2SD1421
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C（峰值）
*
1
P
C
*
2
Tj
TSTG
评级
180
160
5
1.5
3
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
注意事项： 1， PW
≤
10毫秒，占空比
≤
20%
2.值在氧化铝陶瓷基板（ 12.5 ×20× 0.7mm）的
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿
电压
符号
V
（ BR ） CBO
民
180
160
5
—
60
30
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
10
200
—
1.0
0.9
V
V
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= 1毫安，我
E
= 0
I
C
= 10毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 1毫安，我
C
= 0
V
CB
= 160 V，I
E
= 0
V
CE
= 5 V，I
C
= 0.15 A
V
CE
= 5 V，I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A，I
B
= 50毫安，脉冲
V
CE
= 5 V，I
C
= 0.15 A ，脉冲
集电极到发射极击穿V
（ BR ） CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE1
*
1
h
FE2
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极电压
注意：
标志
h
FE1
ED
60至120
V
CE （ SAT ）
V
BE
EE
100至200
1. 2SD1421用h分组
FE1
如下。
2
2SD1421
最大集电极耗散曲线
1.2
集电极耗散功率PC（ W）
（在氧化铝陶瓷基板）
集电极电流I
C
(A)
典型的输出特性
1.0
0
5.
0
4.
3.5 0
3.
2.5
脉冲
0.8
0.8
0.6
2.0
1.5
0.4
1.0
0.4
0.2
0.5毫安
I
B
= 0
0
50
100
150
环境温度Ta （C ）
0
10
20
30
40
50
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的传输特性
500
直流电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
200
100
V
CE
= 5 V
脉冲
300
250
200
150
100
50
0
1
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
V
CE
= 5 V
脉冲
10
5
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
25
–25
20
TA = 75
°
C
50
3
10 30 100 300 1,000 3,000
集电极电流I
C
（MA ）
3
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