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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1440
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
高
开关速度
.Built式
阻尼二极管
应用
·设计
对水平偏转输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1500
V
V
CES
集电极 - 发射极电压
1500
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
5
V
I
C
集电极电流 - 连续
3.5
A
I
CP
集电极电流峰值
13
A
I
BP
基极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
a
= 25℃
3.5
A
2.5
W
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
= 25℃
T
J
结温
65
130
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~130
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SD1440
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 500毫安;我
C
= 0
5
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.8A
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.8A
V
CB
= 750V ;我
E
= 0
V
CB
= 1500V ;我
E
= 0
I
C
= 2.5A ; V
CE
= 10V
4
1.5
50
1.0
15
V
μA
mA
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V
2
兆赫
V
ECF
C- ê二极管正向电压
I
F
= 4A
2.2
V
t
s
贮存时间
I
C
= 2.5A ，我
B
结束
= 0.8A ，L
泄漏
= 5μH
9.0
μs
t
f
下降时间
0.8
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
这种材料版权归其各自的制造商
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD1440
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
高
开关速度
.Built式
阻尼二极管
应用
·设计
对水平偏转输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
CES
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流 - 连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
1500
V
1500
V
5
V
3.5
A
13
A
3.5
A
2.5
W
I
CP
集电极电流峰值
I
BP
基极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
a
= 25℃
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
= 25℃
T
J
结温
65
130
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~130
℃
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INCHANGE半导体
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产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SD1440
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 500毫安;我
C
= 0
5
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.8A
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 2.5A ;我
B
= 0.8A
V
CB
= 750V ;我
E
= 0
V
CB
= 1500V ;我
E
= 0
I
C
= 2.5A ; V
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= 10V
1.5
50
1.0
V
μA
mA
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
V
ECF
C- ê二极管正向电压
t
s
贮存时间
t
f
下降时间
w
em
cs
。是
w
w
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V
I
F
= 4A
.CN
i
4
15
2
兆赫
2.2
V
9.0
μs
I
C
= 2.5A ，我
B
结束
= 0.8A ，L
泄漏
= 5μH
0.8
μs
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2-796734-2
2SK613-4
212X1012N224RN
2254912597
22-05-2271
供货商
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厂家
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