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2SD1407A
东芝三极管
硅NPN三重DIFFUSED TYPE
2SD1407A
功率放大器的应用
工业应用
单位:mm
高击穿电压: V
首席执行官
= 100 V
低集电极饱和电压: V
CE (SAT)
= 2.0 V(最大值)
补充2SB1016A
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
( TC = 25 ° C)
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
100
100
5
5
0.5
30
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
JEDEC
°C
°C
2-10R1A
JEITA
东芝
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
重量:2.7克(典型值)。
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使操作条件(即工作温度/电流/电压等)是
内的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2009-07-24
2SD1407A
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
直流电流增益
(注1 )
h
FE (2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE (SAT)
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= 100 V,I
E
= 0
V
EB
= 5 V,I
C
= 0
I
C
= 50 mA时,我
B
= 0
V
CE
= 5 V,I
C
= 1 A
V
CE
= 5 V,I
C
= 4 A
I
C
= 4 A,I
B
= 0.4 A
V
CE
= 5 V,I
C
= 1 A
V
CE
= 5 V,I
C
= 1 A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
100
40
20
典型值。
12
100
最大
100
1
240
2.0
1.5
V
V
兆赫
pF
单位
μA
mA
V
注1 :H
FE (1)
分类
R: 4080 ,O: 70 140 , Y: 120240
记号
D1407A
产品型号(或缩写代码)
LOT号
特征
指标
注2
注2 :根据批号的行标识产品标签的指示。
[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如RoHS指令
产品的兼容性。
RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27个理事会2003年1月就
限制在电子电器设备中使用某些有害物质。
2
2009-07-24
2SD1407A
I
C
– V
CE
5
300
200
4
250
150
100
5
I
C
– V
BE
(A)
集电极电流I
C
集电极电流I
C
(A)
4
3
50
3
TC = 75℃
2
25
25
2
IB = 20毫安
1
共发射极
TC = 25°C
0
0
1
2
3
4
5
6
1
共发射极
VCE = 5 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
h
FE
– I
C
500
V
CE (SAT)
– I
C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
2
1
0.5
0.3
TC = 75℃
25
0.1
0.05
0.03
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
5
25
共发射极
IC / IB = 10
直流电流增益
FE
300
TC = 75℃
100
25
50
30
共发射极
VCE = 5 V
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
5
25
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
安全工作区
20
P
C
- TA
50
10
TC - TA
无限大的散热器
5
3
集成电路最大值(脉冲) *
1毫秒*
10毫秒*
1 s*
直流操作
TC = 25°C
100毫秒*
(W)
P
C
40
集电极耗散功率
30
集电极电流I
C
(A)
IC MAX(连续)
1
20
0.5
0.3
*:
单非重复性
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性地增加
温度。
3
10
10
0
0
25
50
75
100
125
150
0.1
最大VCEO
30
100
300
环境温度Ta (C )
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
3
2009-07-24
2SD1407A
限制产品使用
东芝公司及其子公司和联营公司(统称为“ TOSHIBA” ) ,保留更改信息的权利
在这个文件中,以及相关的硬件,软件和系统(统称为“产品”) ,恕不另行通知。
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规格,数据表和应用笔记产品的注意事项和条件中所规定的“TOSHIBA
半导体可靠性手册“和(b)对于该产品将具有或所使用的应用程序的说明。客户
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使用此类设计或应用该产品的适当性; ( b)评价和确定的任何适用性
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产品适用于一般电子设备的应用程序(使用例如,计算机,个人设备,办公设备,测量
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适用于特定用途,精度信息,或不侵权的。
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限制,在设计,开发,使用,核武器,化学武器或生物武器或导弹储存或生产
技术产品(大规模杀伤武器) 。产品及相关软件和技术可根据被控制
日本外汇及外国贸易法和美国出口管理条例。出口和再出口产品
或相关软件或技术被严格禁止的项目除外遵守所有适用的出口法律和法规。
请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性。
请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品,
包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任
不遵守适用的法律和法规。
4
2009-07-24
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