948A )
I
特点
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
高速开关
正向电流传输比H良好的线性
FE
大的集电极电流I
C
这可以用一个可安装在散热片的全包包
螺丝
16.7
±0.3
7.5
±0.2
φ
3.1
±0.1
4.2
±0.2
浸焊
(4.0)
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.5
+0.2
–0.1
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
收藏家基地
电压
集电极
发射极电压
2SD1445
2SD1445A
2SD1445
2SD1445A
V
EBO
I
CP
I
C
T
C
= 25°C
T
a
= 25°C
T
j
T
英镑
P
C
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
40
50
20
40
5
20
10
40
2
150
55
to
+150
°C
°C
V
A
A
W
V
单位
V
14.0
±0.5
0.8
±0.1
2.54
±0.3
5.08
±0.5
1 2 3
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
EIAJ : SC- 67
TO- 220F封装
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SD1445
2SD1445A
h
FE1
h
FE2 *
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
注) *:等级分类
h
FE2
Q
90至180
P
130 260
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.1 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 3 A
I
C
= 10 A,I
B
= 0.33 A
I
C
= 10 A,I
B
= 0.33 A
V
CE
= 10 V,I
C
= 0.5 A , F = 10 MHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
I
C
= 3 A,I
B1
= 0.1 A,I
B2
=
0.1 A,
V
CC
= 20 V
120
200
0.3
0.4
0.1
2SD1445
2SD1445A
I
EBO
V
首席执行官
符号
I
CBO
条件
V
CB
= 40 V,I
E
= 0
V
CB
= 50 V,I
E
= 0
V
EB
= 5 V,I
C
= 0
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
20
40
45
90
260
0.6
1.5
V
V
兆赫
pF
s
s
s
典型值
最大
50
50
50
A
V
单位
A
正向电流传输比
注)括号内显示常规零件号的零件号。
排序可以用普通级(PQ秩进行
FE2
= 90 260)中的
等级分类。 ( 2SD1445A只)
1
2SD1445 , 2SD1445A
P
C
T
a
80
功率晶体管
I
C
V
CE
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
T
C
=25C
I
B
=100mA
10
V
CE ( SAT )
I
C
I
C
/I
B
=20
集电极耗散功率P
C
(W)
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
(2)
(3)
(1)
集电极电流I
C
(A)
(1)T
C
= TA
(2)在一个100 ×100× 2毫米
铝散热器
( 3 )不带散热片
(P
C
=2.0W)
8
90mA
80mA
70mA
3
T
C
=100C
1
25C
0.3
–25C
0.1
6
60mA
50mA
40mA
4
30mA
20mA
2
10mA
0
0.03
60
80 100 120 140 160
0
1
2
3
4
5
6
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
环境温度T
a
(C)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
V
BE ( SAT )
I
C
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=20
10
1000
h
FE
I
C
1000
V
CE
=10V
f
T
I
C
V
CE
=10V
f=10MHz
T
C
=25C
正向电流传输比H
FE
3
25C
–25C
T
C
=100C
300
T
C
=100C
100
25C
–25C
30
过渡频率f
T
(兆赫)
3
10
30
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.01 0.03
1
0.3
0.1
10
0.03
3
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
1
0.1
0.3
1
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
t
on
, t
英镑
, t
f
I
C
100
30
脉冲吨
w
=1ms
占空比= 1 %
I
C
/I
B
=30(I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=30V
T
C
=25C
100
安全操作区( ASO )
非重复脉冲
T
C
=25C
t=10ms
t=1ms
开关时间t
on
,t
英镑
,t
f
(
s
)
30 I
CP
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0
1
2
集电极电流I
C
(A)
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
I
C
DC
t
on
t
英镑
t
f
3
4
5
1
3
10
30
2SD1445A
100
2SD1445
300
1000
集电极电流I
C
(A)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
功率晶体管
R
日(T )
t
10
3
( 1 )不带散热片
(2)在一个100 ×100× 2毫米铝散热器
2SD1445 , 2SD1445A
热阻R
th
(吨)( C / W)
10
2
(1)
10
(2)
1
10
–1
10
–2
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
10
2
10
3
10
4
时间t (S )
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
& QUOT ;外汇及外国贸易法& QUOT ;要导出或带出日本。
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istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业,给予相对权利,或者给予任何许可。
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ERAL电子设备(如办公设备,通讯设备,测量IN-
struments和家用电器) 。
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特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,
燃烧设备,生命支持系统和安全装置),其中卓越的品质和
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对人体的危害。
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通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段,采购
荷兰国际集团,或使用的产品,因此,事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
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妈妈等级,操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
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即使产品的保证值范围内使用,多余的设计建议,
所以,这样的设备可能没有违反,因为功能的有关法律,法规我们
产品。
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及后拆包待机时间)约定,当规格表被单独更换。
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2001年MAR
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    -
    -
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